
- •Информатика
- •1. Охарактеризовать десятичную и двоичную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Охарактеризовать двоичную и шестнадцатеричную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Дать понятие прямого, обратного и дополнительного кода в двоичной системе счисления. Сложение и вычитание целых чисел в двоичной системе счисления.
- •Охарактеризовать основные логические операции: and, or, not, xor. Привести таблицы истинности для этих операций.
- •Структура компьютера. Основные компоненты компьютера и их краткая характеристика. Состав центрального процессора.
- •Перечислить поколения эвм и охарактеризовать их с точки зрения элементной базы.
- •Перечислить основные внешние устройства современного компьютера. Указать типы мониторов и принтеров. Дать их краткую характеристику.
- •Указать состав программного обеспечение современного компьютера. Дать понятие об операционной системе, о трансляторе и прикладной программе.
- •Охарактеризовать файловую систему современного компьютера. Дать понятие файла, каталога. Перечислить основные типы файлов.
- •Перечислить этапы решения задачи на компьютере. Дать понятие алгоритма. Свойства алгоритма. Способы записи алгоритма.
- •Охарактеризовать язык блок-схем – как способ записи алгоритма. Перечислить основные типы блоков. Перечислите основные типы алгоритмов и способы их записи на языке блок-схем.
- •Охарактеризовать структуру центрального процессора компьютера. Перечислить типы памяти компьютера. Дать их краткую характеристику.
- •Охарактеризовать оперативную память компьютера. Дать понятие бита, байта, слова, двойного слова. Понятие адреса байта и слова.
- •Дать понятие о языке Ассемблера. Этапы разработки программы на Ассемблере.
- •Команда пересылки, арифметические команды и директивы определения данных на Ассемблере.
- •Безусловный переход, команда сравнения и условного перехода и команда управления циклом на Ассемблере.
- •Электротехника
- •1. Элементы электрической цепи – резистор, конденсатор, катушка индуктивности (уго, единицы измерения, комплексное и операторное сопротивление).
- •Электрические цепи, определения (электрический ток, напряжение).
- •Магнитные цепи, определения (векторные и скалярные магнитные величины, характеристики ферромагнитных материалов).
- •Закон Ома для электрических цепей постоянного и переменного тока, аналогия закона Ома для магнитных цепей.
- •Топология электрических цепей. Узел, ветвь, контур. Законы Кирхгофа.
- •Суть метода наложения (суперпозиции) для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть метода контурных токов для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть символического метода при расчете линейных цепей гармонического тока.
- •9. Нахождение эквивалентной вольтамперной характеристики для последовательного и параллельного соединения нелинейных резистивных элементов.
- •Электрический трансформатор, назначение, конструктивное выполнение, основные соотношения.
- •Машины постоянной тока. Принцип работы, основные характеристики.
- •Асинхронные и синхронные машины. Принципы работы, основные характеристики.
- •Контактные явления в полупроводниках. Вольтамперная характеристика в прямой и обратной областях для кремневого и германиевого перехода.
- •Полупроводниковые диоды. Типы, вольтамперные характеристики специальных диодов – стабилитрона, туннельного диода, варикапа, диода Шоттки.
- •Основные параметры биполярного транзистора (входное сопротивление, коэффициент передачи тока, выходное сопротивление, обратный ток коллектора) для схемы включения с общим эмиттером.
- •Основные этапы микроэлектронных технологий биполярного и полевого транзисторов, диодов, резисторов.
- •Полупроводниковые лазеры. Принцип работы, применения.
- •18. Термисторы, варисторы, принцип работы, характеристики, параметры, применения.
- •Приемники излучения – фотодиоды, принцип работы, режимы работы, применения
- •Переходные процессы в линейной rc-цепи.
- •Для нахождения свободной составляющей отклика составим характеристическое уравнение:
- •Определим общий вид отклика:
- •1. Классификация электронных средств (эс).
- •Дайте характеристику основным понятиям разработки эс (тз, эскизное проектирование и т.Д.).
- •Единая система конструкторской документации (ескд). Классификация госТов в ескд, осТов, стп?
- •Что такое конструирование и проектирование? Дать характеристику основным этапам конструирования и проектирования.
- •Особенности конструкторского проектирования эс в зависимости от «уровня» конструкции. Дать краткую характеристику.
- •Какая конструкция является оптимальной? Назовите методы оптимизации.
- •Назовите методы конструкторского проектирования эс и раскройте содержание этих методов.
