Министерство образования и Науки Российской Федерации
ИРКУТСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ ТЕХНИЧЕСКИЙ УНИВЕРСИТЕТ
Отчет по лаборатрным работам по цифровой технике
«Исследование диодов и стабилитронов»
«Исследование биполярного транзистора»
«Исследование устройств на операционных усилителях»
Выполнил студент
Проверил: к.т.н.,
доцент
Гасельник В.В.
Иркутск 2012 г.
Лабораторная работа № 1
Исследование диодов и стабилитронов
Цель работы: закрепить теоретические знания о диодах и стабилитронах; научиться рассчитывать и измерять токи, напряжения и сопротивления диодов и стабилитронов; экспериментально получить вольтамперные характеристики диода и стабилитрона; исследовать стабилизирующие свойства стабилитрона.
Используемое оборудование и средства: персональный компьютер, программа Electronics Workbench.
Порядок выполнения работы
1. Измерение напряжения на диоде и вычисление тока через диод:
Собираем и включаем схему :
Схема измерения напряжения на диоде
Измерили с помощью мультиметра (М) и записали напряжение на диоде при прямом смещении ( Uпр).
Перевернули диод Д1 и снова включили схему.
Измерьте и запишите напряжение на диоде Д1 при обратном смещении (Uоб).
Используя формулы 1 и 2, вычислите и запишите токи, протекающие через диод, при прямом (Iпр) и обратном (Iоб) смещении.
2. Измерение тока, протекающего через диод, при прямом и обратном включении источника питания:
В схеме мультиметр (М) включили для измерения тока в цепи (между резистором R и диодом Д1).
Включили схему, измерили и записали ток диода при прямом включении источника питания (Iпр).
Перевернули диод, включили схему, измерили и записали ток диода при обратном включении источника питания (Iоб).
Сравнли результаты расчета и эксперимента.
Результаты измерений полностью соответствуют результатам расчета, выполненным в предыдущем пункте.
3. Измерение статического сопротивления диода:
Переключили мультиметр (М) в режим омметра.
Измерили сопротивление диода в прямом направлении.
Измерили сопротивление диода в обратном направлении.
4. Снятие вольтамперной характеристики диода:
Соберали и включили схему:
Последовательно устанавливливали значения ЭДС источника (Е) равными 5В, 4В, 3В, 2В, 1В, 0,5В, 0В. Записали значения напряжения Uпр и тока Iпрв таблицу 1.
Таблица 1
Е [B] |
Uпр [mB] |
Iпр [mA] |
5 4 3 2 1 0,5 0 |
692,9 686,1 676,9 662,6 629,4 497,3 0 |
4,307 3,314 2,323 1,337 0,000376 0,000002735 -0 |
Перевернули диод Д1, включили схему и заполнили таблицу 2.
Таблица 2
Е[B] |
Uоб [mB] |
Iоб[mA] |
0 5 10 15 |
-0 4,995 9,99 14,98 |
-0 4,995 9,99 14,98 |
По данным таблиц 1 и 2 построили графики зависимости
Iпр
= 4 mА
Провели касательную линию к графику прямой ветви вольтамперной характеристики в точке.
Определили дифференциальное сопротивление диода.
Выполнили те же расчеты для Iпр=0,4 mА
и Iпр=0,2 mА.
Аналогично определили дифференциальное сопротивление диода при обратном напряжении 5В.
Определите статическое сопротивление диода при Iпр = 4 mА.
Лабораторная работа № 2