
- •Введение.
- •Выбор и обоснование структурной схемы.
- •Расчёт оконечного каскада (эмиттерный повторитель).
- •Р асчет промежуточного каскада.
- •Генератор стабильного тока промежуточного каскада.
- •Входной каскад.
- •Регулятор усиления.
- •Генератор стабильного тока входного каскада.
- •Разделительный конденсатор.
- •Заключение.
- •Спецификация
Генератор стабильного тока входного каскада.
С
хема
ГСТ приведена на рисунке 5. Токи ГСТ
.
Для ГСТ выбираем сборку транзисторов
КТС395А.
Рис.5
Среднее значение параметра
Напряжение
Токи базы транзисторов VT2 и VT3
Ток
Сопротивление резистора
Из условия
сопротивление
резистора
Сопротивление резистора
Определим стандартные
величины номинальных сопротивлений
резисторов [из ряда Е12]:
Разделительный конденсатор.
R0=5
Входное сопротивление усилителя
Емкость конденсатора
Из ряда Е24 выбираем номинальное значение емкости С=3 (мкФ)
Заключение.
В ходе данной курсовой работы в соответствии с техническим заданием был спроектирован импульсный усилитель. В результате была получена принципиальная электрическая схема импульсного усилителя. В усилителе использовано три дифференциальных каскада. Они дают усиление K=1069. Это усиление больше чем требовалось в задании. Однако, при реализации данного усилителя, запас усиления может быть исчерпан из-за отличия от расчетных параметров транзисторов, отличии рассчитанных сопротивлений от стандартных рядов. Расчет каскадов вели с учетом статических характеристик транзистора.
Оглавление
Задание на курсовой проект 2
Введение 3
Выбор и обоснование структурной схемы 5
Оконечный каскад (эмиттерный повторитель) 8
Промежуточный каскад 10
Генератор стабильного тока промежуточного каскада……................15
Входной каскад 16
Регулятор усиления………..……………… ………………………….21
Генератор стабильного тока входного каскада ……………………22
Разделительный конденсатор…………………………… ……………24
Заключение 25
Оглавление……………………………………………………………...26
Список используемой литературы 27
Спецификация…………...……………………………………….……..28
Принципиальная схема усилителя…………………………………….29
Список используемой литературы.
Попов Д.И. Схемотехника аналоговых электронных устройств: учеб.пособие;РГРТУ. –Рязань,2011-76с.
Петухов В.М. Полупроводниковые приборы. Транзисторы. Дополнение первое: справочник. – М.: Радио и связь,1989.-272с.
Петухов В. М. Маломощные транзисторы и их зарубежные аналоги: справочник. Т.1. – М.: КУбК-а, 1997.-688с.
Павлов В.Н., Ногин В.Н. схемотехника аналоговых электронных устройств:учебник для вузов.-М.: Горячая линия-Телеком, 2001.-320с
Спецификация
Обозначение элемента |
Наименование |
Кол-во |
Резисторы |
||
R1,R4 |
СП3-29 68-15·106±30% |
2 |
R2 |
СП3-42 10·103-300·103±20% |
1 |
R3, RP |
СП3-16В 1·103-10·106±30% |
1 |
Диоды |
||
VD |
СП3-27а 100-4,7·106±30% |
1 |
Транзисторы |
||
VT1, VT2 |
2ТС398А(сборка) |
2 |
VT3 |
КТ363А |
1 |
Принципиальная схема.