- •Оглавление
- •Предисловие
- •I. Магнитные свойства. Общая характеристика
- •Основные магнитные характеристики
- •Магнитный момент изолированного атома
- •II. Диамагнетизм Ларморовский диамагнетизм атомов с полностью заполненными внутренними оболочками
- •III. Парамагнетизм
- •Ланжевеновский парамагнетизм
- •Природа эффекта замораживания орбитального углового момента
- •Парамагнетизм Ван Флека
- •Парамагнитная и диамагнитная восприимчивость электронов проводимости
- •IV. Ферромагнетизм
- •Внутреннее молекулярное поле Вейсса (p.Weiss)
- •Модель Гейзенберга.
- •V. Антиферро- и ферримагнетизм
- •Ферримагнетики.
- •VI. Доменная структура Ферромагнитные домены
- •Границы доменов
- •VII. Методы наблюдения микромагнитных структур
- •М етод магнитной суспензии (метод порошковых фигур)
- •Магнитооптические методы
- •VIII. Сложные микромагнитные структуры
- •Страйп-структуры
- •Цилиндрические магнитные домены (цмд)
- •Микромагнетизм одноосных кристаллов
- •Микромагнитная структура мелких частиц
- •IX. Микромагнетизм нанокристаллических ферромагнетиков
- •Теория Герцера
- •Наведенная магнитная анизотропия
- •X. Динамика намагничения
- •Н Рис.10.2. Перераспределение магнитных моментов в кубическом кристалле для внешнего поля: (a) н || [100]; б) h || [110]. Амагничение смещением доменных стенок
- •Вращение магнитных моментов
- •Динамические свойства ферромагнетиков
- •XI. Магнетизм низкоразмерных структур. Магнитные многослойные системы
- •Гигантское магнитное сопротивление (gmr)
- •Магнитные нанонити (1d системы)
- •Магнитные наноточки (0d системы).
- •Методы получения магнитных наноточек
- •Самоорганизованные суперрешетки магнитных частиц
- •XIII. Материалы и устройства спинтроники Устройства спинтроники
- •Магнитные полупроводники в спинтронике
- •Зонная структура сплавов Гейслера
- •Современные магнитные носители информации Современные тенденции в развитии накопителях на жестких дисках
- •Магнитооптические носители информации
- •Магнитная память произвольной адресации (mram - magnetic/magnetoresistive random access memory)
- •Высокочастотные магнитные устройства
- •Интегрированные индукторы в рч –области
- •Литература
- •Глава VI:
- •Глава VII:
- •Глава VIII.
- •Глава IX.
- •Глава X.
- •Глава XI.
- •Глава XII.
- •Глава XIII.
- •Глава XIV.
- •Глава XV.
Парамагнетизм Ван Флека
Пусть полный угловой момент J=0. Это имеет место, например, в случае заполнения оболочки на 1 электрон меньше, чем наполовину. Тогда, в соответствии с правилами Хунда, L = l, S = 2l1/2 = l и J = |L-S| = 0. Основное состояние не вырождено (кратность 2J+1 = 1). Линейный член в (1.43) обращается в нуль (J =0), как и в случае заполненной оболочки. Однако, в отличие от этого, 2-й член в (1.43) не должен обращаться в нуль. Т.е. в этом случае (1.43) имеет вид
E0=(e2/8m)H2<0(xi2+yi2)0> - n <0BH(L+g0S)n>2 / (En-E0). (3.17)
При этом
= -N/V 2E0/H2 =
-N/V{e2/4mc2<0(xi2+yi2)0> + 2B2n <0Lz+g0Sz2n> /(En-E0)}. (3.18)
Как было показано в предыдущей главе, 1-ый член соответствует диамагнитной восприимчивости. 2-й член имеет противоположный знак, т.к. En > E0. Т.о. этот член способствует ориентации магнитных моментов параллельно () полю. Такое поведение соответствует парамагнетизму, в данном случае -парамагнетизму Ван Флека (J. Van Vleek, 1927г.). Этот вклад существенен при условии, что в термодинамическом равновесии вероятность всех состояний, кроме основного, мала, и, следовательно, условие ванфлековского парамагнетизма
= Еn - E0 >> kBT. (3.19)
В противном случае ближайшие по энергии мультиполи J 0 будут давать вклад и описание усложняется.
