- •Информатика
- •1. Охарактеризовать десятичную и двоичную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Охарактеризовать двоичную и шестнадцатеричную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Дать понятие прямого, обратного и дополнительного кода в двоичной системе счисления. Сложение и вычитание целых чисел в двоичной системе счисления.
- •Охарактеризовать основные логические операции: and, or, not, xor. Привести таблицы истинности для этих операций.
- •Структура компьютера. Основные компоненты компьютера и их краткая характеристика. Состав центрального процессора.
- •Перечислить поколения эвм и охарактеризовать их с точки зрения элементной базы.
- •Перечислить основные внешние устройства современного компьютера. Указать типы мониторов и принтеров. Дать их краткую характеристику.
- •Указать состав программного обеспечение современного компьютера. Дать понятие об операционной системе, о трансляторе и прикладной программе.
- •Охарактеризовать файловую систему современного компьютера. Дать понятие файла, каталога. Перечислить основные типы файлов.
- •Перечислить этапы решения задачи на компьютере. Дать понятие алгоритма. Свойства алгоритма. Способы записи алгоритма.
- •Охарактеризовать язык блок-схем – как способ записи алгоритма. Перечислить основные типы блоков. Перечислите основные типы алгоритмов и способы их записи на языке блок-схем.
- •Охарактеризовать структуру центрального процессора компьютера. Перечислить типы памяти компьютера. Дать их краткую характеристику.
- •Охарактеризовать оперативную память компьютера. Дать понятие бита, байта, слова, двойного слова. Понятие адреса байта и слова.
- •Дать понятие о языке Ассемблера. Этапы разработки программы на Ассемблере.
- •Команда пересылки, арифметические команды и директивы определения данных на Ассемблере.
- •Безусловный переход, команда сравнения и условного перехода и команда управления циклом на Ассемблере.
- •Электротехника
- •1. Элементы электрической цепи – резистор, конденсатор, катушка индуктивности (уго, единицы измерения, комплексное и операторное сопротивление).
- •Электрические цепи, определения (электрический ток, напряжение).
- •Магнитные цепи, определения (векторные и скалярные магнитные величины, характеристики ферромагнитных материалов).
- •Закон Ома для электрических цепей постоянного и переменного тока, аналогия закона Ома для магнитных цепей.
- •Топология электрических цепей. Узел, ветвь, контур. Законы Кирхгофа.
- •Суть метода наложения (суперпозиции) для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть метода контурных токов для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть символического метода при расчете линейных цепей гармонического тока.
- •9. Нахождение эквивалентной вольтамперной характеристики для последовательного и параллельного соединения нелинейных резистивных элементов.
- •Электрический трансформатор, назначение, конструктивное выполнение, основные соотношения.
- •Машины постоянной тока. Принцип работы, основные характеристики.
- •Асинхронные и синхронные машины. Принципы работы, основные характеристики.
- •Контактные явления в полупроводниках. Вольтамперная характеристика в прямой и обратной областях для кремневого и германиевого перехода.
- •Полупроводниковые диоды. Типы, вольтамперные характеристики специальных диодов – стабилитрона, туннельного диода, варикапа, диода Шоттки.
- •Основные параметры биполярного транзистора (входное сопротивление, коэффициент передачи тока, выходное сопротивление, обратный ток коллектора) для схемы включения с общим эмиттером.
- •Основные этапы микроэлектронных технологий биполярного и полевого транзисторов, диодов, резисторов.
- •Полупроводниковые лазеры. Принцип работы, применения.
- •18. Термисторы, варисторы, принцип работы, характеристики, параметры, применения.
- •Приемники излучения – фотодиоды, принцип работы, режимы работы, применения
- •Переходные процессы в линейной rc-цепи.
- •Для нахождения свободной составляющей отклика составим характеристическое уравнение:
- •Определим общий вид отклика:
- •1. Классификация электронных средств (эс).
- •Дайте характеристику основным понятиям разработки эс (тз, эскизное проектирование и т.Д.).
- •Единая система конструкторской документации (ескд). Классификация госТов в ескд, осТов, стп?
- •Что такое конструирование и проектирование? Дать характеристику основным этапам конструирования и проектирования.
- •Особенности конструкторского проектирования эс в зависимости от «уровня» конструкции. Дать краткую характеристику.
- •Какая конструкция является оптимальной? Назовите методы оптимизации.
- •Назовите методы конструкторского проектирования эс и раскройте содержание этих методов.
- •Компоновка эс. Приемы выполнения компоновочных работ и способы размещения узлов эс.
- •Назовите и дайте характеристику аналитическому и схемным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Перечислите и дайте характеристику конструктивным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс: разводка питания, заземление. Разводка питания.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс. Применение экранов в эс. Электростатическое экранирование. Магнитостатическое экранирование. Электромагнитное экранирование.
