- •Министерство образования и Науки Российской Федерации
- •Отчет по лаборатрным работам по цифровой технике
- •Иркутск 2012 г.
- •Исследование диодов и стабилитронов
- •Порядок выполнения работы
- •1. Измерение напряжения на диоде и вычисление тока через диод:
- •2. Измерение тока, протекающего через диод, при прямом и обратном включении источника питания:
- •3. Измерение статического сопротивления диода:
- •4. Снятие вольтамперной характеристики диода:
- •Исследование биполярного транзистора
- •1. Определение статического коэффициента передачи тока транзистора с общим эмиттером.
- •2. Измерение обратного тока коллектора.
- •3. Снятие выходной характеристики транзистора.
- •4. Снятие входной характеристики транзистора.
- •5. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью одного резистора.
- •Лабораторная работа №3 Исследование устройств на операционных усилителях
- •1. Измерение входных токов оу:
- •2. Измерение напряжения смещения оу:
- •3. Измерение входного и выходного сопротивлений оу:
Исследование биполярного транзистора
Цель работы: закрепить теоретические знания о транзисторах; провести анализ зависимости коэффициента усиления транзистора по постоянному току от тока коллектора; экспериментально получить входные и выходные характеристики транзистора; определить коэффициент передачи транзистора по переменному току; исследовать способы задания статического режима транзистора; определить статический коэффициент передачи транзистора по экспериментальным данным.
Используемое оборудование и средства: персональный компьютер, программа Electronics Workbench.
1. Определение статического коэффициента передачи тока транзистора с общим эмиттером.
Соберите и включите схему рис.4. Запишите показания приборов.
коэффициент передачи транзистора ().
Установите ЭДС источника базы ЕБ = 2,68 В.
Запишите показания приборов.
коэффициент передачи транзистора ()
2. Измерение обратного тока коллектора.
Установите ЭДС источника базы ЕБ = О В.
Запишите показания приборов.
3. Снятие выходной характеристики транзистора.
Изменяйте ЭДС источника базы ЕБ в соответствии с таблицей 1 и заполните таблицу.
Таблица 1
|
ЕК [B] |
||||||
ЕБ [B] |
IБ [мкА] |
0,1 |
0,5 |
1 |
5 |
10 |
20 |
1,66 2,68 3,68 4,68 5,7 |
776,5 1,7 2,7 3,6 4.7 |
29,9 42,1 49 54 57 |
74,7 125 163 195 224 |
75 126 164 196 225 |
77,6 130 170 203 233 |
80,8 136 177 212 243 |
87,2 147 191 229 262 |
ряд1- ЕБ =1,66
ряд2- ЕБ =2,68
ряд3- ЕБ =3,68
ряд4- ЕБ =4,68
ряд5- ЕБ =5,7
4. Снятие входной характеристики транзистора.
ЕК = 10 V.
Изменяя ЭДС источника базы ЕБ в соответствии с таблицей 2 и заполнили таблицу.
Таблица 2
ЕБ [B] |
IБ [мкА] |
UБЭ [мВ] |
IК [мА] |
1,66 2,68 3,68 4,68 5,7 |
763 1731 2695 3666 4661 |
896 949 985 1014 1039 |
81 136 177 212 243 |
По данным таблицы 2 постройте график зависимости тока базы от напряжения база-эмиттер.
5. Исследование параметров рабочей точки при задании тока базы с помощью одного резистора.
Соберите и включите схему рис.5.
Используя значение , полученное в пункте 1, определили ток коллектора по формуле .
определили ток базы и напряжение коллектор-эмиттер.
мкА
В.
