
- •Федеральное агентство по образованию
- •1. Основы электрических измерений
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.2. Точностные характеристики средств измерений
- •1.3. Анализ статических погрешностей электронных схем
- •2. Простейшие электронные цепи и методы их анализа
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Применение операторного метода к расчету электрических цепей
- •2.2.1. Прямое преобразование Лапласа
- •2.2.2. Обратное преобразование Лапласа
- •3. Типовые структуры электронных устройств и их свойства
- •3.1. Последовательная структура и ее свойства
- •3.2. Параллельная структура и ее свойства
- •3.3. Встречно-параллельное соединение
- •3.4. Задачи
- •4. Пассивные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •4.1. Полупроводниковые диоды и стабилитроны
- •4.2. Примеры применения полупроводниковых диодов
- •4.3. Светодиоды
- •4.4. Фотодиоды
- •5. Активные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •5.1. Биполярные транзисторы и их применение
- •5.1.1. Структура и принцип действия биполярных транзисторов
- •5.1.2. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
- •5.1.3. Обеспечение усилительного режима бт в схемах
- •В результате получаем
- •5.1.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры бт
- •5.1.5. Амплитудно-частотные характеристики бт
- •5.1.6. Элементы транзисторной схемотехники
- •5.2. Полевые транзисторы и их применение
- •5.2.1. Классификация и общие особенности полевых транзисторов
- •5.2.2. Статические характеристики и дифференциальные параметры
- •5.2.3. Способы задания смещения в усилительных каскадах на пт
- •5.2.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры пт
- •5.2.5. Температурная стабильность параметров пт
- •5.2.6. Передаточная функция и динамические свойства пт Инерционные свойства пт описываются передаточной функцией вида
- •5.3. Задачи
- •6. Интегральные микросхемы и их классификация
- •7. Аналоговые интегральные микросхемы и их применение
- •7.1. Операционные усилители и их применение
- •7.1.1. Понятие идеального операционного усилителя
- •7.1.2. Принципы и примеры расчета схем с операционными усилителями
- •7.1.3. Динамические свойства устройств на операционных усилителях
- •7.1.4. Точностные характеристики устройств на операционных усилителях
- •7.1.5. Применение операционных усилителей
- •7.1.6. Задачи
- •7.2. Компараторы
- •7.3. Аналоговые ключи и коммутаторы
- •7.4. Устройства выборки-хранения
- •7.5. Интегральный таймер
- •7.5.1. Задачи
- •7.7. Справочные данные на оу
- •8. Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи
- •8.1. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
- •8.2. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •9. Цифровые интегральные микросхемы и их применение
- •9.1. Элементы алгебры логики
- •9.2. Основные типы цифровых имс
- •9.3. Параметры цимс
- •9.4. Комбинационные логические цепи
- •9.4.1. Основные разновидности комбинационных логических цепей
- •9.4.2. Синтез комбинационных логических цепей
- •9.5. Последовательностные логические цепи
- •9.5.1. Классификация последовательностных логических цепей
- •9.5.2. Триггеры
- •9.5.3. Регистры
- •9.5.4. Счетчики импульсов
- •9.6. Применение цифровых имс в импульсных цепях
- •9.7. Задачи
- •10. Микросхемы полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.1. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.2. Построение модулей памяти микропроцессорных систем
- •11. Элементы микропроцессорной техники
- •11.1. Общие сведения о микроконтроллерах семейства piCmicro
- •1. Ядро микроконтроллера
- •2. Периферийные модули
- •3. Специальные особенности микроконтроллеров
- •Ядро микроконтроллера
- •Порты ввода-вывода
- •Периферийные модули
- •11.2. Примеры применения микроконтроллеров piCmicro
- •11.2.1. Устройство управления четырьмя светодиодами
- •Incf portb, f ; включить крайний справа светодиод
- •11.2.2. Управление жки с помощью последовательного адаптера
- •11.2.3. Аналого-цифровое преобразование
- •11.3. Общие сведения о микроконтроллерах семейства avr
- •Режимы адресации программ и данных.
- •11.4. Примеры применения микроконтроллеров avr
- •11.4.1. Ик дальномер
- •Библиографический список
- •Оглавление
5.2.3. Способы задания смещения в усилительных каскадах на пт
Для
реализации усилительных свойств ПТ
используют в двух схемах включения: а)
с общим истоком (ОИ); б) с общим стоком
(ОС), называемую истоковым повторителем.
