
- •2. Які основні характеристики і параметри хімічних сенсорів?
- •3. Дайте означення понять "адсорбція", "адсорбат", "адсорбент", “ступінь покриття поверхні”. Яка різниця між фізичною та хімічною адсорбцією? Як їх розрізнити експерименально?
- •4. Моделі адсорбції. Рівняння Гібса та ізотерми адсорбції Ленгмюра. Порівняйте висновки з теорії адсорбції Брунауера-Еммета-Теллера та Ленгмюра.
- •5. Опишіть можливі процеси адсорбції молекул води на поверхню твердого тіла. За яких умов виникає капілярна конденсація?
- •6. Що таке каталізатори і як вони працюють? Поясніть енергетичну діаграму для каталітичних реакцій на прикладі адсорбції н2 в системі Pd–SiO2.
- •7. Мультисенсори. Дайте приклад алгоритму математичної обробки матриці хімічних сенсорів за "методикою розпізнавання образів" та «головних компонент».
- •8. Поясніть зонну модель поверхні SnO2. Як відбувається обмін зарядами між твердим тілом і донорними/акцепторними молекулами на прикладі молекул со, н2, о2?
- •9. Виведіть формулу для розрахунку концентрації адсорбованих молекул кисню на поверхні метал-оксиду.
- •10. Виведіть формулу для розрахунку концентрації ко-адсорбованих на поверхні метал-оксиду молекул кисню та редокс-газу
- •12. Сенсори вологості на метал-оксидах. Наведіть еквівалентну електричну схему для контакту гранула–гранула–електрод для адсорбції води. Сенсорний метод контролю процесів горіння.
- •13. Поясніть принцип дії λ-сенсорів резитивного та потенціометричного типів.
- •14. Принцип дії польового транзистора з інверсним шаром. Основні характеристики приладу.
- •15. Принцип дії сенсору GasFet сенсора на водень. Модель чутливості до водню для Pd затворів. Як розрахувати парціальний тиск водню? Як впливає на чутливість до водню атмосферний кисень?
- •16. Параметри GasFet сенсорів на водень. Сенсори інших газів на основі польового транзистора. Модель чутливості до аміаку мон-структури. Польовий транзистор з підвішеною мембраною.
- •17. РН метр на isfet структурі. Як визначити значення рН розчину?
- •18. Сенсори водню на основі бар’єрів Шоткі. Зміною яких параметрів бар’єру визначається чутливість структури до адсорбції?
- •19.Потенціометричний сенсор зі світловою адресацією ((laPs). Навести принцип роботи та приклад характеристики фотоструму від прикладеної напруги в газовій атмосфері.
- •Принцип роботи сенсору електроліт-ізолятор-напівпровідник (еіs). Як підняти чутливість цього сенсору?
- •Газові сенсори на основі методу вібруючого електроду (метод зонду Кельвіна).
- •22. Назвіть та поясніть методи отримання квантових структур кремнію за високими технологіями, хімічного та електрохімічного травлення.
- •26. Поясніть, які механізми описують транспорт носіїв заряду в макропоруватому та нанопоруватого кремнії. Вплив адсорбції на електричні властивості поруватого Si.
- •28. Сенсор на польовому транзисторі із використанням пористого кремнію. Поясніть принцип дії. Який принцип дії газового сенсора з пористим кремнієм на основі кмон процесу?
- •29. Основні властивості полімерів. Π-спряжені зв’язки. Використання полімерів для сенсорів провідності.
- •31 Калориметричні сенсори на кремнієвих термопарах та транзисторах
- •32. Калориметричний сенсор з плаваючою мембраною: еквівалентна електрична схема та параметри. Термічний сенсор вологості.
- •33. Ефект зникаючого поля в оптичному волокні. Сенсори на оптичному волокні. Оптод.
- •Як використовується ефект поверхнево-підсиленого комбінаційного розсіяння світла для газових сенсорів.
- •35 Дайте означення біосенсору. Сенсори на основі біоспорідненості та метаболізму. Перші біосенсори на глюкозу та сечовину.
