- •Семестр 2. Раздел 1. Архитектура эвм
- •Тема 6. Сетевые устройства: сетевые платы, сетевое оборудование 124
- •Тема 7. Параллельные архитектуры, графические процессоры. Языки cuda и OpenCl. Квантовые вычисления, днк-компьютеры, нанопроцессоры. 132
- •Тема 1. Архитектуры эвм. Принципы фон Неймана. Конвейеры. Тактовый генератор и резонаторы. Архитектура компьютера
- •Архитектура фон Неймана
- •Принципы фон Неймана
- •Гарвардская архитектура
- •Скалярный процессор
- •Векторный процессор
- •Вычислительный конвейер
- •[Править] Пузырек
- •Генератор тактовых импульсов
- •Кварцевый резонатор
- •Тема 2. Схема цпу, регистры, шины, мосты, чипсеты, слоты расширения, порты
- •Типовые структуры операционного блока микропроцессора
- •Системная шина микропроцессора
- •Принципы построения параллельного порта
- •Принципы построения последовательного порта
- •Синхронные последовательные порты
- •Асинхронные последовательные порты
- •Принципы построения микропроцессорных таймеров
- •Чипсеты современных компьютеров
- •Компоненты южного моста
- •Тема 3. Пзу, озу и способы их организации. Ассоциативная память (кэш). Пзу
- •Статические оперативные запоминающие устройства - озу (ram)
- •Кэширование, выполняемое операционной системой
- •Алгоритм работы кэша с отложенной записью
- •Алгоритм вытеснения
- •Политика записи при кэшировании
- •Кэширование интернет-страниц
- •Кэширование результатов работы
- •Тема 4. Накопители данных: накопители на жестких магнитных дисках, накопители на гибких магнитных дисках, накопители на магнитных лентах, оптические накопители, flash-память Жёсткий диск
- •Устройство
- •Гермозона
- •Устройство позиционирования
- •Блок электроники
- •Низкоуровневое форматирование
- •Геометрия магнитного диска
- •Адресация данных
- •Технологии записи данных
- •Метод продольной записи
- •Метод перпендикулярной записи
- •Метод тепловой магнитной записи
- •Накопитель на гибких дисках
- •Конструкция
- •Оптический диск
- •[Править] Некоторые параметры оптических дисков
- •Флеш-память
- •Принцип действия[1]
- •Nor и nand приборы
- •Slc и mlc приборы
- •[Править] Аудиопамять
- •[Править] Технологические ограничения
- •[Править] Специальные файловые системы
- •[Править] nand
- •Твердотельный накопитель
- •[Править] nand ssd
- •[Править] ram ssd
- •Тема 5. Устройства ввода и вывода данных: принтеры, сканеры, факс-модемы, мыши, клавиатуры, мониторы, электронная бумага Принтер
- •[Править] Классификация
- •[Править] Матричные принтеры
- •[Править] Сравнение с другими типами
- •[Править] Струйные принтеры
- •[Править] Классификация
- •[Править] Сублимационные принтеры
- •[Править] Сравнение с другими типами
- •[Править] Лазерные принтеры
- •[Править] Сравнение с другими типами
- •[Править] Другие принтеры
- •[Править] Интернет-принтеры
- •[Править] История и принципы работы
- •[Править] Обзор современных технологий цифровой печати
- •[Править] Картридж принтера
- •[Править] Печатающая головка
- •Копировальный аппарат
- •История
- •Модуляция
- •[Править] Виды модуляции
- •[Править] Аналоговая модуляция
- •[Править] Цифровая модуляция
- •[Править] Импульсная модуляция
- •[Править] Развёртка
- •[Править] Модуляция
- •[Править] Каналы связи
- •[Править] Приём сигнала
- •[Править] Свёртка
- •[Править] Запись изображения
- •[Править] Запись информации
- •Компьютерная мышь
- •[Править]Трекболы
- •[Править]Сенсорные полоски и панели
- •Компьютерная клавиатура
- •Монитор (устройство)
- •Жк-дисплей
- •Электронная бумага
- •Тема 6. Сетевые устройства: сетевые платы, сетевое оборудование
- •Активное сетевое оборудование
- •Пассивное сетевое оборудование
- •[Править] Принцип работы
- •[Править] Таблица маршрутизации
- •[Править] Применение
- •Сетевой коммутатор
- •Сетевой концентратор
- •[Править] Упрощённое описание принципа работы
