
- •Информатика
- •1. Охарактеризовать десятичную и двоичную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Охарактеризовать двоичную и шестнадцатеричную системы счисления. Указать правила взаимного перевода.
- •Дать понятие прямого, обратного и дополнительного кода в двоичной системе счисления. Сложение и вычитание целых чисел в двоичной системе счисления.
- •Охарактеризовать основные логические операции: and, or, not, xor. Привести таблицы истинности для этих операций.
- •Структура компьютера. Основные компоненты компьютера и их краткая характеристика. Состав центрального процессора.
- •Перечислить поколения эвм и охарактеризовать их с точки зрения элементной базы.
- •Перечислить основные внешние устройства современного компьютера. Указать типы мониторов и принтеров. Дать их краткую характеристику.
- •Указать состав программного обеспечение современного компьютера. Дать понятие об операционной системе, о трансляторе и прикладной программе.
- •Охарактеризовать файловую систему современного компьютера. Дать понятие файла, каталога. Перечислить основные типы файлов.
- •Перечислить этапы решения задачи на компьютере. Дать понятие алгоритма. Свойства алгоритма. Способы записи алгоритма.
- •Охарактеризовать язык блок-схем – как способ записи алгоритма. Перечислить основные типы блоков. Перечислите основные типы алгоритмов и способы их записи на языке блок-схем.
- •Охарактеризовать структуру центрального процессора компьютера. Перечислить типы памяти компьютера. Дать их краткую характеристику.
- •Охарактеризовать оперативную память компьютера. Дать понятие бита, байта, слова, двойного слова. Понятие адреса байта и слова.
- •Дать понятие о языке Ассемблера. Этапы разработки программы на Ассемблере.
- •Команда пересылки, арифметические команды и директивы определения данных на Ассемблере.
- •Безусловный переход, команда сравнения и условного перехода и команда управления циклом на Ассемблере.
- •Электротехника
- •1. Элементы электрической цепи – резистор, конденсатор, катушка индуктивности (уго, единицы измерения, комплексное и операторное сопротивление).
- •Электрические цепи, определения (электрический ток, напряжение).
- •Магнитные цепи, определения (векторные и скалярные магнитные величины, характеристики ферромагнитных материалов).
- •Закон Ома для электрических цепей постоянного и переменного тока, аналогия закона Ома для магнитных цепей.
- •Топология электрических цепей. Узел, ветвь, контур. Законы Кирхгофа.
- •Суть метода наложения (суперпозиции) для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть метода контурных токов для расчета разветвленных электрических цепей.
- •Суть символического метода при расчете линейных цепей гармонического тока.
- •9. Нахождение эквивалентной вольтамперной характеристики для последовательного и параллельного соединения нелинейных резистивных элементов.
- •Электрический трансформатор, назначение, конструктивное выполнение, основные соотношения.
- •Машины постоянной тока. Принцип работы, основные характеристики.
- •Асинхронные и синхронные машины. Принципы работы, основные характеристики.
- •Контактные явления в полупроводниках. Вольтамперная характеристика в прямой и обратной областях для кремневого и германиевого перехода.
- •Полупроводниковые диоды. Типы, вольтамперные характеристики специальных диодов – стабилитрона, туннельного диода, варикапа, диода Шоттки.
- •Основные параметры биполярного транзистора (входное сопротивление, коэффициент передачи тока, выходное сопротивление, обратный ток коллектора) для схемы включения с общим эмиттером.
- •Основные этапы микроэлектронных технологий биполярного и полевого транзисторов, диодов, резисторов.
- •Полупроводниковые лазеры. Принцип работы, применения.
- •18. Термисторы, варисторы, принцип работы, характеристики, параметры, применения.
- •Приемники излучения – фотодиоды, принцип работы, режимы работы, применения
- •Переходные процессы в линейной rc-цепи.
- •Для нахождения свободной составляющей отклика составим характеристическое уравнение:
- •Определим общий вид отклика:
- •1. Классификация электронных средств (эс).
- •Дайте характеристику основным понятиям разработки эс (тз, эскизное проектирование и т.Д.).
- •Единая система конструкторской документации (ескд). Классификация госТов в ескд, осТов, стп?
- •Что такое конструирование и проектирование? Дать характеристику основным этапам конструирования и проектирования.
- •Особенности конструкторского проектирования эс в зависимости от «уровня» конструкции. Дать краткую характеристику.
- •Какая конструкция является оптимальной? Назовите методы оптимизации.