- •Cхема біосенсора
- •38.Еванесцентні хвилі. Хвилі, що локалізовані на межі розподілу «зовнішнє середовище-метал», «зовнішнє середовище-напівпровідник».
- •40.Закон дисперсії поверхневого плазмон-поляритону.
- •4 1.Параметри, що впливають на збудження та розповсюдження ппп.
- •42. Ефект поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •43. Схема вимірювання поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •44. Принципи побудови датчиків на основі поверхневого плазмон поляритонного резонансу пппр.
- •45. Методи, що використовуються для покращення умов збудження та розповсюдження ппп.
- •46. Методи, що використовуються для підвищення чутливості пппр датчика біомолекул.
- •47. Методи, що використовуються для підвищення селективності пппр датчика біомолекул.
- •48. Коефіцієнт відбиття від багатошарової системи. Методи обробки даних пппр вимірювань.
1. Який принцип дії "електронного носу" і "хімічного сенсору"? Яка відмінність між "сенсором" і "трансдьюсером"? Що таке lab-on –chip? Які критерії покладено у визначення максимально допустимих концентрацій газів? Наведіть приклади.
Напiвпровіниковий хiмiчний сенсор - це напiвпровiдниковий прилад, який створено засобами мiкроелектронiки, в якому відбувається взаємодія мiж аналітом (газом) i сенсорною структурою, вона трансформується на корисний сигнал - електричний чи оптичний, що кількiсно та якicнo характеризує аналiт.
Системи контролю газового середовища можуть базуватися на використанні принципу електронного носа, який i розглянемо. Електронний нic - це масив хiмiчних сенсорів, кожний з яких імiтyє рецптoри opгaнів нюху. Сигнал з цього масиву обробляється за cпецiальним алгоритмом, що дозволяє встановлювати хiмiчний склад (якісно й кiлькісно) навколишнього газовогo середовища. Таким чином, електронний ніс складається з двох принципових блокiв - блоку хiмiчного сенсора i блоку математичної обробки. В англомовнiй лiтературi останнiй блок дicтaв назву - алгоритм (мвтодика) розпізнавання образів.
|
Рис 1.3. Схема, яка пояснює принцип дії хімiчного сенсора |
Останнiми роками активно розвивалася концепцiя „лабораторії на інтегральній мікросхкмі” (в англомовн iй лiтературi - lab-оn а chip) чи мікроповна аналiтична система (μ-TAS - mirco-Total Analytical System). μ-TAS містить у собi систему взяття проб, систему сепарації проби (наприклад, за рахунок прокачування крiзь фiльтри), систему детекції газів. Фактично iдея полягає у створенні i мiкролабораторії для моніторингу газів на мiкрочипi. Эазвичай такі системи повинні містити такі елементи, які беспосередньо не належать до на напівпровідникової мікроелектроніки.
Гранично допустима концентрація (ГДК) - це така концентрацiя шкiдливого газу, при якiй людина може перебувати протягом восьмигодинного робочого дня без істотного впливу на стан здоров’я. Наведемо кілька критеріїв для ГДК. Наприклад, прийнятнi значення вщносної вологоcтi для систем кондиціювання встановлено на piвні: 30-60%, тому що за цих значень вологості створюються несприятливі умови для розмноження бактерiй у вентиляцiйних
трубах. Якщо в примiщеннi хтось палить, то об’єм подачі свжoгo повiтр’я має перевищувати 9,4 л/с на одну особу (стандарт США).
2. Які основні характеристики і параметри хімічних сенсорів?
Як і будь-який мiкроелектронний прилад, напiвпровiдниковi. хiмiчнi сенсори паспортизують, тобто вказують набiр основних параметрів і характеристик. Насамперед, визначимо , що саме вимipюється сенсором.
|
Рис. 1.4 Типова зміна сигнaлу сенсора пpи впуску та випуску гaзу |
Час відповіді сенсора - це час, за який вихiдний сигнал сенсора досягає 63% від максимальної величини при змiнi концентрації (парціального тиску) вимiрюваного газу від нуля до даної концентрації (парціального тиску). Iнколи вживають інше визначення часу часу відповіді, коли сигнал сягає 90% вiд максимального. Визначають також і час відновлвння - це час, за який вихiдний сигнал падає до 37% (в е разiв), чи до 10% вiд максимального при змiнi концентрації (парціального тиску) вимірюваного газу до нуля.