Парамагнетизм Ван Флека связан с возможностью перехода из возбужденных (деформированных, поляризованных) состояний в основное состояние системы слабовозбужденных атомов, молекул, у которых оболочки не обладают сферической симметрией. Вещества, содержащие парамагнитные ионы с синглетным основным состоянием, называются поляризационными или ванфлековскими парамагнетиками.
Примеры: соединения, содержащие Eu3+ , Sm3+; E1-E0 300 см-1 (0.04 эВ) (Eu3+), поэтому paraVV = const (T) 10-2 при Т < 100 К.
Парамагнитная и диамагнитная восприимчивость электронов проводимости
Парамагнетизм Паули.
До сих пор вклад электронов проводимости в магнитные свойства не учитывался. При рассмотрении влияния электронов используется приближение свободных электронов, учитывается только спиновый угловой момент и не учитывается заряд электрона. Каждый электрон вносит вклад в намагниченность, равный -B/V, считая g0 = 2, если SH и +B/V, если SH, тогда намагниченность
M
Рис.
3.3.
Парамагнетизм Паули.
Пусть g(E)dE –плотность состояний, т.е. отнесенное к единице V число электронов с определенным значением спина («+» соответствует параллельной (), «-» - антипараллельной () ориентации спинов) и с энергией в интервале Е Е+dE.
В отсутствие поля (H=0): g(E)=1/2g(E) , (3.21)
Если же H0, то
E = -gBH при SH и E = +gBH при SH, (3.22)
электроны с и направлениями спина перераспределяются так, что на поверхности Ферми их энергии равны (рис.3.3), а плотности состояний g+(E) и g-(E) различны:
g+(E)=1/2g(E+BH); (3.23а)
g-(E)=1/2g(E-BH). (3.23б)
Число электронов в единице объема
n=dEg(E)f(E), (3.24)
где f=1/(e(E - )+1) – распределение Ферми-Дирака.
Воспользуемся равенством n=n++n- и (3.23), чтобы исключить химический потенциал . В невырожденном случае (Е- >> kBT, fexp [-(E-)]) мы приходим к полученным ранее выражениям для парамагнетизма диэлектриков с намагниченностью, совпадающей с (3.11) (закон Кюри - Бриллюэна M=N/V gμBJBJ(gμBJH)) с J = 1/2, β = kBT.
Однако, чаще в металлах - сильное вырождение, т.е. Е- << kBT. Плотность уровней g(E) существенным образом меняется только в масштабе EF, а поскольку BН ~ 10-4 ЕF, даже в поле 104 Гс, то можно разложить по малому параметру BН:
g(E)=1/2g(EBH)=1/2g(E)1/2BHg'(E); (3.25)
n=1/2g(E)f(E)dE1/2BHdEg'(E)f(E). (3.26)
При этом n=g(E)f(E)dE, что совпадает с формулой для H=0, поэтому можно считать, что химпотенциал имеет такое же значение, что и при H=0:
=EF[1+О((kBT/EF)2)]. (3.27)
В соответствии с (3.20), из (3.21) и (3.26) получаем:
M=B2Hg'(E)f(E)dE. (3.28)
Или, интегрируя по частям,
M=B2Hg(E)(-f/E)dE. (3.29)
При T=0 : -f/E=(E-EF) и тогда
M=B2Hg(EF), =B2g(EF). (3.30)
Эти формулы описывают парамагнетизм Паули.
Поскольку температурные поправки к -f/E имеют порядок (kBT/EF)2 формулы (3.30) остаются справедливыми до очень высоких температур (T104К). В парамагнетизме Паули М и от температуры практически не зависят, в противоположность парамагнетизму ионов ( ~ 1/T).
В случае свободных электронов g(EF)=mkF/22 и, соответственно,
P=(/2)2(a0kF), =e2/c=1/137, P=(2.59/(rs /a0)*10-6 ~ 10-6. (3.31)
parPauli = parion (T/TF). Pteor ~ 0.66 10-6, Pexp = 2.0 10-4.
Диамагнетизм Ландау.
П
Рис.
3.4.
Температурная зависимость (T).
L=-1/3P. (3.32)
В эксперименте разделить вклады диамагнетизма Ландау, ларморовский диамагнетизм, парамагнетизм Паули и ионный (Ланжевена) - сложная задача. Один из способов - ЯМР.
Учитывая диамагнетизм Ландау, парамагнетизм электронов проводимости в металлах составляет par= 2/3P . Схематически температурная зависимость парамагнитных и диамагнитных свойств проиллюстрирована на рис.3.4.