- •Федеральное агентство по образованию
- •1. Основы электрических измерений
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.2. Точностные характеристики средств измерений
- •1.3. Анализ статических погрешностей электронных схем
- •2. Простейшие электронные цепи и методы их анализа
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Применение операторного метода к расчету электрических цепей
- •2.2.1. Прямое преобразование Лапласа
- •2.2.2. Обратное преобразование Лапласа
- •3. Типовые структуры электронных устройств и их свойства
- •3.1. Последовательная структура и ее свойства
- •3.2. Параллельная структура и ее свойства
- •3.3. Встречно-параллельное соединение
- •3.4. Задачи
- •4. Пассивные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •4.1. Полупроводниковые диоды и стабилитроны
- •4.2. Примеры применения полупроводниковых диодов
- •4.3. Светодиоды
- •4.4. Фотодиоды
- •5. Активные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •5.1. Биполярные транзисторы и их применение
- •5.1.1. Структура и принцип действия биполярных транзисторов
- •5.1.2. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
- •5.1.3. Обеспечение усилительного режима бт в схемах
- •В результате получаем
- •5.1.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры бт
- •5.1.5. Амплитудно-частотные характеристики бт
- •5.1.6. Элементы транзисторной схемотехники
- •5.2. Полевые транзисторы и их применение
- •5.2.1. Классификация и общие особенности полевых транзисторов
- •5.2.2. Статические характеристики и дифференциальные параметры
- •5.2.3. Способы задания смещения в усилительных каскадах на пт
- •5.2.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры пт
- •5.2.5. Температурная стабильность параметров пт
- •5.2.6. Передаточная функция и динамические свойства пт Инерционные свойства пт описываются передаточной функцией вида
- •5.3. Задачи
- •6. Интегральные микросхемы и их классификация
- •7. Аналоговые интегральные микросхемы и их применение
- •7.1. Операционные усилители и их применение
- •7.1.1. Понятие идеального операционного усилителя
- •7.1.2. Принципы и примеры расчета схем с операционными усилителями
- •7.1.3. Динамические свойства устройств на операционных усилителях
- •7.1.4. Точностные характеристики устройств на операционных усилителях
- •7.1.5. Применение операционных усилителей
- •7.1.6. Задачи
- •7.2. Компараторы
- •7.3. Аналоговые ключи и коммутаторы
- •7.4. Устройства выборки-хранения
- •7.5. Интегральный таймер
- •7.5.1. Задачи
- •7.7. Справочные данные на оу
- •8. Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи
- •8.1. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
- •8.2. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •9. Цифровые интегральные микросхемы и их применение
- •9.1. Элементы алгебры логики
- •9.2. Основные типы цифровых имс
- •9.3. Параметры цимс
- •9.4. Комбинационные логические цепи
- •9.4.1. Основные разновидности комбинационных логических цепей
- •9.4.2. Синтез комбинационных логических цепей
- •9.5. Последовательностные логические цепи
- •9.5.1. Классификация последовательностных логических цепей
- •9.5.2. Триггеры
- •9.5.3. Регистры
- •9.5.4. Счетчики импульсов
- •9.6. Применение цифровых имс в импульсных цепях
- •9.7. Задачи
- •10. Микросхемы полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.1. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.2. Построение модулей памяти микропроцессорных систем
- •11. Элементы микропроцессорной техники
- •11.1. Общие сведения о микроконтроллерах семейства piCmicro
- •1. Ядро микроконтроллера
- •2. Периферийные модули
- •3. Специальные особенности микроконтроллеров
- •Ядро микроконтроллера
- •Порты ввода-вывода
- •Периферийные модули
- •11.2. Примеры применения микроконтроллеров piCmicro
- •11.2.1. Устройство управления четырьмя светодиодами
- •Incf portb, f ; включить крайний справа светодиод
- •11.2.2. Управление жки с помощью последовательного адаптера
- •11.2.3. Аналого-цифровое преобразование
- •11.3. Общие сведения о микроконтроллерах семейства avr
- •Режимы адресации программ и данных.
- •11.4. Примеры применения микроконтроллеров avr
- •11.4.1. Ик дальномер
- •Библиографический список
- •Оглавление
5.1.5. Амплитудно-частотные характеристики бт
Основными причинами инерционности БТ являются: а) время, необходимое носителям для прохода через область базы; б) наличие барьерных емкостей переходов, на перезарядку которых требуется определенное время. При включении БТ во внешнюю цепь определяющим фактором становится (за исключением случая сверхвысоких частот) совокупная инерционность внешних элементов. Собственную инерционность БТ обычно отображают на формальном уровне зависимостью коэффициентов передачи тока от частоты или времени. В качестве моделей ПФ коэффициентов и БТ обычно используют наиболее простые функции интегрирующего типа (p) = /(1 + pa), (p) = /(1 + pb), где и – значения коэффициентов передачи тока на нулевой частоте (постоянном токе), a и b – постоянные времени коэффициентов передачи и соответственно. Чем больше постоянная времени, тем больше инерционность БТ и меньше его быстродействие. Возникает вопрос, в какой схеме включения с ОБ или ОЭ инерционность БТ меньше? Для ответа необходимо сравнить значения a и b, используя операторную форму связи коэффициентов передачи и : (p) = (p)/(1 – (p)) = /(1 – + pa) = [/(1 – )]/(1 + pa/(1 – )). Поскольку = /(1 – ), то (p) = /(1 + pa/(1 – )) = /(1 + pb). Таким образом, получаем
b = a/(1 – ) = ( + 1) . a. (5.10)
Из (5.10) следует вывод, что постоянная времени b в схеме с ОЭ больше, чем постоянная времени a в схеме с ОБ. Следовательно, в схеме с ОБ быстродействие БТ выше. Зная вид ПФ, можно перейти к АЧХ стандартным образом: заменить p = j и найти модуль полученного комплексного выражения. Проделав указанные операции для (p) и (p), получим
(5.11)

Рис. 5.12. Амплитудно-частотные характеристики БТ в схемах с ОЭ и ОБ
На рис. 5.12 представлены АЧХ БТ, из которых видно, что частота среза fа в схеме с ОБ больше частоты среза fb схемы с ОЭ. Однако большее быстродействие схемы с ОБ достигается за счет меньшего коэффициента передачи, так что площадь усиления (произведение коэффициента передачи на частоту среза) у обеих схем включения одинакова. На рис. 5.13 построены ЛАЧХ БТ, где использовано понятие частоты единичного усиления ft – частоты, на которой коэффициент передачи становится равным 1. ЛАЧХ имеет два участка: в диапазоне от 0 до fb – частоты среза коэффициент передачи постоянен и равен , в диапазоне от fb до ft коэффициент передачи с ростом частоты уменьшается со скоростью 20 дБ/дек или по закону
(f) = ft/f . (5.12)
ЛАЧХ для коэффициента передачи совпадает с осью абсцисс, т. к. 20Lg 1 = 0.

Рис. 5.13. Логарифмические АЧХ БТ с ОЭ и ОБ
Пример. Дано: БТ типа КТ 315 имеет коэффициент усиления по току = 50 и частоту единичного усиления 150 МГц. Какой коэффициент усиления будет иметь этот транзистор на частоте 10 МГц?
Решение. Оценим частоту среза, чтобы узнать, на каком участке находится частота 10 МГц: fb = ft/ = 150 МГц/50 = 3 МГц < 10 МГц. Таким образом, БТ работает на спадающем участке ЛАЧХ, и его коэффициент усиления составит (f) = ft/f = 150 МГц/10 МГц = 15.
