
- •1 Физико-химические основы материаловедения 5
- •2 Проводниковые материалы 39
- •3 Полупроводниковые материалы 114
- •4 Диэлектрические материалы 136
- •5 Магнитные материалы 188
- •Введение
- •1 Физико-химические основы материаловедения
- •1 .1 Общие сведения о строении вещества
- •1.1.1 Типы химических связей
- •1.1.2 Агрегатные состояния вещества
- •1.1.3 Кристаллическое строение вещества
- •1.1.4 Анизотропия кристаллов. Индексы Миллера
- •1.1.5 Процесс кристаллизации веществ
- •1.1.6 Полиморфизм (аллотропия)
- •1.1.7 Виды дефектов в кристаллах
- •1.1.8 Влияние термической обработки на структуру свойства материалов
- •1.1.9 Влияние пластической деформации на структурные свойства материалов
- •1.2 Основные cbeдения о сплавах
- •1.2.1 Понятие о сплавах
- •1.2.2 Диаграммы состояния двойных сплавов
- •1.2.3 Диаграмма "состав-свойство"
- •1.2.4 Диаграмма состояния сплавов железо-углерод.
- •1.3.Основные свойства и параметры материалов.
- •1.3.1 Механические и технологические свойства материалов и методы их определения
- •1.3.1.1 Определение твердости металлов и сплавов
- •1.3.2 Тепловые характеристики
- •1.3.3 Физико-химические характеристики
- •1.3.4 Электрофизические характеристики
- •1.3.5 Зонная структура твердых тел
- •2 Проводниковые материалы
- •2.1 Классификация проводниковых материалов
- •2.2 Электрические свойства проводниковых материалов
- •2.3 Материалы с высокой проводимостью
- •2.3.1 Медь и ее сплавы
- •2.3.2 Алюминий и его сплавы
- •2.3.3 Натрий
- •2.4 Материалы с высоким сопротивлением
- •2.4.1 Проволочные резистивные материалы
- •2.4.2. Пленочные резистивные материалы
- •2.4.3. Материалы для термопар
- •2.5 Проводниковые материалы и сплавы различного применения
- •2.5.1 Благородные металлы
- •2.5.2 Тугоплавкие металлы
- •2.5.3 Ртуть Hg
- •2.5.4. Легкоплавкие металлы
- •2.6 Сверхпроводники и криопроводники
- •2.6.1 Сверхпроводники
- •2.6.2 Криопроводники
- •2.7 Неметаллические проводниковые материалы
- •2.7.1 Материалы для электроугольных изделий
- •2.7.2 Проводящие и резистивные композиционные материалы
- •2.7.3 Контактолы
- •2.8 Материалы для подвижных контактов
- •2.8.1 Материалы для скользящих контактов
- •2.8.2 Материалы для разрывных контактов
- •2.9 Припои
- •2.10 Металлокерамика
- •2.11 Металлические покрытия
- •2.12 Проводниковые изделия
- •2.14 Порошковые конструкционные материалы
- •2.15 Композиционные конструкционные материалы
- •2.16 Металлы и сплавы для элементов конструкции полупроводниковых приборов и микросхем
- •3 Полупроводниковые материалы
- •3.1 Собственная и примесная электропроводность полупроводников
- •3.2 Примеси в полупроводниках
- •3.3 Основные параметры полупроводников
- •3.3.2 Удельное электрическое сопротивление - параметр, характеризующий способность материала проводить электрический ток:
- •3.3.6. Концентрация носителей заряда.
- •3.4 Влияние различных факторов на электропроводность полупроводников
- •3.4.1 Зависимость электропроводности полупроводников от температуры
- •3.4.2 Зависимость электропроводности полупроводников от внешнего электрического поля.