- •Компоновка эс. Приемы выполнения компоновочных работ и способы размещения узлов эс.
- •Назовите и дайте характеристику аналитическому и схемным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Перечислите и дайте характеристику конструктивным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс: разводка питания, заземление. Разводка питания.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс. Применение экранов в эс. Электростатическое экранирование. Магнитостатическое экранирование. Электромагнитное экранирование.
- •Указать последовательность проектирования модулей второго уровня (тэЗы, ячейки и др.).
- •Защита модулей второго уровня от климатических и механических воздействий.
- •Защита модулей второго уровня от тепловых воздействий (конвекция, теплопроводность, излучение).
- •Указать конструктивные особенности выполнения модулей третьего и четвертого уровней для эс различного назначения. Л. 2, с. 51-64.
- •Дайте полную характеристику сигнальной связи в виде «длинной» линии.
- •2. Рассогласование волнового сопротивления с входным и
- •Защита эс от климатических и механических воздействий.
- •Назовите основные формы пультов управления эвм, требования к расположению органов управления и индикации, надписям.
- •1. Какие сочетания технологических слоев (имплантированных, диффузионных, эпитаксиальных) и почему рациональны к применению в конструкциях изолированных бпт?
- •Почему структура бпт является базовой для исполнения конструкций иных элементов цифровых микросхем?
- •По каким ограничениям выбираются форма и определяются размеры эмиттерных областей биполярных транзисторов микросхем?
- •На каком этапе проектирования обеспечивается учет требований по рабочим напряжениям элементов интегральных микросхем?
- •Какое влияние на коэффициент передачи тока биполярных транзисторов микросхем оказывает топологическая форма эмиттера?
- •Назовите пять групп функциональных параметров биполярных транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование структуры и топологии.
- •Перечислите направления сокращения потерь «пассивной» площади кристалла в проектировании конструкции микросхем на биполярных транзисторах.
- •Назовите четыре группы функциональных параметров диодов интегральных микросхем определяющих выбор их структур, топологических форм и размеров?
- •Назовите варианты топологических форм и состав функциональных параметров резисторов полупроводниковых микросхем, определяющих выбор их структур, топологических форм, расчёт размеров?
- •Назовите пять групп функциональных параметров мдп-транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование их структуры и топологии?
- •Назовите характерные отличия конструкций и функциональных параметров диодов с барьером Шоттки интегральных микросхем в сравнении с диодами на основе p-n-перехода?
- •Какими и почему должны быть пропорции измерений топологических форм канала мдп-транзисторов цифрового вентиля с одним типом канала?
- •Какими и почему могут быть пропорции измерений топологических форм каналов мдп-транзисторов цифрового вентиля на комплементарных парах?
- •Какие особые требования предъявляются к выбору топологических форм и размеров элементов гис, функционирующих при длинах волн, сравнимых с размерами элементов имс?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры резисторов гибридных микросхем?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры конденсаторов и катушек индуктивности гис?
- •Какие показатели конструкций корпусов, как средств защиты и электромонтажа кристаллов и плат интегральных микросхем нормируются стандартами?
- •Перечислите и приведите комментарий к типовым вариантам конструкций компонентов гис по форме и способам электромонтажа.
- •Объясните факт повышения удельной мощности тепловыделения в конструкциях бис с повышением степени интеграции.
- •Пц и пуэвс
- •1. Какие подсистемы соответствуют структуре аппаратных средств автономных и связанных эвм?
- •Какие технические параметры эвм являются базовыми?
- •Какие отличительные черты характерны для микроконтроллеров в сравнении с микроЭвм.
- •Какие режимы применяются в организации взаимодействия процессора(микропроцессора) с устройствами окружения?
- •5. Какие данные необходимы и достаточны для чтения из оперативного запоминающего устройства (озу) эвм?
- •8. По каким обобщенным критериям классифицируются команды в системах команд мп и микропроцессорных систем?
- •9. Какой критерий (признак отбора) положен в основу деления языков программирования на «низкоуровневые» и «высокоуровневые»?
- •Какие микрооперации модифицируют содержимое счетчика команд центрального процессорного устройства эвм?
- •13. Как единообразно центральное процессорное устройство эвм начинает обмен данными с периферийным устройством ? (сверится с книгой)
- •14. Каков протокол записи данных, передаваемых центральным процессорным устройством эвм для периферийного устройства ?
- •Каков протокол чтения данных из периферийного устройства эвм в центральное устройство эвм?
