- •Федеральное агентство по образованию
- •1. Основы электрических измерений
- •1.1. Основные понятия и определения
- •1.2. Точностные характеристики средств измерений
- •1.3. Анализ статических погрешностей электронных схем
- •2. Простейшие электронные цепи и методы их анализа
- •2.1. Основные понятия и определения
- •2.2. Применение операторного метода к расчету электрических цепей
- •2.2.1. Прямое преобразование Лапласа
- •2.2.2. Обратное преобразование Лапласа
- •3. Типовые структуры электронных устройств и их свойства
- •3.1. Последовательная структура и ее свойства
- •3.2. Параллельная структура и ее свойства
- •3.3. Встречно-параллельное соединение
- •3.4. Задачи
- •4. Пассивные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •4.1. Полупроводниковые диоды и стабилитроны
- •4.2. Примеры применения полупроводниковых диодов
- •4.3. Светодиоды
- •4.4. Фотодиоды
- •5. Активные полупроводниковые компоненты электронных цепей
- •5.1. Биполярные транзисторы и их применение
- •5.1.1. Структура и принцип действия биполярных транзисторов
- •5.1.2. Характеристики и параметры биполярных транзисторов
- •5.1.3. Обеспечение усилительного режима бт в схемах
- •В результате получаем
- •5.1.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры бт
- •5.1.5. Амплитудно-частотные характеристики бт
- •5.1.6. Элементы транзисторной схемотехники
- •5.2. Полевые транзисторы и их применение
- •5.2.1. Классификация и общие особенности полевых транзисторов
- •5.2.2. Статические характеристики и дифференциальные параметры
- •5.2.3. Способы задания смещения в усилительных каскадах на пт
- •5.2.4. Малосигнальные эквивалентные схемы и усилительные параметры пт
- •5.2.5. Температурная стабильность параметров пт
- •5.2.6. Передаточная функция и динамические свойства пт Инерционные свойства пт описываются передаточной функцией вида
- •5.3. Задачи
- •6. Интегральные микросхемы и их классификация
- •7. Аналоговые интегральные микросхемы и их применение
- •7.1. Операционные усилители и их применение
- •7.1.1. Понятие идеального операционного усилителя
- •7.1.2. Принципы и примеры расчета схем с операционными усилителями
- •7.1.3. Динамические свойства устройств на операционных усилителях
- •7.1.4. Точностные характеристики устройств на операционных усилителях
- •7.1.5. Применение операционных усилителей
- •7.1.6. Задачи
- •7.2. Компараторы
- •7.3. Аналоговые ключи и коммутаторы
- •7.4. Устройства выборки-хранения
- •7.5. Интегральный таймер
- •7.5.1. Задачи
- •7.7. Справочные данные на оу
- •8. Цифро-аналоговые и аналого-цифровые преобразователи
- •8.1. Цифро-аналоговые преобразователи (цап)
- •8.2. Аналого-цифровые преобразователи (ацп)
- •9. Цифровые интегральные микросхемы и их применение
- •9.1. Элементы алгебры логики
- •9.2. Основные типы цифровых имс
- •9.3. Параметры цимс
- •9.4. Комбинационные логические цепи
- •9.4.1. Основные разновидности комбинационных логических цепей
- •9.4.2. Синтез комбинационных логических цепей
- •9.5. Последовательностные логические цепи
- •9.5.1. Классификация последовательностных логических цепей
- •9.5.2. Триггеры
- •9.5.3. Регистры
- •9.5.4. Счетчики импульсов
- •9.6. Применение цифровых имс в импульсных цепях
- •9.7. Задачи
- •10. Микросхемы полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.1. Классификация полупроводниковых запоминающих устройств
- •10.2. Построение модулей памяти микропроцессорных систем
- •11. Элементы микропроцессорной техники
- •11.1. Общие сведения о микроконтроллерах семейства piCmicro
- •1. Ядро микроконтроллера
- •2. Периферийные модули
- •3. Специальные особенности микроконтроллеров
- •Ядро микроконтроллера
- •Порты ввода-вывода
- •Периферийные модули
- •11.2. Примеры применения микроконтроллеров piCmicro
- •11.2.1. Устройство управления четырьмя светодиодами
- •Incf portb, f ; включить крайний справа светодиод
- •11.2.2. Управление жки с помощью последовательного адаптера
- •11.2.3. Аналого-цифровое преобразование
- •11.3. Общие сведения о микроконтроллерах семейства avr
- •Режимы адресации программ и данных.
- •11.4. Примеры применения микроконтроллеров avr
- •11.4.1. Ик дальномер
- •Библиографический список
- •Оглавление
5.1.3. Обеспечение усилительного режима бт в схемах
Представление БТ в виде (рис. 5.1) последовательно и встречно включенных диодов (модель Эберса – Молла) позволяет рассчитывать режимы работы транзисторных схем на постоянном токе. Эта модель является нелинейной вследствие нелинейности ВАХ диодов. В то же время основная область использования БТ связана с линейным (без искажения формы) усилением малых переменных во времени сигналов. Чтобы обеспечить линейный усилительный режим БТ, необходимо определенным образом задать смещение по постоянному току и поддерживать это смещение вне зависимости от колебаний температуры и напряжения питания. Самым простым способом задания подобного смещения является задание необходимого постоянного тока базы. На рис. 5.6 представлена схема усилительного каскада с ОЭ, в которой ток базы устанавливается с помощью общего источника напряжения E питания и резистора R1.

Рис. 5.6. Усилительный каскад с ОЭ
Возникает вопрос: как правильно выбрать сопротивление резистора R1 при известном и постоянном значении E, чтобы оптимально задать режим линейного усиления? Для пояснения этого вопроса рассмотрим реальные выходные ВАХ БТ с ОЭ, приведенные на рис. 5.7. На выходных ВАХ штриховкой выделены следующие области:
Область отсечки, где оба перехода БТ закрыты и электродные токи равны нулю. Напряжение Uк на коллекторе в этом случае равно напряжению питания E: Uк = E – Iк R2 = E (точка "с");
Область двойной инжекции (насыщения), когда оба перехода открыты и напряжение Uк<= Uб. Для данной конкретной схемы Uк = Uб = 0,6 В;
Область максимальной мощности рассеяния, в которой Pк = Iк Uк Pд – допустимая мощность рассеяния на коллекторе БТ.
Указанные области ограничивают область линейного усилительного режима. На выходных ВАХ построена также нагрузочная прямая, соответствующая заданным значениям E и R2 и пересекающая границы областей отсечки и насыщения в точках "с" и "b" соответственно. Таким образом, область линейного усилительного режима представляет множество точек, лежащих на отрезке нагрузочной прямой между точками "с" и "b".

Рис. 5.7. Выходные ВАХ БТ с ОЭ для режима линейного усиления
Введем понятие начальной рабочей точки (НРТ) как точки, определяющей ток коллектора и напряжение на нем при отсутствии входного переменного сигнала, сформулируем условие оптимальности линейного усилительного режима: "Оптимальное положение НРТ соответствует середине линейного участка выходных ВАХ БТ". На рис. 5.7 НРТ – это точка "а". Усилительный режим, для которого выполняется указанное условие оптимальности, носит название режима усиления класса А. Координаты НРТ "а" можно рассчитать по формулам
Uка = 0,5 (E + Uб), Iка = 0,5 (E – Uб)/R2. (5.6)
Чтобы оценить сопротивление R1, необходимое для установки НРТ "а", надо совместно решить уравнения для: а) тока базы Iба = (E – Uб)/R1; б) тока коллектора Iка = 0,5(E – Uб)/R2; в) связи этих токов Iба = Iка/.