- •3.4.3 Влияние деформации на проводимость полупроводников
- •3.4.4 Влияние света на проводимость полупроводников
- •3.5 Производство полупроводниковых материалов
- •3.5.1. Выращивание монокристаллов кремния по методу Чохральского
- •3.5.2. Зонная плавка кремния и германия
- •3.6 Свойства полупроводниковых материалов и их применение
- •3.6.1 Классификация полупроводниковых материалов
- •3.6.2 Применение полупроводниковых материалов
- •3.6.3 Германий
- •3.6.4 Кремний
- •3.6.5 Карбид кремния
- •3.6.6. Полупроводниковые соединения aiii bv
- •3.6.7. Соединения aiibvi и другие халькогенидные полупроводники
- •4 Диэлектрические материалы
- •4.1 Общие сведения о диэлектриках
- •4.2 Поляризация диэлектриков
- •4.2.1 Электронная поляризация
- •4.2.2 Ионная поляризация
- •4.2.3 Дипольно-релаксационная поляризация
- •4.2.4 Ионно-релаксационная поляризация
- •4.2.5 Самопроизвольная (спонтанная) поляризация
- •4.3 Классификация диэлектриков по виду поляризации
- •4.4 Диэлектрическая проницаемость
- •4.4.1 Зависимость ε от температуры для полярных диэлектриков
- •4.4.2 Зависимость ε от температуры для неполярных диэлектриков
- •4.4.3 Зависимость ε от влажности
- •4.4.4 Зависимость ε от частоты f
- •4.5 Электропроводность диэлектриков
- •4.6 Диэлектрические потери
- •4.6.1 Виды диэлектрических потерь
- •4.7 Пробой диэлектриков
- •4.7.1 Основные понятия пробоя диэлектрика
- •4.7.2 Виды пробоев в диэлектриках
- •4.8 Физико-химические свойства диэлектриков
- •4.8.1 Теплопроводность
- •4.8.2 Химические свойства диэлектриков
- •4.9 Газообразные диэлектрические материалы
- •4.10 Жидкие диэлектрические материалы
- •4.11 Активные диэлектрики
- •4.11.1 Сегнетоэлектрики
- •4.11.2 Пьезоэлектрики
- •4.11.3 Электреты
- •4.11.4 Диэлектрики для оптической генерации
- •4.11.5 Электрооптические материалы
- •4.11 Твердые органические диэлектрики
- •4.11.1 Основные понятия о высокомолекулярных соединениях (полимерах)
- •4.11.2 Пластмассы
- •4.11.3 Компаунды
- •4.11.4 Лаки
- •4.11.5 Эпоксидные смолы
- •4.11.6 Клеи
- •4.12 Твердые неорганические диэлектрики
- •4.12.1 Неорганические стёкла
- •4.12.1.1 Классификация неорганических стекол
- •4.12.1.2 Кварцевое стекло
- •4.12.2 Ситаллы
- •4.12.3 Керамика, свойства, типы, применение
- •4.13 Диэлектрические материалы в микроэлектронике.
- •5 Магнитные материалы
- •5.1 Природа магнетизма
- •5.2 Основные параметры магнитных веществ
- •5.3 Классификация магнитных материалов
- •5.3.1 Слабомагнитные вещества
- •5.3.2 Сильномагнитные вещества
- •5.4 Магнитомягкие материалы
- •5.4.1 Технически чистое железо (низкоуглеродистая сталь)
- •5.4.2 Пермаллои
- •5.4.3 Аморфные магнитные материалы
- •5.4.4 Магнитодиэлектрики
- •5.4.5 Ферриты
- •5.5 Магнитотвёрдые материалы
- •5.5.1 Литые высококоэрцитивные сплавы
- •5.5.3 Магнитотвердые ферриты
- •5.5.4 Сплавы на основе редкоземельных металлов
- •5.5.5 Другие магнитотвердые металлы
- •5.6 Материалы специального назначения
4.11.5 Электрооптические материалы
Для эффективного использования оптического излучения лазеров и других генераторов света необходимо управлять этим излучением. Для изменения основных параметров излучения (амплитуды, частоты, фазы, вектора поляризации и управления световым лучом) используют специальные устройства – модуляторы [Модуляция (от лат. modulatio – мерность, размерность) – изменение какого-либо параметра периодических колебаний высокой частоты (механических, электрических и т.д.) под воздействием других колебаний существенно более низкой (модулирующей) частоты. Модуляция по виду делится на амплитудную, частотную, фазовую, импульсную, широтную и др.] лазерного излучения, которые изготавливают из материалов, обладающих электрооптическим эффектом.
Электрооптический эффект заключается в изменении показателей преломления диэлектрика под воздействием электрического поля. Зависимость показателей преломления от напряженности электрического поля может быть линейной и квадратичной. Следовательно, электрооптические материалы подразделяются на материалы с линейным электрооптическим эффектом и с квадратичным электрооптическим эффектом.
Для характеристики электрооптического эффекта используют специальный параметр – полуволновое напряжение Uλ/2, представляющий собой прикладываемое напряжение, при котором фаза выходящего из кристалла света изменяется на 180°. Значение Uλ/2 для различных диэлектриков может составлять от единиц до десятков киловольт и зависит от длины волны света. Чем меньше значение Uλ/2, тем проще с помощью этого диэлектрика управлять параметрами светового излучения.
Материалы с линейным электрооптическим эффектом. Линейным электрооптическим эффектом обладают кристаллы, не имеющие центра симметрии.
Кристаллы, используемые в качестве модуляторов лазерного излучения, должны удовлетворять следующим требованиям:
- оптическая однородность, особенно в рабочем диапазоне температур;
- малое полуволновое напряжение Uλ/2;
- хорошие электрические характеристики в рабочем интервале частот и температур;
- устойчивость к действию лазерного излучения и факторов окружающей среды;
- технологичность.