- •Указать последовательность проектирования модулей второго уровня (тэЗы, ячейки и др.).
- •Защита модулей второго уровня от климатических и механических воздействий.
- •Защита модулей второго уровня от тепловых воздействий (конвекция, теплопроводность, излучение).
- •Указать конструктивные особенности выполнения модулей третьего и четвертого уровней для эс различного назначения. Л. 2, с. 51-64.
- •Дайте полную характеристику сигнальной связи в виде «длинной» линии.
- •2. Рассогласование волнового сопротивления с входным и
- •Защита эс от климатических и механических воздействий.
- •Назовите основные формы пультов управления эвм, требования к расположению органов управления и индикации, надписям.
- •1. Какие сочетания технологических слоев (имплантированных, диффузионных, эпитаксиальных) и почему рациональны к применению в конструкциях изолированных бпт?
- •Почему структура бпт является базовой для исполнения конструкций иных элементов цифровых микросхем?
- •По каким ограничениям выбираются форма и определяются размеры эмиттерных областей биполярных транзисторов микросхем?
- •На каком этапе проектирования обеспечивается учет требований по рабочим напряжениям элементов интегральных микросхем?
- •Какое влияние на коэффициент передачи тока биполярных транзисторов микросхем оказывает топологическая форма эмиттера?
- •Назовите пять групп функциональных параметров биполярных транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование структуры и топологии.
- •Перечислите направления сокращения потерь «пассивной» площади кристалла в проектировании конструкции микросхем на биполярных транзисторах.
- •Назовите четыре группы функциональных параметров диодов интегральных микросхем определяющих выбор их структур, топологических форм и размеров?
- •Назовите варианты топологических форм и состав функциональных параметров резисторов полупроводниковых микросхем, определяющих выбор их структур, топологических форм, расчёт размеров?
- •Назовите пять групп функциональных параметров мдп-транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование их структуры и топологии?
- •Назовите характерные отличия конструкций и функциональных параметров диодов с барьером Шоттки интегральных микросхем в сравнении с диодами на основе p-n-перехода?
- •Какими и почему должны быть пропорции измерений топологических форм канала мдп-транзисторов цифрового вентиля с одним типом канала?
- •Какими и почему могут быть пропорции измерений топологических форм каналов мдп-транзисторов цифрового вентиля на комплементарных парах?
- •Какие особые требования предъявляются к выбору топологических форм и размеров элементов гис, функционирующих при длинах волн, сравнимых с размерами элементов имс?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры резисторов гибридных микросхем?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры конденсаторов и катушек индуктивности гис?
- •Какие показатели конструкций корпусов, как средств защиты и электромонтажа кристаллов и плат интегральных микросхем нормируются стандартами?
- •Перечислите и приведите комментарий к типовым вариантам конструкций компонентов гис по форме и способам электромонтажа.
- •Объясните факт повышения удельной мощности тепловыделения в конструкциях бис с повышением степени интеграции.
- •Пц и пуэвс
- •1. Какие подсистемы соответствуют структуре аппаратных средств автономных и связанных эвм?
- •Какие технические параметры эвм являются базовыми?
- •Какие отличительные черты характерны для микроконтроллеров в сравнении с микроЭвм.
- •Какие режимы применяются в организации взаимодействия процессора(микропроцессора) с устройствами окружения?
- •5. Какие данные необходимы и достаточны для чтения из оперативного запоминающего устройства (озу) эвм?
- •8. По каким обобщенным критериям классифицируются команды в системах команд мп и микропроцессорных систем?
- •9. Какой критерий (признак отбора) положен в основу деления языков программирования на «низкоуровневые» и «высокоуровневые»?
- •Какие микрооперации модифицируют содержимое счетчика команд центрального процессорного устройства эвм?
- •13. Как единообразно центральное процессорное устройство эвм начинает обмен данными с периферийным устройством ? (сверится с книгой)
- •14. Каков протокол записи данных, передаваемых центральным процессорным устройством эвм для периферийного устройства ?
- •Каков протокол чтения данных из периферийного устройства эвм в центральное устройство эвм?
- •Где могут быть размещены три слова команды в центральном процессорном устройстве управляющей микроЭвм (в терминах рабочих регистров регистрового алу)?
- •По какой причине в формате команды (первое слово) используют методы адресации источника и/или приемника данных в учебной управляющей микроЭвм?
- •Какие методы адресации источника или приемника данных вам известны (для учебной управляющей микроЭвм)?
- •Какие ресурсы эвс объединяются понятием «интерфейс ввода/вывода»? Назовите четыре уровня интерфейсов по функциональному назначению в составе эвм.
