
- •1 Физико-химические основы материаловедения 5
- •2 Проводниковые материалы 39
- •3 Полупроводниковые материалы 114
- •4 Диэлектрические материалы 136
- •5 Магнитные материалы 188
- •Введение
- •1 Физико-химические основы материаловедения
- •1 .1 Общие сведения о строении вещества
- •1.1.1 Типы химических связей
- •1.1.2 Агрегатные состояния вещества
- •1.1.3 Кристаллическое строение вещества
- •1.1.4 Анизотропия кристаллов. Индексы Миллера
- •1.1.5 Процесс кристаллизации веществ
- •1.1.6 Полиморфизм (аллотропия)
- •1.1.7 Виды дефектов в кристаллах
- •1.1.8 Влияние термической обработки на структуру свойства материалов
- •1.1.9 Влияние пластической деформации на структурные свойства материалов
- •1.2 Основные cbeдения о сплавах
- •1.2.1 Понятие о сплавах
- •1.2.2 Диаграммы состояния двойных сплавов
- •1.2.3 Диаграмма "состав-свойство"
- •1.2.4 Диаграмма состояния сплавов железо-углерод.
- •1.3.Основные свойства и параметры материалов.
- •1.3.1 Механические и технологические свойства материалов и методы их определения
- •1.3.1.1 Определение твердости металлов и сплавов
- •1.3.2 Тепловые характеристики
- •1.3.3 Физико-химические характеристики
- •1.3.4 Электрофизические характеристики
- •1.3.5 Зонная структура твердых тел
- •2 Проводниковые материалы
- •2.1 Классификация проводниковых материалов
- •2.2 Электрические свойства проводниковых материалов
- •2.3 Материалы с высокой проводимостью
- •2.3.1 Медь и ее сплавы
- •2.3.2 Алюминий и его сплавы
- •2.3.3 Натрий
- •2.4 Материалы с высоким сопротивлением
- •2.4.1 Проволочные резистивные материалы
- •2.4.2. Пленочные резистивные материалы
- •2.4.3. Материалы для термопар
- •2.5 Проводниковые материалы и сплавы различного применения
- •2.5.1 Благородные металлы
- •2.5.2 Тугоплавкие металлы
- •2.5.3 Ртуть Hg
- •2.5.4. Легкоплавкие металлы
- •2.6 Сверхпроводники и криопроводники
- •2.6.1 Сверхпроводники
- •2.6.2 Криопроводники
- •2.7 Неметаллические проводниковые материалы
- •2.7.1 Материалы для электроугольных изделий
- •2.7.2 Проводящие и резистивные композиционные материалы
- •2.7.3 Контактолы
- •2.8 Материалы для подвижных контактов
- •2.8.1 Материалы для скользящих контактов
- •2.8.2 Материалы для разрывных контактов
- •2.9 Припои
- •2.10 Металлокерамика
- •2.11 Металлические покрытия
- •2.12 Проводниковые изделия
- •2.14 Порошковые конструкционные материалы
- •2.15 Композиционные конструкционные материалы
- •2.16 Металлы и сплавы для элементов конструкции полупроводниковых приборов и микросхем
- •3 Полупроводниковые материалы
- •3.1 Собственная и примесная электропроводность полупроводников
- •3.2 Примеси в полупроводниках
- •3.3 Основные параметры полупроводников
- •3.3.2 Удельное электрическое сопротивление - параметр, характеризующий способность материала проводить электрический ток:
- •3.3.6. Концентрация носителей заряда.
- •3.4 Влияние различных факторов на электропроводность полупроводников
- •3.4.1 Зависимость электропроводности полупроводников от температуры
- •3.4.2 Зависимость электропроводности полупроводников от внешнего электрического поля.
- •3.4.3 Влияние деформации на проводимость полупроводников
- •3.4.4 Влияние света на проводимость полупроводников
- •3.5 Производство полупроводниковых материалов
- •3.5.1. Выращивание монокристаллов кремния по методу Чохральского
- •3.5.2. Зонная плавка кремния и германия
- •3.6 Свойства полупроводниковых материалов и их применение
- •3.6.1 Классификация полупроводниковых материалов
- •3.6.2 Применение полупроводниковых материалов
- •3.6.3 Германий
- •3.6.4 Кремний
- •3.6.5 Карбид кремния
- •3.6.6. Полупроводниковые соединения aiii bv
- •3.6.7. Соединения aiibvi и другие халькогенидные полупроводники
- •4 Диэлектрические материалы
- •4.1 Общие сведения о диэлектриках
- •4.2 Поляризация диэлектриков
- •4.2.1 Электронная поляризация
- •4.2.2 Ионная поляризация
- •4.2.3 Дипольно-релаксационная поляризация
- •4.2.4 Ионно-релаксационная поляризация
- •4.2.5 Самопроизвольная (спонтанная) поляризация
- •4.3 Классификация диэлектриков по виду поляризации
- •4.4 Диэлектрическая проницаемость
- •4.4.1 Зависимость ε от температуры для полярных диэлектриков
- •4.4.2 Зависимость ε от температуры для неполярных диэлектриков
- •4.4.3 Зависимость ε от влажности
- •4.4.4 Зависимость ε от частоты f
- •4.5 Электропроводность диэлектриков
- •4.6 Диэлектрические потери
- •4.6.1 Виды диэлектрических потерь
- •4.7 Пробой диэлектриков
- •4.7.1 Основные понятия пробоя диэлектрика
- •4.7.2 Виды пробоев в диэлектриках
- •4.8 Физико-химические свойства диэлектриков
- •4.8.1 Теплопроводность
- •4.8.2 Химические свойства диэлектриков
- •4.9 Газообразные диэлектрические материалы
- •4.10 Жидкие диэлектрические материалы
- •4.11 Активные диэлектрики
- •4.11.1 Сегнетоэлектрики
- •4.11.2 Пьезоэлектрики
- •4.11.3 Электреты
- •4.11.4 Диэлектрики для оптической генерации
- •4.11.5 Электрооптические материалы
- •4.11 Твердые органические диэлектрики
- •4.11.1 Основные понятия о высокомолекулярных соединениях (полимерах)
- •4.11.2 Пластмассы
- •4.11.3 Компаунды
- •4.11.4 Лаки
- •4.11.5 Эпоксидные смолы
- •4.11.6 Клеи
- •4.12 Твердые неорганические диэлектрики
- •4.12.1 Неорганические стёкла
- •4.12.1.1 Классификация неорганических стекол
- •4.12.1.2 Кварцевое стекло
- •4.12.2 Ситаллы
- •4.12.3 Керамика, свойства, типы, применение
- •4.13 Диэлектрические материалы в микроэлектронике.