- •Назовите методы конструкторского проектирования эс и раскройте содержание этих методов.
- •Компоновка эс. Приемы выполнения компоновочных работ и способы размещения узлов эс.
- •Назовите и дайте характеристику аналитическому и схемным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Перечислите и дайте характеристику конструктивным методам повышения помехоустойчивости эс.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс: разводка питания, заземление. Разводка питания.
- •Обеспечение помехоустойчивости эс. Применение экранов в эс. Электростатическое экранирование. Магнитостатическое экранирование. Электромагнитное экранирование.
- •Указать последовательность проектирования модулей второго уровня (тэЗы, ячейки и др.).
- •Защита модулей второго уровня от климатических и механических воздействий.
- •Защита модулей второго уровня от тепловых воздействий (конвекция, теплопроводность, излучение).
- •Указать конструктивные особенности выполнения модулей третьего и четвертого уровней для эс различного назначения. Л. 2, с. 51-64.
- •Дайте полную характеристику сигнальной связи в виде «длинной» линии.
- •2. Рассогласование волнового сопротивления с входным и
- •Защита эс от климатических и механических воздействий.
- •Назовите основные формы пультов управления эвм, требования к расположению органов управления и индикации, надписям.
- •1. Какие сочетания технологических слоев (имплантированных, диффузионных, эпитаксиальных) и почему рациональны к применению в конструкциях изолированных бпт?
- •Почему структура бпт является базовой для исполнения конструкций иных элементов цифровых микросхем?
- •По каким ограничениям выбираются форма и определяются размеры эмиттерных областей биполярных транзисторов микросхем?
- •На каком этапе проектирования обеспечивается учет требований по рабочим напряжениям элементов интегральных микросхем?
- •Какое влияние на коэффициент передачи тока биполярных транзисторов микросхем оказывает топологическая форма эмиттера?
- •Назовите пять групп функциональных параметров биполярных транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование структуры и топологии.
- •Перечислите направления сокращения потерь «пассивной» площади кристалла в проектировании конструкции микросхем на биполярных транзисторах.
- •Назовите четыре группы функциональных параметров диодов интегральных микросхем определяющих выбор их структур, топологических форм и размеров?
- •Назовите варианты топологических форм и состав функциональных параметров резисторов полупроводниковых микросхем, определяющих выбор их структур, топологических форм, расчёт размеров?
- •Назовите пять групп функциональных параметров мдп-транзисторов цифровых интегральных микросхем, определяющих проектирование их структуры и топологии?
- •Назовите характерные отличия конструкций и функциональных параметров диодов с барьером Шоттки интегральных микросхем в сравнении с диодами на основе p-n-перехода?
- •Какими и почему должны быть пропорции измерений топологических форм канала мдп-транзисторов цифрового вентиля с одним типом канала?
- •Какими и почему могут быть пропорции измерений топологических форм каналов мдп-транзисторов цифрового вентиля на комплементарных парах?
- •Какие особые требования предъявляются к выбору топологических форм и размеров элементов гис, функционирующих при длинах волн, сравнимых с размерами элементов имс?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры резисторов гибридных микросхем?
- •По каким критериям выбираются топологические формы и определяются размеры конденсаторов и катушек индуктивности гис?
- •Какие показатели конструкций корпусов, как средств защиты и электромонтажа кристаллов и плат интегральных микросхем нормируются стандартами?
- •Перечислите и приведите комментарий к типовым вариантам конструкций компонентов гис по форме и способам электромонтажа.
- •Объясните факт повышения удельной мощности тепловыделения в конструкциях бис с повышением степени интеграции.
- •Пц и пуэвс
- •1. Какие подсистемы соответствуют структуре аппаратных средств автономных и связанных эвм?
- •Какие технические параметры эвм являются базовыми?
- •Какие отличительные черты характерны для микроконтроллеров в сравнении с микроЭвм.
- •Какие режимы применяются в организации взаимодействия процессора(микропроцессора) с устройствами окружения?
- •5. Какие данные необходимы и достаточны для чтения из оперативного запоминающего устройства (озу) эвм?
- •8. По каким обобщенным критериям классифицируются команды в системах команд мп и микропроцессорных систем?
- •9. Какой критерий (признак отбора) положен в основу деления языков программирования на «низкоуровневые» и «высокоуровневые»?
- •Какие микрооперации модифицируют содержимое счетчика команд центрального процессорного устройства эвм?
