
- •Информатика
- •1. Охарактеризовать десятичную и двоичную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Охарактеризовать двоичную и шестнадцатеричную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Дать понятие прямого, обратного и дополнительного кода в двоичной системе счисления. Сложение и вычитание целых чисел в двоичной системе счисления.
- •Охарактеризовать основные логические операции: and, or, not, xor. Привести таблицы истинности для этих операций.
- •Структура компьютера. Основные компоненты компьютера и их краткая характеристика. Состав центрального процессора.
- •Перечислить поколения эвм и охарактеризовать их с точки зрения элементной базы.
- •Перечислить основные внешние устройства современного компьютера. Указать типы мониторов и принтеров. Дать их краткую характеристику.
- •Указать состав программного обеспечение современного компьютера. Дать понятие об операционной системе, о трансляторе и прикладной программе.
- •Охарактеризовать файловую систему современного компьютера. Дать понятие файла, каталога. Перечислить основные типы файлов.
- •Перечислить этапы решения задачи на компьютере. Дать понятие алгоритма. Свойства алгоритма. Способы записи алгоритма.
- •Охарактеризовать язык блок-схем – как способ записи алгоритма. Перечислить основные типы блоков. Перечислите основные типы алгоритмов и способы их записи на языке блок-схем.
- •Охарактеризовать структуру центрального процессора компьютера. Перечислить типы памяти компьютера. Дать их краткую характеристику.
- •Охарактеризовать оперативную память компьютера. Дать понятие бита, байта, слова, двойного слова. Понятие адреса байта и слова.
- •Дать понятие о языке Ассемблера. Этапы разработки программы на Ассемблере.
- •Команда пересылки, арифметические команды и директивы определения данных на Ассемблере.
- •Безусловный переход, команда сравнения и условного перехода и команда управления циклом на Ассемблере.
- •Электротехника
- •1. Элементы электрической цепи – резистор, конденсатор, катушка индуктивности (уго, единицы измерения, комплексное и операторное сопротивление).
- •Электрические цепи, определения (электрический ток, напряжение).
- •Магнитные цепи, определения (векторные и скалярные магнитные величины, характеристики ферромагнитных материалов).
- •Закон Ома для электрических цепей постоянного и переменного тока, аналогия закона Ома для магнитных цепей.
- •Топология электрических цепей. Узел, ветвь, контур. Законы Кирхгофа.
- •Суть метода наложения (суперпозиции) для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть метода контурных токов для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть символического метода при расчете линейных цепей гармонического тока.
- •9. Нахождение эквивалентной вольтамперной характеристики для последовательного и параллельного соединения нелинейных резистивных элементов.
- •Электрический трансформатор, назначение, конструктивное выполнение, основные соотношения.
- •Машины постоянной тока. Принцип работы, основные характеристики.
- •Асинхронные и синхронные машины. Принципы работы, основные характеристики.
- •Контактные явления в полупроводниках. Вольтамперная характеристика в прямой и обратной областях для кремневого и германиевого перехода.
- •Полупроводниковые диоды. Типы, вольтамперные характеристики специальных диодов – стабилитрона, туннельного диода, варикапа, диода Шоттки.
- •Основные параметры биполярного транзистора (входное сопротивление, коэффициент передачи тока, выходное сопротивление, обратный ток коллектора) для схемы включения с общим эмиттером.
- •Основные этапы микроэлектронных технологий биполярного и полевого транзисторов, диодов, резисторов.
- •Полупроводниковые лазеры. Принцип работы, применения.
- •18. Термисторы, варисторы, принцип работы, характеристики, параметры, применения.
- •Приемники излучения – фотодиоды, принцип работы, режимы работы, применения
- •Переходные процессы в линейной rc-цепи.
- •Для нахождения свободной составляющей отклика составим характеристическое уравнение:
- •Определим общий вид отклика:
- •1. Классификация электронных средств (эс).
- •Дайте характеристику основным понятиям разработки эс (тз, эскизное проектирование и т.Д.).
- •Единая система конструкторской документации (ескд). Классификация госТов в ескд, осТов, стп?
- •Что такое конструирование и проектирование? Дать характеристику основным этапам конструирования и проектирования.
- •Особенности конструкторского проектирования эс в зависимости от «уровня» конструкции. Дать краткую характеристику.
- •Какая конструкция является оптимальной? Назовите методы оптимизации.
- •Назовите методы конструкторского проектирования эс и раскройте содержание этих методов.