- •Где могут быть размещены три слова команды в центральном процессорном устройстве управляющей микроЭвм (в терминах рабочих регистров регистрового алу)?
- •По какой причине в формате команды (первое слово) используют методы адресации источника и/или приемника данных в учебной управляющей микроЭвм?
- •Какие методы адресации источника или приемника данных вам известны (для учебной управляющей микроЭвм)?
- •Какие ресурсы эвс объединяются понятием «интерфейс ввода/вывода»? Назовите четыре уровня интерфейсов по функциональному назначению в составе эвм.
- •На какие группы разделяются периферийные устройства по назначению?
Указать конструктивные особенности выполнения модулей третьего и четвертого уровней для эс различного назначения. Л. 2, с. 51-64.
Модули 3-го уровня:
Панель;
Блок;
Субблок;
Комплектный корпус.
Модуль 4-го уровня - стойка (шкаф).
Панель является промежуточным элементом конструкции между ячейкой и шкафом, панель может быть выполнена как в виде автономного самостоятельно изготовляемого узла, так и в виде нераздельной части шкафа.
Конструктивные части панели: основание, каркас, направляющие ячеек, ответные части разъемов ячеек, элементы коммутации панели, элементы фиксации ячеек, элементы крепления панели в шкафе.
Блок, как и панель, предназначен для электрического и механического объединения ячеек, но отличается от нее тем, что является разъемным конструктивно законченным узлом ЭВМ. Блочный принцип построения применяют главным образом для небольших машин.
В состав конструкции блока входят каркас, ответные части разъемов ячеек, элементы коммутации (разъемы), направляющие и устройство крепления в стойке ЭВМ.
Субблок, как и блок, является разъемным конструктивным узлом ЭВМ. Особенность субблока - плоская компоновка: длина и ширина намного превышают его высоту. Субблок предназначен для электрического и механического объединения модулей и состоит из следующих основных частей: металлической рамы, печатного основания, на котором установлены штыревые колодки или отверстия, разъемов, контрольных гнезд, фиксирующего устройства и направляющих.
Комплектный корпус. Размеры комплектного корпуса определяют длиной L и высотой Н передней панели или передней части корпуса с учетом или без учета фланцев (угольников) для крепления в комплексном корпусе. Размер В устанавливает ширину корпуса от опорной поверхности передней панели (или фланцев) до задней кромки корпуса, без учета выступающих частей соединителей. Наиболее критичными размерами для компоновки являются длина L и высота Н.
Стойка (шкаф) также должна быть типовым конструктивным элементом электронного средства вне зависимости от функционального назначения содержащихся в ней элементов, узлов и устройств. Основные конструктивные элементы шкафа: рама, боковые стенки, дверцы с передней и задней сторон, регулируемые по высоте опоры, механический замок с электрофиксатором, электроблокировка, вентиляторы и система вентиляционных отверстий, блоки питания, местный пульт управления, элементы электрического соединения шкафов между собой.
Дайте полную характеристику сигнальной связи в виде «длинной» линии.
Электрически “длинная” линия связи характеризуется временем распространения сигнала, много большим фронта импульса. В этой линии сигнал, отраженный от ее конца, приходит к ее началу после окончания фронта импульса и искажает его форму. Это линии с распределенными параметрами. Соединения внутри субблоков, блоков, панелей, внутристоечные и межстоечные в основном электрически “длинные”.
(Далее идет теория, для понимания.)
Э
лектрически
«длинную» линию связи при расчетах схем
рассматривают как однородную линию с
распределенной емкостью С0
и индуктивностью L0.
Переходные процессы в
таких линиях зависят от характера
перепада напряжения uвх
на входе линии и
соотношения волнового сопротивления
линии z0
(
),
выходного сопротивления zг
генератора импульсов и входного
сопротивления zн,
нагруженного на конец линии элемента
(рисунок 11.1, а).
Из электротехники известно, что если линия с волновым сопротивлением z0 нагружена на сопротивление zн, то коэффициент отражения Ku(p), определяемый как отношение изображения (по Лапласу) напряжения отраженной волны к изображению напряжения падающей волны, определяется соотношением
Ku(p) = uотр(p)/ uвх(p) = (zн – z0)/ (zн + z0). (11.1)
Если zн = z0, то Ku(p) =0, и такую линию называют согласованной – в ней не происходит отражений от сопротивления нагрузки.