- •5 Магнитные материалы
- •5.1 Природа магнетизма
- •5.2 Основные параметры магнитных веществ
- •5.3 Классификация магнитных материалов
- •5.3.1 Слабомагнитные вещества
- •5.3.2 Сильномагнитные вещества
- •5.4 Магнитомягкие материалы
- •5.4.1 Технически чистое железо (низкоуглеродистая сталь)
- •5.4.2 Пермаллои
- •5.4.3 Аморфные магнитные материалы
- •5.4.4 Магнитодиэлектрики
- •5.4.5 Ферриты
- •5.5 Магнитотвёрдые материалы
- •5.5.1 Литые высококоэрцитивные сплавы
- •5.5.3 Магнитотвердые ферриты
- •5.5.4 Сплавы на основе редкоземельных металлов
- •5.5.5 Другие магнитотвердые металлы
- •5.6 Материалы специального назначения
1.1.5 Процесс кристаллизации веществ
Все кристаллические вещества при нагреве сохраняют твердое состояние до определённой температуры. Чем выше температура вещества, тем больше амплитуда колебаний атомов, находящихся в узлах кристаллической решетки. При достижении, некоторой критической температуры амплитуда колебаний атомов увеличивается Настолько, что происходит разрушение кристаллической решетки, в результате чего вещество из твердого состояния переходит в жидкое. Температура, при которой вещество переходит из твердого в жидкое состояние, называется температурой плавления.
Обратный переход кристаллических веществ из жидкого состояния в твердое происходит при определённой температуре, называемой температурой кристаллизации, а сам процесс образования кристаллов из жидкости называют кристаллизацией.
Рисунок 1.7- Кривые нагревания и охлаждения кристаллического и аморфного вещества
Пока вещество находится в жидком состоянии, температура понижается равномерно до точки А рисунок 1.7(а). Чтобы вызвать кристаллизацию, вещество надо охладить до температуры переохлаждения Тпр , т.е. его температура додана быть несколько ниже температуры плавления Тпл. Разницу температур Тпл-Тпр называют степенью переохлаждения Δ Т.
При температуре Тпр в расплаве образуется центры кристаллизации, число которых увеличивается по мере отвода тепла. При этом ранее возникшие кристаллы увеличиваются за счет присоединения новых атомов расплава. До тех пор, пока вся жидкость не затвердеет (в точке В), температура расплава остаётся постоянной, так как процесс кристаллизации сопровождается выделением теплоты. После затвердевания расплава температура снова равномерно понижается.
Если скорость охлаждения расплава большая, то образуется большое число центров кристаллизации, а размеры кристаллов будут малы. Следовательно, при быстром охлаждении вещество будет иметь мелкозернистую кристаллическую структуру.
Таким образом, управляя скоростью охлаждения вещества, можно получить вещества с различной кристаллической структурой, а следовательно, и с различными свойствами. Это явление лежит в основе термической обработки материалов.
При получении монокристаллических тел для создания единственного центра кристаллизации в расплав искусственно вводят маленький кусочек монокристаллического вещества, называемый затравкой. При медленном охлаждении вещество, кристаллизуясь, продолжает кристаллическую структуру затравки.
Кривая охлаждения аморфного вещества (рисунок 1.7 б) в отличие от кривой охлаждения кристаллического вещества на воем протяжении идёт плавно, что указывает на постепенное его отвердевание.
1.1.6 Полиморфизм (аллотропия)
Многие вещества в зависимости от условий кристаллизации могут иметь различные кристаллические решетки при неизменном химическом составе. Способность вещества перестраивать свою кристаллическую решетку называют полиморфизмом или аллотропией .
Рисунок 1.8 - Кривая охлаждения железа.
Такая перестройка происходит главным образом под влиянием температуры, хотя не исключено влияние и других факторов – давления, наличия примесей. Вещества с постоянным химическим составом, но имеющие различные кристаллические решётки, называют аллотропическими модификациями и обозначают их греческими буквами в алфавитном порядке по мере возрастании температуры.
Аллотропические модификации имеют кобальт, железо (рисунок 1.8), олово, титан, селен, фосфор, углерод и другие вещества. Полиморфизм широко используется при получении материалов с различными свойствами, например, из графита получают искусственные алмазы.