- •Компоновка эс. Приемы выполнения компоновочных работ и способы размещения узлов эс.
- •Назовите и дайте характеристику аналитическому и схемным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Перечислите и дайте характеристику конструктивным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс: разводка питания, заземление. Разводка питания.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс. Применение экранов в эс. Электростатическое экранирование. Магнитостатическое экранирование. Электромагнитное экранирование.
- •Указать последовательность проектирования модулей второго уровня (тэЗы, ячейки и др.).
- •Защита модулей второго уровня от климатических и механических воздействий.
- •Защита модулей второго уровня от тепловых воздействий (конвекция, теплопроводность, излучение).
- •Указать конструктивные особенности выполнения модулей третьего и четвертого уровней для эс различного назначения. Л. 2, с. 51-64.
- •Дайте полную характеристику сигнальной связи в виде «длинной» линии.
- •2. Рассогласование волнового сопротивления с входным и
- •Защита эс от климатических и механических воздействий.
- •Назовите основные формы пультов управления эвм, требования к расположению органов управления и индикации, надписям.
- •1. Какие сочетания технологических слоев (имплантированных, диффузионных, эпитаксиальных) и почему рациональны к применению в конструкциях изолированных бпт?
- •Почему структура бпт является базовой для исполнения конструкций иных элементов цифровых микросхем?
- •По каким ограничениям выбираются форма и определяются размеры эмиттерных областей биполярных транзисторов микросхем?
- •На каком этапе проектирования обеспечивается учет требований по рабочим напряжениям элементов интегральных микросхем?
- •Какое влияние на коэффициент передачи тока биполярных транзисторов микросхем оказывает топологическая форма эмиттера?
- •Назовите пять групп функциональных параметров биполярных транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование структуры и топологии.
- •Перечислите направления сокращения потерь «пассивной» площади кристалла в проектировании конструкции микросхем на биполярных транзисторах.
- •Назовите четыре группы функциональных параметров диодов интегральных микросхем определяющих выбор их структур, топологических форм и размеров?
- •Назовите варианты топологических форм и состав функциональных параметров резисторов полупроводниковых микросхем, определяющих выбор их структур, топологических форм, расчёт размеров?
- •Назовите пять групп функциональных параметров мдп-транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование их структуры и топологии?
- •Назовите характерные отличия конструкций и функциональных параметров диодов с барьером Шоттки интегральных микросхем в сравнении с диодами на основе p-n-перехода?
- •Какими и почему должны быть пропорции измерений топологических форм канала мдп-транзисторов цифрового вентиля с одним типом канала?
- •Какими и почему могут быть пропорции измерений топологических форм каналов мдп-транзисторов цифрового вентиля на комплементарных парах?
- •Какие особые требования предъявляются к выбору топологических форм и размеров элементов гис, функционирующих при длинах волн, сравнимых с размерами элементов имс?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры резисторов гибридных микросхем?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры конденсаторов и катушек индуктивности гис?
- •Какие показатели конструкций корпусов, как средств защиты и электромонтажа кристаллов и плат интегральных микросхем нормируются стандартами?
- •Перечислите и приведите комментарий к типовым вариантам конструкций компонентов гис по форме и способам электромонтажа.
- •Объясните факт повышения удельной мощности тепловыделения в конструкциях бис с повышением степени интеграции.
- •Пц и пуэвс
- •1. Какие подсистемы соответствуют структуре аппаратных средств автономных и связанных эвм?
- •Какие технические параметры эвм являются базовыми?
- •Какие отличительные черты характерны для микроконтроллеров в сравнении с микроЭвм.
- •Какие режимы применяются в организации взаимодействия процессора(микропроцессора) с устройствами окружения?
- •5. Какие данные необходимы и достаточны для чтения из оперативного запоминающего устройства (озу) эвм?
- •8. По каким обобщенным критериям классифицируются команды в системах команд мп и микропроцессорных систем?
- •9. Какой критерий (признак отбора) положен в основу деления языков программирования на «низкоуровневые» и «высокоуровневые»?
- •Какие микрооперации модифицируют содержимое счетчика команд центрального процессорного устройства эвм?
- •13. Как единообразно центральное процессорное устройство эвм начинает обмен данными с периферийным устройством ? (сверится с книгой)
- •14. Каков протокол записи данных, передаваемых центральным процессорным устройством эвм для периферийного устройства ?
- •Каков протокол чтения данных из периферийного устройства эвм в центральное устройство эвм?