Е
сли
zн ≠
z0, то
Ku(p)
≠ 0, и
такую линию называют несогласованной:
волна напряжения,
достигнув конца линии, отражается
синфазно (в случае Ku(p)
> 0) или в противофазе
(в случае Ku(p)
< 0). Отраженная от
конца линии волна напряжения, достигнув
ее начала, или затухает, если zг
= z0,
или вновь отражается,
если zг
≠ z0.
На рисунке 11.1, б
схематически представлен
процесс прохождения волны напряжения
в линии, для которой z0
≠ zг
и zн
≠ z0.
Пусть
генератор выдает напряжение u(t).
На входе линии связи
это напряжение преобразуется в напряжение
uвх(t)
в соответствии с формулой
uвх(t) = [z0/(z0 + zг)] u(t).
В
свою очередь, это напряжение, пройдя по
линии связи со скоростью
,
через время
, достигнет конца линии и отразится от
него с коэффициентом отражения
Ku1 = (zн – z0)/( zн + z0).
Отраженная волна через время Т, дойдя до начала линии, отразится от него с коэффициентом отражения Ku2 = (zг – z0)/( zг + z0).
Процесс поочередного отражения волны напряжения от обоих концов линии связи продолжается до тех
пор, пока амплитуда отраженной волны не уменьшится до нуля. Отраженные волны напряжения накладываются на падающие, и в итоге форма входного напряжения может существенно исказиться.
Аналогичные рассуждения можно привести для волны тока, учитывая, что коэффициент отражения волны тока
Ki(p) = ( z0 – zн)/( z0 + zн),
т.е. Ki(p) = –Ku(p), а это означает, что волна тока отражается в противофазе с волной напряжения.
Если zН активно, то (zн – z0)/( zн + z0) не зависит от р и Ku(p) =– Ki(p)= Kотр определяет не только отношение изображений, но и оригиналов отраженной и падающей волн напряжения и тока.
При этом форма отраженной волны подобна форме волны падающей, а ее величина и знак определяются Kотр. Отражения волн напряжения и тока могут быть не только от несогласованных нагрузок на концах линий, но и от различных неоднородностей в ней самой. Представленная на рисунке 11.2 линия на участке А имеет волновое сопротивление z01, а на участке В – волновое сопротивление z02. Волна напряжения (тока), достигнув границы раздела, при дальнейшем продвижении вдоль линии изменит свое значение на Kuu1(Kii1), где
Ku = –Ki =( z02 – z01)/( z02 + z01).
Это является следствием отражения от границы раздела двух участков линии с различными значениями волнового сопротивления.
Для анализа переходных процессов в электрически «длинной» линии связи необходимо знать ее волновое сопротивление Z0.
z0
= (60/
)Arch(h/r)
= (60/
)ln(h
+
)
/ r.
Отражения в «длинной» линии связи при различных нагрузках
К
линии связи могут быть подключены один
или несколько нагрузочных элементов,
реакцию каждого из которых на подаваемое
в линию напряжение определяют характером
и значением его входного сопротивления.
В общем виде входное сопротивление
нагрузки можно представить в виде
эквивалентной схемы, изображенной на
рисунке 11.3.
Эта
RC-цепъ
(рисунок 11.3) адекватна большинству
нагрузочных схем, используемых в цифровых
системах, и позволяет получать чисто
резистивную (R2
= ∞) и
чисто емкостную (R1
= ∞,R2=
0 и R3
= ∞)
нагрузки на линию.
1. Нагрузка чисто резистивная (R2 = ∞, zн = R3). В этом случае возможны три варианта: z0 = R3, z0 < R3 и z0 > R3. В соответствии с (11.1) коэффициенты отражения по напряжению для каждого из вариантов равны: Ku1 = 0, Ku2 > 0, Ku3 < 0.
Если на вход линии подается ступенька напряжения амплитудой U (рисунок 11.4, а), то при z0 = R3 отражения от конца линии не произойдет и форма сигнала на входе линии (в точке А на рисунке 11.1, а) не изменится. При z0 ≠ R3 отраженная волна через время 2T достигнет точки А и форма сигнала исказится (рисунок 11.4, а).
При подаче на вход линии напряжения с линейно изменяющимся фронтом происходит искажение входного сигнала так, как представлено на рисунке 4.4, б (при 2Т> τф) и на рисунке 11.4, в
(при 2Т< τф).
В случае подачи на вход линии напряжения с экспоненциально нарастающим фронтом форма его искажается так, как показано на рисунке 11.4, г.