Промышленное применение нашли дигидрофосфат KH2PO4, дидейтерофосфат KD2PO4, ниобат лития LiNbO3, танталат лития LiTaO3. Дигидрофосфат KH2PO4 и дидейтерофосфат KD2PO4 выращивают из растворов и получают мягкие водорастворимые кристаллы больших размеров и высокого оптического качества. Они стойки к лазерному излучению, пропускают и модулируют без повреждения световые потоки плотностью свыше 3 ∙ 1012 Вт/м2. Однако элементы этих кристаллов требуют специальных мер защиты при эксплуатации. Рабочие напряжения модуляторов из KD2PO4 ниже, чем из KH2PO4 , но KD2PO4 дороже.
Выращиваемые из расплавов кристаллы из ниобата лития LiNbO3 и танталата лития LiTaO3 по сравнению с KH2PO4 и KD2PO4 более устойчивы к воздействиям внешней среды при эксплуатации, требуют меньше управляющих напряжений. Однако размеры получаемых кристаллов меньше, и они оптически менее однородны, что ограничивает рабочие апертуры [Действующие отверстия оптического прибора, определяемые размерами линз или диафрагмой (от лат. apertus – открытый)] устройств. Ниобат и танталат лития непрозрачны для ультрафиолетовой области и нестойки к лазерному излучению.
Материалы с квадратичным электрооптическим эффектом. Квадратичным электрооптическим эффектом обладают кристаллы, имеющие центр симметрии, и изотропные среды (например, жидкости). Среди жидкостей с Квадратическим электрооптическим эффектом следует отметить нитробензол, сероуглерод и др.
В качестве электрооптического материала используют оптически прозрачную сегнетокерамику. Обычная керамика непрозрачна. Если для получения керамики использовать горячее прессование, то можно получить плотную, беспористую и прозрачную, как стекло, сегнетокерамику, которая обладает электрооптическими свойствами. Таким способом изготавливают оптически прозрачную сегнетокерамику системы ЦТСЛ
Pb(ZrxTi1-х)O3 + yLa2O3, где x показывает относительное содержание атомов Zr, y – относительное содержание молекул оксида лантана. В зависимости от состава компонентов в системе ЦТСЛ может наблюдаться линейный электрооптический эффект и ярко выраженный квадратичный эффект. Сегнетооптические материалы ЦТСЛ обладают низкой коэрцитивной силой и прямоугольной петлей гистерезиса, поэтому применимы в электрооптических запоминающих устройствах. Если к образцу приложить электрическое поле, происходит изменение показателей преломления, которое сохраняется и после снятия поля благодаря тому, что в образце сохраняется остаточная поляризация.
Материалы с динамическим электрооптическим эффектом рассеяния света. Динамическим эффектом рассеяния света обладают материалы, у которых под воздействием внешнего электрического поля непрерывно хаотично изменяется показатель преломления диэлектрика. Эти материалы составляют особый класс электрооптических материалов, жидкокристаллическое состояние которых было открыто в 1888 г.
Жидкокристаллическое состояние – это термодинамически устойчивое агрегатное состояние, при котором вещество находится в промежуточном состоянии между твердым кристаллом и жидкостью и сохраняет анизотропию физических свойств твердых кристаллов и текучесть жидкостей. Жидкокристаллическое состояние существует лишь в определенном интервале температур между точкой кристаллизации и точкой превращения вещества в изотропную жидкость. При понижении температуры жидкий кристалл переходит в твердое состояние, а при повышении – превращается в изотропную жидкость.
Жидкие кристаллы образуются органическими соединениями, молекулы которых обычно имеют удлиненную палочкообразную форму. По структуре жидкие кристаллы подразделяются на нематические, смектические и холестерические.
Рисунок 4.6 – Структуры жидких кристаллов:
а – нематических; б – смектических; в – холестерических.
Нематические жидкие кристаллы получили название от слова «немос», что в переводе с греческого означает нить (рисунок 4.6, а). Они обладают следующими свойствами:
удлиненные молекулы имеют сильно вытянутую нитевидную конфигурацию;
в равновесном состоянии молекулы ориентируются преимущественно вдоль оптической оси кристалла;
межмолекулярные силы взаимодействия очень слабы, что позволяет легко изменять структуру жидкого кристалла, ориентируя молекулы под влиянием внешних воздействий (температуры, электрического и магнитного поля, давления и т.д.);
оптическая и электрическая анизотропия, т.е. значения показателя преломления, диэлектрической и магнитной проницаемости, удельного сопротивления, вязкость и другие параметры в направлении вдоль больших осей молекулы и перпендикулярно ему различны.
Рисунок 4.7 – Индикатор на жидких кристаллах:
1 – стеклянные пластины; 2 – жидкий кристалл; 3 – прозрачный электрод; 4 – зеркальный электрод.