При включении с ОИ применяют внешнее и
автоматическое задание смещения НРТ.
На рис. 5.24 представлены выходные ВАХ ПТ
с выделенной областью усиления. Эта
область ограничена: а) осью абсцисс,
соответствующей режиму отсечки ПТ, при
котором ток стока равен нулю; б) гиперболой
максимальной мощности, устанавливающей
предельный температурный режим работы
ПТ; в) точкой Uсн
перехода на крутой участок ВАХ, после
которой ПТ входит в режим управляемого
сопротивления.
Рис. 5.24
Чтобы определить координату НРТ по оси тока, рассмотрим схему (рис. 5.25) с ОИ и внешним смещением. Для данной схемы имеем Ica = (E – Uca)/R2. Решаем совместно уравнения (5.15), (5.21) для Ica и получаем формулу, позволяющую оценить требуемое значение напряжения внешнего источника смещения для режима класса А:
(5.22)
Рис. 5.25. Принципиальная схема каскада с ОИ и внешним смещением
Пример. Дано: E = 15 В; R2 = 10 кОм; R1 = 100 кОм; полевой транзистор имеет параметры: начальный ток стока Iсн = 2 мА и напряжение отсечки Uо = 5 В. Какое напряжение должен иметь источник внешнего смещения Uсм = Uза, чтобы ПТ работал в линейном режиме усиления класса А?
Решение.
Так как все величины, входящие в правую часть (5.22), заданы, то
Откуда Uза = 7. Uо/16 7. 5/16 2,18 В.
Определяем координаты НРТ "а":
Uca = (E + Uсн)/2 = (E + (Uо – Uза))/2 = (15 + 5 – 2,18)/2 = 8,9 В;
Ica = (E – Uca)/R2 = (15 – 8,9)/10 кОм = 0,61 мА.
Делаем проверку по формуле (5.15):
Ica = Icн(1 – Uза/Uо)2 =2(1 – 7/16)2 0,63 мА.
Погрешность (0,63 мА – 0,61 мА = 0,02 мА, или примерно 3,3 %) возникла из-за округлений результатов расчетов. Учитывая тот факт, что в подобных случаях допускаются погрешности порядка 10 %, можно в качестве окончательных привести округленные результаты: Uсм 2,2 В; Ica 0,62 мА; Uca 9 В.
В схеме (рис. 5.26) необходимое смещение задается за счет падения напряжения тока стока на сопротивлении R3: Uсм = Ica. R3.
Рис. 5.26. Принципиальная схема каскада с автоматическим смещением
Механизм действия автоматического смещения заключается в следующем. Ток стока создает на резисторе R3 падение напряжения, плюсом к истоку. Так как управляющая цепь затвора из-за бесконечно большого сопротивления тока не потребляет, то ток в цепи "затвор – верхний вывод резистора R1 – нижний вывод резистора R1 – нижний вывод резистора R3 – верхний вывод резистора R3 – исток" не протекает. Поэтому можно считать, что низкий потенциал нижнего вывода резистора R3 приложен непосредственно к затвору, создавая запирающее транзистор смещение.
Цель расчета заключается в оценке требуемого значения R3, при котором ПТ будет работать в режиме класса А. Методика расчета, приведенная выше, в данном случае дополняется еще одним действием: по рассчитанным значениям Uсм и Ic производится расчет R3 = Uсм/Ica, что для приведенного примера дает R3 2,2 В/0,62 мА 3,5 кОм.
При усилении сигналов переменного тока на резисторе R3 будет падать напряжение, в результате чего коэффициент усиления в схеме с автоматическим смещением уменьшится по сравнению со схемой рис. 5.25. Для исключения этого недостатка резистор автоматического смещения шунтируют конденсатором, емкость которого выбирается из условия C2 >> 1/2fн R3. Физический смысл состоит в том, чтобы на самой нижней рабочей частоте fн входного сигнала сопротивление конденсатора C2 было много меньше сопротивления резистора R3. Тогда эквивалентное сопротивление параллельно соединенных C2 и R3 будет малым, а коэффициент усиления возрастет.
Для обеспечения правильной работы ПТ в схемах необходимо создавать между затвором и общим проводом гальваническую связь. В рассмотренных выше примерах данную функцию выполняет резистор R1. Сопротивление этого резистора оказывает влияние на входное сопротивление усилительного каскада, поэтому значение R1 выбирается достаточно большим (примерно сотни килоом).