
- •Курс лекций по дисциплине «технология сборки мфпу» Лекция 1
- •Тема 1. Введение. Современные инфракрасные матричные фпу, модули и ик-камеры.
- •Фотоэлектрические полупроводниковые приемники излучения
- •Фотоэлектронные приборы
- •1. Фотоэмиссионный эффект.
- •Недостатки фотоэмиссионных приборов.
- •Тепловые приемники излучения
- •Лекция 2
- •Тема 2. Фотоэлектрические приемники оптического и ближнего ик-диапазона спектра.
- •Лекция 3
- •Тема 3. Конструкция фп и фпу, охлаждаемых микрокриогенными системами.
- •Краткая характеристика объектов охлаждения
- •2. Общая характеристика систем охлаждения.
- •3. Схемы и конструкции дроссельных микроохладителей.
- •Лекция 4
- •Тема 4. Конструкция и технология изготовления матричных и субматричных фпу.
- •Лекция 5
- •Тема 5. Конструкция и технология изготовления матричных и субматричных фчэ.
- •Технология матричного чувствительного элемента с тонкой базовой областью
- •Технология создания тонкой базовой области
- •Технология гибридной сборки на индиевых микростолбиках
- •Технологический маршрут изготовления мфчэ на основе InSb
Краткая характеристика объектов охлаждения
Реализация достижений низкотемпературной физики твердого тела в электронике стимулировала появление совершенно новой и специфической области - микрокриогенной техники. Ее развитие открыло принципиально новые возможности при решении задач физики, электроники, энергетики, систем связи, вычислительной техники, биологии, медицины и др.
Успешная разработка любой микрокриогенной установки, как изделия микрокриогенной техники, оптимизация ее параметров возможны лишь при тщательном учете особенностей конструкции охлаждаемых устройств и специфики их работы. В ряде случаев единственно правильным является рассмотрение криостатируемого объекта и микрокриогенной установки как единого комплексного устройства, параметры составных частей которого тесно взаимосвязаны. Это тем не менее не исключает возможности широкой стандартизации и унификации изделий микрокриогенной техники, т. к. низкотемпературные приборы можно разбить на несколько групп однотипных изделий, обладающих сходными криотехническими и конструктивными характеристиками.
К основным характеристикам объектов охлаждения относятся:
температура криостатирования Тр и необходимая точность ее поддержания (диапазон Тр);
внутреннее тепловыделение QВ и теплопритоки из окружающей среды QТ ; сумма этих тепловых потоков QО = QВ + QТ является полезной тепловой нагрузкой микрокриогенной установки и соответствует ее минимально допустимой холодопроизводительности в стационарном режиме;
приведенная теплоемкость Спр охлаждаемых элементов и узлов конструкции, которая вместе с QВ и QТ определяет необходимую холодопроизводительность системы в пусковом режиме;
условия теплового и конструктивного сопряжения микрокриогенной, установки с объектом охлаждения - расстояние между ними, возможные конструкции узла стыка, режим теплообмена и др.
Физические основы работы, конструкция и параметры созданных к настоящему времени многочисленных устройств, требующих глубокого охлаждения, достаточно подробно рассмотрены нами ранее. В связи с этим ограничимся краткой характеристикой лишь некоторых, наиболее типичных приборов одной из новых областей техники - криоэлектроники, в которой широко применяют изделия микрокриогенной техники и успешно используются достижения физики низких температур
Криоэлектронные приборы можно классифицировать по следующим признакам:
по температуре криостатирования - на приборы с гелиевым (до 15К), неоноводородным (до 70К) и азотным (свыше 70К) диапазонами охлаждения;
по величине тепловой нагрузки - приборы с малым внутренним тепловыделением и незначительной массой охлаждаемых элементов (ИК - приемники), со значительным тепловыделением, но малой теплоемкостью элементов (полупроводниковые квантовые генераторы - ПКГ) и, наконец, с относительно большими массой и теплоемкостью охлаждаемых элементов, но малыми внутренними тепловыделениями (СВЧ - приборы).
Глубокоохлаждаемые приемники инфракрасного излучения составляют наиболее представительную и важную для нас группу приборов, широко применяемых совместно с микрокриогенными системами в различных областях промышленности и научных исследований. Основные криотехнические характеристики охлаждаемых приборов с фоточувствительными элементами на основе различных полупроводниковых материалов, обеспечивающих свой диапазон спектральной чувствительности инфракрасного излучения, приведены в таблице 1.
Таблица 1.
Типы фотоприемников инфракрасного излучения |
Спектр. диапазон мкм |
Тр
К |
Тр
К |
QТ
Вт |
QВ
Вт |
Фотосопротивления из Ge, легированного Cd, Zn, Sn |
до 40 |
4,2 |
0,5 |
1,0 |
10-3 |
Фотосопротивления из Ge, легированного Hg, Cu |
до 25 |
10 - 35 |
1,0 |
1,5 |
10-3 |
Фотосопротивления и фотодиоды CdHgTe |
до 15 |
80 |
0,5 |
0,5 |
10-2 |
Фотосопротивления и фотодиоды из InSb |
до 6 |
77 |
0,5 |
0,5 |
10-3 |
Фотодиоды из InAs, фотосопротивления из PbS |
до 4 |
80 - 150 |
5,0 |
0,5 |
10-3 |
Примечание. Значения QТ и QВ даны для одноэлементных фотоприемников
Типичная конструкция фотоприемника содержит кроме охлаждаемого фоточувствительного элемента теплоизолирующий вакуумный сосуд с оптически прозрачными входными окнами и корпусные узлы, обеспечивающие герметичность и прочность прибора. Размеры, конфигурация и криотехнические параметры этих узлов зависят от типа фотоприемника и сопрягаемой с ним системы охлаждения. Важной задачей является также обеспечение герметичности и прочности узла сопряжения для исключения возможности повреждения охлаждаемого объекта при работе системы охлаждения. Существуют, например, глубокоохлаждаемые фотоприемники конструктивно встроенные в контейнер с хладагентом или размещенные непосредственно на «холодном пальце» охлаждающего устройства.
Существенная особенность фотоприемников - незначительное тепловыделение в фоточувствительном элементе; лишь в многоэлементных приборах на основе низкоомных полупроводников величина может достигать 0,5-1,0 Вт. Теплопритоки из окружающей среды и приведенная теплоемкость относительно невелики, что позволяет сопрягать фотоприемники практически с любым типом микрокриогенной установки.