1. Структура зу типа 2d

Запоминающие устройства типа 2D. Организация ЗУ типа 2D обеспечивает двухкоординатную выборку каждого ЗЭ ячейки памяти. Основу ЗУ составляет плоская матрица из ЗЭ, сгруппи­рованных в 2* ячеек по п разрядов. Обращение к ячейке за­дается ^-разрядным адресом, выделение разрядов производится разрядными линиями записи и считывания. Структура ЗУ типа 2D приведена на рис. 4.5. Адрес (^-разрядный) выбираемой ячейки iпоступает на схему адресного формирователя АдрФ, управляемого сигналами чтения Чт и записи Зап. Основу АдрФ составляет дешифратор с 2к выходами, который при поступлении на его входы адреса формирует сигнал для выборки линии i, при этом под воздействием сигналов Чт и Зап из АдрФ выдается сигнал, настраива­ющий ЗЭ i-й линии либо на считывание (выдачу сигнала со­стояния), либо на запись. Выделение разряда jв i-м слове про­изводится второй координатной линией. При записи по линии jот усилителя записи УсЗап поступает сигнал, устанавливаю­щий выбранный для записи 33;, в состояние 0 или 1. При считы­вании на усилитель считывания УсСч по линии / поступает сигнал о состоянии 3.9;,. Используемые здесь ЗЭ должны допускать объединение вы­ходов для работы на общую линию с передачей сигналов только от выбранного ЗЭ. Такое свойство типично для современных ЗЭ и в дальнейшем всякий раз подразумевается. Таким образом, каждая адресная линия выборки ячейки передает три значения сигнала: выборка при записи, выборка при считывании и отсутствие выборки. Каждая разрядная ли­ния записи передает в ЗЭ записываемый бит информации, а раз­рядная линия считывания — считываемый из ЗЭ бит информа­ции. Линии записи и считывания могут быть объединены в одну при использовании ЗЭ, допускающих соединение выхода со входом записи. Совмещение функций записи и считывания на разрядной линии широко используется в современных полупро­водниковых ЗУ. Запоминающие устройства типа 2D являются быстродей­ствующими и достаточно удобными для реализации. Однако ЗУ типа 2D неэкономичны по объему оборудования из-за на­личия в них дешифратора с 2к выходами. В настоящее время структура типа 2D используется в основном в ЗУ небольшой емкости.

2. Структура зу типа 2.5d

Запоминающие устройства типа 2.5D. В ЗУ этого типа при считывании состояния /-го разряда i-й ячейки положение ЗЭ(/-в ЗМ определяется тремя координатами (две координаты для выборки и одна для выходного сигнала), а при записи в ЗЭ,, — двумя координатами. Считывание при этом осуществляется так же, как и в ЗУ типа 3D, а запись сходна с записью в ЗУ типа 2D. Запоминающий массив ЗУ типа 2,5D можно рассматривать как состоящий из отдельных ЗМ для каждого разряда памяти: ЗМо, ЗМь • • •, ЗМ;,..., ЗМ..1. Структура одноразрядного ЗУ дана на рис. 4.7, а. Код адреса г'-й ячейки памяти, как и в ЗУ 3D, разделяется на две части: i' и i", каждая из которых отдельно дешифрируется. Адресный формирователь АдрФ выдает сигнал выборки на линию i', разрядно-адресный формирователь /-го разряда РАдрФ — на линию i". При считывании оба сигнала, являющиеся сигналами выборки для считывания, опрашивают ЗЭ, выходной сигнал которого поступает на УсСч разряда /. Ра­ботает ЗУ в этом случае так же, как и ЗУ типа 3D. При записи АдрФ выдает сигнал выборки для записи, а РАдрФ выдает по линии I" сигнал записи 0 или 1 в зависимо­сти от назначения входного информационного сигнала /-го раз­ряда ВхИнФ,. На остальных линиях РАдрФ! не появляются сигналы записи, и состояния всех ЗЭ, кроме ЗЭ, лежащего на пересечении линий I' и i", не меняются. Из ЗМ отдельных разрядов формируется ЗМ всего ЗУ со­гласно схеме на рис. 4.7, б. Наиболее экономичным по расходу оборудования ЗУ оказы­вается в том случае, если число выходных линий АдрФ и всех РАдрФ равно, т.е. если r= (k— r) log2 п (рис. 4.7, б). Недостатком ЗУ типа 2,5 D является то, что сигналы на линиях РАдрФ должны иметь четыре значения: чтение, запись О, запись 1 и отсутствие записи (хранение). Для ЗЭ с разрушаю­щим считыванием сигналы чтения и записи 0 совпадают и по­требуются лишь три значения сигнала. В связи с этим ЗУ типа 2,5D используется для ЗЭ с разрушающим считыванием. Для построения современных полупроводниковых ЗУ из ЗЭ с неразрушающим считыванием используется структура ЗУ с двухкоординатным выделением ЗЭ и мультиплексированием выходных сигналов при считывании. Такие ЗУ будем называть ЗУ типа 2D-M.