
- •Федеральное агентство по образованию
- •1. Основы электрических измерений
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.2. Точностные характеристики средств измерений
- •1.3. Анализ статических погрешностей электронных схем
- •2. Простейшие электронные цепи и методы их анализа
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Применение операторного метода к расчету электрических цепей
- •2.2.1. Прямое преобразование Лапласа
- •2.2.2. Обратное преобразование Лапласа
- •3. Типовые структуры электронных устройств и их свойства
- •3.1. Последовательная структура и ее свойства
- •3.2. Параллельная структура и ее свойства
- •3.3. Встречно-параллельное соединение
- •3.4. Задачи
- •4. Пассивные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •4.1. Полупроводниковые диоды и стабилитроны
- •4.2. Примеры применения полупроводниковых диодов
- •4.3. Светодиоды
- •4.4. Фотодиоды
- •5. Активные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •5.1. Биполярные транзисторы и их применение
- •5.1.1. Структура и принцип действия биполярных транзисторов
- •5.1.2. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
- •5.1.3. Обеспечение усилительного режима бт в схемах
- •В результате получаем
- •5.1.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры бт
- •5.1.5. Амплитудно-частотные характеристики бт
- •5.1.6. Элементы транзисторной схемотехники
- •5.2. Полевые транзисторы и их применение
- •5.2.1. Классификация и общие особенности полевых транзисторов
- •5.2.2. Статические характеристики и дифференциальные параметры
- •5.2.3. Способы задания смещения в усилительных каскадах на пт
- •5.2.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры пт
- •5.2.5. Температурная стабильность параметров пт
- •5.2.6. Передаточная функция и динамические свойства пт Инерционные свойства пт описываются передаточной функцией вида
- •5.3. Задачи
- •6. Интегральные микросхемы и их классификация
- •7. Аналоговые интегральные микросхемы и их применение
- •7.1. Операционные усилители и их применение
- •7.1.1. Понятие идеального операционного усилителя
- •7.1.2. Принципы и примеры расчета схем с операционными усилителями
- •7.1.3. Динамические свойства устройств на операционных усилителях
- •7.1.4. Точностные характеристики устройств на операционных усилителях
- •7.1.5. Применение операционных усилителей
- •7.1.6. Задачи
- •7.2. Компараторы
- •7.3. Аналоговые ключи и коммутаторы
- •7.4. Устройства выборки-хранения
- •7.5. Интегральный таймер
- •7.5.1. Задачи
- •7.7. Справочные данные на оу
- •8. Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи
- •8.1. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
- •8.2. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •9. Цифровые интегральные микросхемы и их применение
- •9.1. Элементы алгебры логики
- •9.2. Основные типы цифровых имс
- •9.3. Параметры цимс
- •9.4. Комбинационные логические цепи
- •9.4.1. Основные разновидности комбинационных логических цепей
- •9.4.2. Синтез комбинационных логических цепей
- •9.5. Последовательностные логические цепи
- •9.5.1. Классификация последовательностных логических цепей
- •9.5.2. Триггеры
- •9.5.3. Регистры
- •9.5.4. Счетчики импульсов
- •9.6. Применение цифровых имс в импульсных цепях
- •9.7. Задачи
- •10. Микросхемы полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.1. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.2. Построение модулей памяти микропроцессорных систем
- •11. Элементы микропроцессорной техники
- •11.1. Общие сведения о микроконтроллерах семейства piCmicro
- •1. Ядро микроконтроллера
- •2. Периферийные модули
- •3. Специальные особенности микроконтроллеров
- •Ядро микроконтроллера
- •Порты ввода-вывода
- •Периферийные модули
- •11.2. Примеры применения микроконтроллеров piCmicro
- •11.2.1. Устройство управления четырьмя светодиодами
- •Incf portb, f ; включить крайний справа светодиод
- •11.2.2. Управление жки с помощью последовательного адаптера
- •11.2.3. Аналого-цифровое преобразование
- •11.3. Общие сведения о микроконтроллерах семейства avr
- •Режимы адресации программ и данных.
- •11.4. Примеры применения микроконтроллеров avr
- •11.4.1. Ик дальномер
- •Библиографический список
- •Оглавление
5.2.5. Температурная стабильность параметров пт
В усилительном режиме статическая ВАХ ПТ описывается соотношением Ic = Icн(1 – Uзи /Uо)2, а крутизна усиления – формулой S = 2Icн(1 – Uзи/Uо)/Uо. Из этих формул следует, что температурная стабильность ПТ в первую очередь определяется температурной стабильностью начального тока стока Icн и напряжения отсечки Uо. Возможность получения температурно стабильного режима в ПТ связана с тем, что температурные изменения параметров Icн и Uо по-разному влияют на изменение тока стока. Поэтому существует такое значение тока стока, при котором его температурный коэффициент близок к нулю. Определим условия получения температурно стабильного режима для тока стока. С этой целью прологарифмируем и продифференцируем формулу для Ic, разделив обе части полученного равенства на dT – приращения температуры. В результате имеем уравнение, связывающее температурные коэффициенты параметров Icн и Uо и напряжение затвор - исток ПТ, определяющее смещение рабочей точки:
ТКс = ТКм + 2ТКо (Uзи/Uо)/(1 – Uзи/ Uо),
где ТКс = (dIc/Ic)dT, ТКм = (dIcн/Icн)dT, ТКо = (dUо/Uо)dT – температурные коэффициенты соответствующих величин.
Так как Icн = 0,5 BUо2, то ТКм = ТКв +2ТКо. Приравняв нулю ТКс, получаем формулу для оценки смещения, необходимого для задания температурно стабильной рабочей точки:
(Uзи/Uо)т =(ТКв + 2ТКо)/(ТКв + 4ТКо), (5.26)
где ТКв = –0,8 %/K – температурный коэффициент крутизны усиления ПТ, обусловленный зависимостью подвижности носителей заряда от температуры; ТКо= –0,3 %/K – температурный коэффициент напряжения отсечки, обусловленный зависимостью высоты потенциального барьера p-n–перехода от температуры.
Подставив указанные значения в (5.26), получим
(Uзи/Uо)т = 0,7. (5.27)
Проделав аналогичные преобразования с уравнением для крутизны усиления, получим формулу для оценки смещения, необходимого для того, чтобы крутизна усиления не зависела от изменений температуры:
(Uзи/Uо)к = 0,73.
Поскольку оба условия близки по значению, то для дальнеших расчетов можно принять одно из них, например (5.27). Назовем это условие условием обеспечения температурно стабильной рабочей точки.
5.2.6. Передаточная функция и динамические свойства пт Инерционные свойства пт описываются передаточной функцией вида
S(p) = S/(1 + ps),
где s – постоянная времени крутизны усиления, представляющая собой произведение сопротивления канала на емкость затвор - канал; S – значение крутизны усиления на нулевой частоте. Возможности уменьшения постоянной времени s и соответственно повышения быстродействия ПТ связаны с уменьшением длины канала L, которая входит в формулу для s с показателем степени 2. В настоящее время наименьшую длину канала имеют МДПТ, поэтому их быстродействие несколько выше, чем у ПТ. Типовое значение s маломощных ПТ составляет 10–20 нс. Необходимо учитывать, что при включении ПТ в схему, общее быстродействие в значительной степени будет зависеть от инерционности внешних элементов, включая различные паразитные емкости и индуктивности монтажа.