- •Где могут быть размещены три слова команды в центральном процессорном устройстве управляющей микроЭвм (в терминах рабочих регистров регистрового алу)?
- •По какой причине в формате команды (первое слово) используют методы адресации источника и/или приемника данных в учебной управляющей микроЭвм?
- •Какие методы адресации источника или приемника данных вам известны (для учебной управляющей микроЭвм)?
- •Какие ресурсы эвс объединяются понятием «интерфейс ввода/вывода»? Назовите четыре уровня интерфейсов по функциональному назначению в составе эвм.
- •На какие группы разделяются периферийные устройства по назначению?
Приемники излучения – фотодиоды, принцип работы, режимы работы, применения
Фотоэлектрический приемник (сокращенно фотоприемник) – это опто-электронный прибор для преобразования энергии оптического излучения в электрическую энергию.
Фотодиод – фотоприемник, использующий для преобразования световой энергии в электрическую фотогальванический эффект. Простейший фотодиод представляет собой обычный полупроводниковый диод, в котором обеспечивается возможность воздействия оптического излучения на р-n-переход. Отличие состоит в том, что его корпус снабжен дополнительной линзой, создающей внешний световой поток, направленный, как правило, перпендикулярно плоскости p-n-перехода. Упрощенная структура фотодиода и его УГО представлена на рисунке 6.5.
Рис. 6.5-Устройство и УГО фотодиода.
В равновесном состоянии, когда поток излучения полностью отсутствует, концентрация носителей и распределение объемного заряда фотодиода полностью соответствуют обычной р-n-структуре. При воздействии облучения в направлении, перпендикулярном плоскости р-n-перехода в результате поглощения фотонов с энергией, большей, чем ширина запрещенной зоны, в n-области возникают электронно-дырочные пары. При диффузии фотоносителей вглубь n-области основная доля электронов и дырок не успевает рекомбинировать и доходит до границы р-n-перехода. Здесь фотоносители разделяются электрическим полем р-n-перехода, причем дырки переходят в р-область, а электроны не могут преодолеть поле перехода и скапливаются у границы р-n-перехода в n-области. Таким образом, ток фотоносителей через р-n-переход обусловлен дрейфом неосновных носителей – дырок. Дрейфовый ток фотоносителей называется фототоком. Фотоносители – дырки заряжают p-область положительно относительно n-облаепг а фотоносители – электроны – n-область отрицательно по отношению к p-области. Возникающая разность потенциалов (Еф) называется фотоЭДС.
Для обеспечения высокой чувствительности к излучению необходимо, чтобы в фотодиоде диффузионная составляющая тока была минимальной. Поэтому фотодиод работает или вообще без внешнего напряжения (фотогальванический режим), или при обратном внешнем напряжении (фотодиодный режим).
В фотодиодном режиме фотодиод работает совместно с внешним источником электрической энергии Uвн, положительный полюс которого подключается к n-слою, а отрицательный – к р-слою (рис. 6.6, а).
Под действием напряжения источника в цепи фотодиода, включенного в непроводящем направлении, при отсутствии освещения протекает небольшой темновой ток 1Т. В этом случае фотодиод ничем не отличается от обычного диода.
В схеме без внешнего источника питания, фотодиод работает в режиме преобразователя энергии излучения в электрическую энергию. Такой режим работы называется вентильным. В вентильном режиме фотодиоды применяются, например, для обеспечения питания искусственных спутников Земли. В фотодиодном режиме фотодиоды широко применяются в релейных схемах, в вычислительной технике, оптоэлектронике.
Переходные процессы в линейной rc-цепи.
Рассмотрим воздействие сигнала s(t) = E*1(t) на последовательную RC-цепь. Воздействие вызывается включением постоянного напряжения E в момент t = t1 = 0 переключателем К.
Расчет последовательной цепи проводят обычно классическим или операторным методом.
Изучение переходного процесса в цепи проведем при помощи классического метода.
Предположим, что до начала воздействия конденсатор был разряжен и uc(-0) = 0.
Составим дифференциальное уравнение цепи после коммутации относительно напряжения на конденсаторе. В соответствии со вторым законом Кирхгофа, начиная с момента замыкания переключателя t1 = 0,
E = i(t)R + uc(t).
Учитывая, что
i(t) = ic(t) = C (duc(t) / dt) (16.3)
получим
RC (duc(t) / dt) + uc(t) = E.
Как и следовало ожидать, получилось дифференциальное уравнение первого порядка, т.к. цепь имеет лишь один энергоемкий элемент.