Под действием слабого электрического поля оси молекул с высокой диэлектрической проницаемостью ε ориентируются параллельно полю. При достижении напряжением электрического поля некоторого порогового значения устойчивая доменная структура разрушается и возникает ячеистая. Появляется гидродинамическое течение. При дальнейшем повышении напряжения течение в жидкости становится турбулентным [(от лат. turbulentus - беспорядочный) течение жидкости или газа, при котором происходит сильное перемещение движущейся жидкости (в отличие от ламинарного течения)], а вещество оптически неоднородным. Прозрачный в исходном состоянии жидкий кристалл в таком неупорядоченном состоянии становится мутным, как матовое стекло, и рассеивает свет во всех направлениях. После снятия электрического поля эффект динамического рассеяния исчезает. Поле может быть постоянным и переменным с низкой частотой (до 102÷104 Гц в зависимости от материала). Время, за которое устанавливается состояние динамического рассеяния, составляет 1÷10 мс, а время, за которое оно исчезает после снятия электрического поля – 20÷200 мс. Время установления и исчезновения состояния динамического рассеяния характеризует быстродействие жидкокристаллических материалов. У индивидуальных жидкокристаллических соединений быстродействие выше, чем у смесей. Оно повышается с увеличением напряжения электрического поля.
Способность жидких кристаллов изменять интенсивность проходящего через них света под действием электрического поля используют в устройствах оптической обработки информации, устройствах отображения информации, например в малогабаритных устройствах с питанием от батареек – наручных часах, микрокалькуляторах др.
Жидкокристаллическая ячейка для построения буквенно-цифрового индикатора [(от лат. indicator - указатель) Прибор, устройство, элемент, отображающий ход процесса или состояние объекта наблюдений, его качественные или количественные характеристики (например, время, расход жидкости, расстояние и др.)], в которой используют эффект динамического рассеяния, состоит из двух стеклянных пластинок. На внутреннюю поверхность одной из пластинок наносят тонкий прозрачный слой электрода, а на внутреннюю поверхность другой пластины – тонкий слой зеркального электрода. Промежуток между стеклами, который составляет примерно 5÷50 мкм, заполняют жидким кристаллом, а по периметру герметизируют. При подаче порогового напряжения (обычно 8÷50 В) молекулы жидкости в пространстве между электродами начинают вращаться и рассеивать падающий свет. Через прозрачный электрод виден яркий рисунок, нанесенный в виде букв, цифр или других знаков (рисунок 4.7).
Жидкие кристаллы имеют довольно высокое удельное электрическое сопротивление, поэтому потребляемая ячейкой мощность не превышает 1 Вт/м2, газоразрядный и люминофорный индикаторы потребляют 103 Вт/м2, светодиоды – 105 Вт/м2.
Жидкокристаллические индикаторы не только самые простые и дешевые, но и самые экономичные. В качестве нематических жидких кристаллов используют органические соединения азометины, сложные ароматические эфиры, а также их эвтектические [Эвтектика (от греч. eutektos – легко плавящийся) – тонкая смесь твердых веществ, одновременно выкристаллизовывающихся из расплава при температуре более низкой, чем температура плавления отдельных компонентов.] смеси.
Смектические жидкие кристаллы получили свое название от слова «смектос», что в переводе с греческого означает мыло.
В смектических жидких кристаллах параллельно ориентированные молекулы упакованы в слои (рисунок 4.6, б), поэтому имеют большую степень упорядоченности. Слоистая упаковка молекул создает анизотропию не только оптических, но и механических свойств, так как слои легко смещаются относительно друг друга. Некоторые жидкие кристаллы могут находиться в нематической и смектической фазах. При этом смектическая фаза расположена по температуре ближе к твердой фазе, чем нематическая. Например n-гептилоксибензойная кислота до температуры 92°С представляет собой твердый кристалл, в интервале температур 92÷98°С она существует как смектический жидкий кристалл, в интервале температур 98÷146°С – как нематический жидкий кристалл, а при температуре выше 146°С переходит в изотропную жидкость.
Холестерические жидкие кристаллы получили свое название от слова «холестерин», что в переводе с греческого означает желчь.
В холестерических жидких кристаллах пластинчатые молекулы также укладываются в слои, но они выстраиваются по пространственной спирали, поэтому их ориентировка плавно меняется от слоя к слою (рисунок 4.6, в).
Используют изменение оптических свойств холестерических жидких кристаллов при тепловом воздействии. К ним относятся в основном соединения холестеринов, т.е. полициклических спиртов растительного и животного происхождения из группы стеринов [(от греч. stereos – твердый) Органические вещества, содержащиеся в большинстве растений и животных в свободном виде (эргостерин, холестерин) либо в виде сложных эфиров с жирными кислотами].