- •13. Как единообразно центральное процессорное устройство эвм начинает обмен данными с периферийным устройством ? (сверится с книгой)
- •14. Каков протокол записи данных, передаваемых центральным процессорным устройством эвм для периферийного устройства ?
- •Каков протокол чтения данных из периферийного устройства эвм в центральное устройство эвм?
- •Где могут быть размещены три слова команды в центральном процессорном устройстве управляющей микроЭвм (в терминах рабочих регистров регистрового алу)?
- •По какой причине в формате команды (первое слово) используют методы адресации источника и/или приемника данных в учебной управляющей микроЭвм?
- •Какие методы адресации источника или приемника данных вам известны (для учебной управляющей микроЭвм)?
- •Какие ресурсы эвс объединяются понятием «интерфейс ввода/вывода»? Назовите четыре уровня интерфейсов по функциональному назначению в составе эвм.
- •На какие группы разделяются периферийные устройства по назначению?
18. Термисторы, варисторы, принцип работы, характеристики, параметры, применения.
УГО термистора
Термистор – обычно изготавливается из металла, сопротивление которого линейно изменяется в зависимости от температуры(медь, платина) или на основе полупроводников. Значение сопротивления терморезистора определяется температурой окружающей среды и собственным нагревом терморезистора, возникающим из-за протекания по нему электрического тока. Температура терморезистора не пропорциональна протекающему току, поэтому температура терморезистора, а, следовательно, его ВАХ даже при постоянной температуре окружающей среды не линейна.
Термисторы бывают двух типов: с положительным и отрицательным температурным коэффициентом. У терморезистора с положительным коэффициентом при повышении температуры сопротивление возрастает, а с отрицательным коэффициентом - уменьшается.
Основными параметрами терморезистора являются: номинальное сопротивление, температурный коэффициент сопротивления (Температурный коэффициент сопротивления характеризует зависимость электрического сопротивления от температуры и измеряется в кельвинах в минус первой степени (K−1).), интервал рабочих температур, максимально допустимая мощность рассеяния (мощность, при которой термистор, находящийся в спокойном воздухе при температуре 20°C, разогревается при прохождении тока до максимально допустимой температуры).
ВАХ термистора
На начальном участке характеристики соблюдается линейная зависимость, так как при малых токах выделяющаяся мощность недостаточна для существенного изменения температуры термистора, сопротивление не меняется, поэтому соблюдается закон Ома. При увеличении тока нагрев становится заметным, сопротивление термистора начинает уменьшаться и крутизна характеристики снижается. Достигнув некоторого максимального значения, падение напряжения на термисторе при дальнейшем росте тока начинает уменьшаться.
Применение: Автомобильная электроника: для измерения температуры охлаждения воды или масла; для слежения температуры выхлопных газов, крышки цилиндра, тормозной системы; для контроля температуры в салоне автомобиля.
В кондиционерах: в распределителе тепла; для мониторинга температуры в комнате
В нагревателях для пола и газовых котлах.
УГО варистора
Варистор - это электронный компонент, который ограничивает напряжение в цепи питания электроприборов.
ВАХ варистора.
Нелинейность характеристик варисторов обусловлена локальным нагревом соприкасающихся граней многочисленных кристаллов карбида кремния (или иного полупроводника). При локальном повышении температуры на границах кристаллов сопротивление последних существенно снижается, что приводит к уменьшению общего сопротивления варисторов.
Основное влияние на сопротивление варистора оказывает приложенное напряжение и в значительно меньшей степени - температура. В технических условиях на варисторы обычно приводят:
Uном – номинальное напряжение – напряжение при превышении, которого на 20% не наблюдается значительного разогрева варистора.
Iном – ток, протекающий при Uном.
β – коэффициент нелинейности, равный отношению статического сопротивления
к дифференциальному сопротивлению.
.
Коэффициент нелинейности лежит в пределах 2-10 у варисторов на основе SiC и 20-100 у варисторов на основе ZnO.
Температурный коэффициент сопротивления варистора — отрицательная величина.
Варисторы применяются для стабилизации и регулирования низкочастотных токов и напряжений, в аналоговых вычислителях — для возведения в степень, извлечения корней и других математических действий, в цепях защиты от перенапряжений (например, высоковольтные линии электропередачи, линии связи, электрические приборы) Высоковольтный варистор используется в защитном штекерном модуле разрядника, предназначенном для предотвращения выхода из строя оборудования вследствие перенапряжений (Высоковольтные варисторы применяются для изготовления ограничителей перенапряжения.) и др.