- •На какие группы разделяются периферийные устройства по назначению?
Обеспечение помехоустойчивости эс: разводка питания, заземление. Разводка питания.
Разводку питания в платах желательно делать с помощью достаточно широких шин (не менее 2,5 мм), образуя с их помощью замкнутые контуры.
Заземление.
Заземление выполняется в целях безопасности (корпусная земля), обеспечения помехоустойчивости (шумящая земля) и обеспечение опорного эквипотенциального уровня для напряжений сигналов (сигнальная земля)
К шумящей земле подключают электромагниты, электродвигатели, схемы с большим потреблением мощности. С целью уменьшения помех к точке заземления следует отдельными проводами подводить «корпусную», «сигнальную» и «шумящую» земли.
Обеспечение помехоустойчивости эс. Применение экранов в эс. Электростатическое экранирование. Магнитостатическое экранирование. Электромагнитное экранирование.
Экраны вводят в конструкцию для ослабления нежелательного возмущающего поля в некоторой ограниченной области до приемлемого уровня.
Два варианта экранирования: экранируемая аппаратура размещается внутри экрана, а источники помех - вне его, во втором - экранируются источники помех, а защищаемая от помех аппаратура располагается вне экрана.
Конструирование электрических экранов.(чтобы представлять его конструкцию, хотя бы примерную)
Защита от электрического поля сводится к установке ЭС в сплошную металлическую оболочку - экран произвольной толщины и высокой электрической проводимости. Заземляться экран должен массивным коротким проводником с минимальным индуктивным сопротивлением. С увеличением частоты электрического поля толщина экрана будет влиять на эффективность экранирования.
Конструирование магнитных экранов.
Задача экранирования магнитного поля сводится к уменьшению или полному устранению индуктивной связи между источником и приёмником помехи. Магнитные экраны выполняются как из ферромагнитных, так и немагнитных материалов (металлов). Ферромагнитные материалы с большой относительной магнитной проницаемостью μR обладают малым магнитным сопротивлением, в результате чего линии магнитного поля будут «шунтироваться» материалом экрана и пространство внутри экрана не будет подвергаться воздействию магнитного поля.
Конструирование электромагнитных экранов.
Электромагнитное экранирование может выполняться как немагнитными, так и магнитными материалами. Немагнитные металлы высокой проводимости можно эффективно использовать при низких частотах, ферромагнитные материалы высокой магнитной проницаемости и электрической проводимости – во всём частотном диапазоне электромагнитного поля. Толщина экрана из ферромагнитных материалов должна быть по возможности наибольшей.
Указать последовательность проектирования модулей второго уровня (тэЗы, ячейки и др.).
Разводка ПП
Размещение ИМС и ЭРЭ на ПП
Последовательность проектирования:
-рассчитываем электрическую схему
-определяем размер ПП
-подводим размер под ГОСТ
-изготавливаем ПП
-Нанесение рисунка
-Установка ЭРЭ и ИМС
-Расчеты электрических параметров по защищенности ЭС
-Расчеты на защищенность от внешних механических воздействий
-Расчеты на воздействие окружающей среды
Другой вариант последовательности проектирования (хотя следующие этапы можно внести в ранее описанные этапы):
Схемотехнические - трассировка печатных проводников, минимизация количества слоев и т.д.
Радиотехнические - расчет паразитных наводок, параметров линий связи и т.д.
Теплотехнические - температурный режим работы печатной платы, теплоотвод и т.д.
Конструктивные - размещение элементов на печатной плате, выбор посадочных элементов, контактирование и т.д.
Технологические - выбор метода изготовления, защита и т.д.
Паразитные связи и их влияние на работу модулей второго уровня конструктивной иерархии ЭС. Паразитная емкость - нежелательная емкостная связь, возникающая между проводниками или элементами электронных схем.
Основные эффекты, обусловленные наличием паразитных емкостей:
- Паразитные положительные и отрицательные обратные связи. Из-за непредсказуемости фазовых характеристик тип паразитных связей может произвольно меняться. В усилителях положительная ОС может приводить к самовозбуждению, отрицательная - к уменьшению коэффициента передачи.
- Паразитные RC-фильтры.
- Паразитные LC-контуры.
Паразитная индуктивная связь между проводниками на печатной плате.
С уменьшением геометрических размеров элементов и повышением плотности их размещения между сигнальными проводниками возникают емкостная и индуктивная связи. При переключении элементов по сигнальным цепям протекают импульсные токи, которые вследствие наличия паразитных связей наводят на соседних сигнальных проводниках помехи. Последние при определенных условиях могут вызвать ложное срабатывание элементов схем.