На рис. 1.5 а) представлено гpадуювальну криву у двокоординатнiй системi для найпроcтiшого випадку лiнiйного сенсора, який вимірює зміну оптичнorо чи електричного сигналу при змiнi концeнтpaцiї газу, у даному випадку - відносної. вологостi.
Основними параметрами градуювальної кривої є дiапазон вимiрюваних концентрацій (х1-х2) тобто мiнiмальна х1, i максимальна граничні х2 концентреції газiв, якi можна визначати за допомогою сенсора. Цiй облаcтi (х1-х2) на шкалi сигналiв буде вiдповiдати область (у1-у2). Це так звана повна шкала вихіного сигналу.
|
Рис. 1.5: а) залежність сигналу лінійного сенсора від вологості; б) до пояснення ефектів гістерезису та повторюваності: 1 - перше вимірювання, коли N зростає, 2 – друге вимірювання, коли N зменшується, 3 - n·циклів вимірювання, коли N зростає. |
Чутливicть
сенсора визначається як вiдношення
змiни вихiдного сигналу до відповідної
змiни вимipюваної концентрації. Тобто,
якщо залежність вихiдного сигналу від
вхідного описується функцiєю типу
y=f(x),то
чутливiсть сенсора визначаєтъся як:
.
У випадку лiнiйного відryку сенсора, тобто коли y=kx+b (Де k, b - const) його чутливiсть стала для всього дiапазону вимiрюваних концентрацiй S=k. Величина b= y1 називасться порогом сигналу вiдгуку. Якщо, наприкnад, y=kx2+b, то чутлиеiсть сенсора зростає зi эбiльшенням концентрації S=2 kx.
Лiнійність - це вiдхиnення від прямої лiнiї градуювальної харакreриcтики даного сенсора, яке вимiрюєтъся у відcoткax.
Гістерезис характеристики - це максимальна рiзниця вихiдного сигналу в будь-якiй точцi хі эалежностi y=f(x), яка визначаєтъся при двох послiдовних вимipюваннях, коли концентрацiя газiв зростає та падає (рис . 1.5 б). Гістерезис визначають у вiдсотках до повної шкали вихідного сигналу, тобто Δy(xi)/(y1-y2).
Повторюванicть - це властивiсть сенсора показувати однакові виxiднi характеристики в послiдовностi циклiв вимiрювання й виэнвчається максимальною рiзницею мiж вихiдними сигналами для різних циклiв вимірювання. Так само як i гiстерезис, визначається у відсотках щодо повної шкали вихiдного сигналу (рис. 1.5 б). Повторюваність і відсутність гістерезису визначає високу стабiльнiсть характеристик сенсора.
Селективнiсть - це властивiсть сенсора визначати і вимiрювати тiльки одну хiмічну компоненту за присутностi iнших у суміші газів чи розчинах. У загальному випадку хiмiчнi сенсори характеризуються невисокою селективнiстю, тобто вони є скорiше неселективнi нiж селвктивнi, і одночасно peaгyють на присутність кількох газiв.
Серед iнших параметрів, якi описують функцiонування сенсора, можна вiдзначити шуми, зовнiшнi умови його роботu (температура, вологіcтъ, атмосферний тиск, наявнiстъ в атмосферi iнших газiв, електромагнітні поля, удари, вiбрацiя), гарантiйнuй час рйботи (чи гарантiйна кiлькість циклiв вимipювань газ - повiтря), ціна тощо.
Основними харакreристмками xiмiчних ceнcopiв вважають: чутливість, селективнicть, стабiльнicть характеристики, час вiдповiді, дiaпазон виміpюваниx кoнцентpaцiй, мінiмальна вимірювальна концентрацiя, цiна тощо.