- •[Править] Характеристики сетевых концентраторов
- •Межсетевой экран
- •Другие названия
- •Разновидности сетевых экранов
- •[Править] Типичные возможности
- •Тема 7. Параллельные архитектуры, графические процессоры. Языки cuda и OpenCl. Квантовые вычисления, днк-компьютеры, нанопроцессоры. Квантовый компьютер
- •Теория [править] Кубиты
- •[Править] Вычисление
- •[Править] Алгоритмы
- •[Править] Квантовая телепортация
- •[Править] Применение квантовых компьютеров [править] Специфика применения
- •[Править] Приложения к криптографии
- •[Править] Физические реализации квантовых компьютеров
- •Транзисторы на нанотрубках
- •Графический процессор
- •Массово-параллельная архитектура
- •Многоядерный процессор
- •Hyper-threading
Флеш-память
Флеш-память (англ. flash memory) — разновидность полупроводниковой технологии электрически перепрограммируемой памяти (EEPROM). Это же слово используется в электронной схемотехнике для обозначения технологически законченных решений постоянных запоминающих устройств в виде микросхем на базе этой полупроводниковой технологии. В быту это словосочетание закрепилось за широким классом твердотельных устройств хранения информации.
Благодаря компактности, дешевизне, механической прочности, большому объему, скорости работы и низкому энергопотреблению флеш-память широко используется в цифровых портативных устройствах и носителях информации.
Предшественниками технологии флеш-памяти можно считать ультрафиолетово стираемые ПЗУ и электрически стираемые (EEPROM). Эти приборы также имели матрицу транзисторов с плавающим затвором, в которых инжекция электронов в плавающий затвор («запись») осуществлялась созданием большой напряженности электрического поля в тонком диэлектрике. Однако площадь разводки компонентов в матрице резко увеличивалась если требовалось создать поле обратной напряженности для снятия электронов с плавающего затвора («стирания»). Поэтому и возникло два класса устройств: в одном случае жертвовали цепями стирания получая память высокой плотности, а в другом случае делали полнофункциональное устройство с гораздо меньшей емкостью.
Соответственно усилия инженеров были направлены на решение проблемы плотности компоновки цепей стирания. Они увенчались успехом изобретением инженера компании Toshiba Фудзио Масуокой в 1984 году. Название «флеш» было придумано также в Toshiba коллегой Фудзио, Сёдзи Ариидзуми, потому что процесс стирания содержимого памяти ему напомнил фотовспышку (англ. flash). Масуока представил свою разработку на IEEE 1984 International Electron Devices Meeting (IEDM), проходившей в Сан-Франциско, Калифорния.
В 1988 году Intel выпустила первый коммерческий флеш-чип NOR-типа.
NAND-тип флеш-памяти был анонсирован Toshiba в 1989 году на International Solid-State Circuits Conference.
Принцип действия[1]
Принцип работы полупроводниковой технологии флеш-памяти основан на изменении и регистрации электрического заряда в изолированной области (кармане) полупроводниковой структуры.
Изменение заряда («запись» и «стирание») производится приложением между затвором и истоком большого потенциала чтобы напряженность электрического поля в тонком диэлектрике между каналом транзистора и карманом оказалась достаточна для возникновения туннельного эффекта. Для усиления эффекта тунеллирования электронов в карман при записи применяется небольшое ускорение электронов путем пропускания тока через канал полевого транзистора (эффект Hot carrier injection (англ.)русск.).
Чтение выполняется полевым транзистором, для которого карман выполняет роль затвора. Потенциал плавающего затвора изменяет пороговые характеристики транзистора, что и регистрируется цепями чтения.
Эта конструкция снабжается элементами которые позволяют ей работать в большом массиве таких же ячеек.
Разрез транзистора с плавающим затвором
Программирование флеш-памяти