- •1. Інформаційні технології схемотехнічного проектування в радіоапаратобудуванні
- •1.1. Мета, завдання, основи автоматизації проектування ез
- •1.1.1. Загальні положення
- •1.1.2. Зміст дисципліни.
- •1.1.3. Основи інформаційних технологій схемотехнічного проектування ез
- •1.2 Загальнi положення I класифікація моделей ез
- •1.2.1 Загальні положення
- •1.2.2. Класифікація моделей
- •1. 3. Параметри моделей і їх iдентифікація
- •2. Інформаційні технології моделювання компонентів ез
- •2. 1. Моделі пасивних компонентів ез
- •2. 1. 1. Загальні положення
- •2. 1. 2. Моделі пасивних елементів
- •2. 2. Моделі активних компонентів
- •2. 2. 1. Моделі активних елементів
- •2. 2. 2. Моделі активних компонентів
- •2. 3. Гiпермоделi активних компонентів
- •2. 3. 3. Гiпермодель біполярного та уніполярного транзисторів
- •3.1.2. Типові каскади оп та їх моделі
- •3. 1. 3. Три типи макромоделей оп
- •4.2. Гiпермоделi оп
- •3. 3. Макромоделi аналогових пристроїв на базі оп і перемножувачів
- •3. 3. 1. Макромоделi лiнійних безінерційних пристроїв на оп
- •3. 3. 2. Нелiнійні безінерційні пристрої на основі оп
- •3. 3. 3. Моделі лiнійних динамічних пристроїв на оп
- •3. 3. 4. Макромоделi аналогових пристроїв на основі перемножувачів
- •3. 4. 2. Моделювання аналогових пристроїв в частотній області
- •I1потр, i0потр, u1, u0.
- •4. 3. Макромоделi цифрових пристроїв ез
- •4. 3. 1. Моделі вхідних каскадів цифрових пристроїв ез
- •4. 4. 2. Моделі порогових функцій і логічніх елементів, що управляються
- •4. 4. 3. Моделювання цап і ацп
- •5.1.2. Топологічні матриці схеми ез
- •5.1.3. Вибір компонентного базиса і топологічних матриць
- •5.2. Методи подання стану схеми ез
- •5.2.1. Табличний метод
- •5.3.2. Метод опису статики лiнійних пристроїв ез
- •5.3.3. Методи опису статики нелiнійних пристроїв ез
- •5.4. Методи опису динамічних функціональних властивостей ез
- •5.4.1. Загальні положення
- •5.4.2. Явні методи
- •5.4.3. Неявні методи
- •6.1.4 Декомпозиція логічних функцій
- •6.1.5. Реалізація функціонально-логічних властивостей цифрових ез
- •6.2. Методи моделювання функціонально-логічних схем
- •6.2.1. Синхронне моделювання
- •6.2.2. Асинхронне моделювання
- •6.2.3. Моделювання функціонально-логічних схем на основі трьохзначної логіки
- •6.2.4. Моделювання функціонально-логичних схем на основі п’ятизначної логіки
2. Інформаційні технології моделювання компонентів ез
2. 1. Моделі пасивних компонентів ез
2. 1. 1. Загальні положення
Під компонентом ЕЗ будемо розуміти деякий фрагмент електричної схеми виконаний в конструкторському виді що володіє певними функціональними властивостями.
Число полюсів компоненту більше або рівно двом, що описуються полюсними струмами і межполюсними напругами. Модель компоненту відносна до рівня детального моделювання. По іншим рівням модель компоненту спромагається бути будь-якой.
Моделі компонентів можна розділити на формальні і фізичні. Формальні описують зв'язок струмів і напругів в полюсах без урахування фізики процесу. Фізичні, в свою чергу, поділяються на електричні, іфiзико-топологичні, технологічні. В електричних моделях базовими параметрами є електричні моделі. Для фiзико-топологичних моделей вихідними параметрами є параметри структури і фізичні параметри матеріалу. В технологічних базовими є параметри технології одержання цього об'єкту.
Під елементом будемо розуміти фізичну концентрацію властивостей.
Компонент це реалізація елементу.
2. 1. 2. Моделі пасивних елементів
Під пасивними елементами будемо розуміти елементи, що не містять постійних чи змінних джерел сигналу, чи еквівалентні їм властивості.
|
1) R=const 2) R=R(i) 3) R=R(U) 4) R=R(t U=fi(i); |
U(t)=i(t)R U(t)=i(t)R[i(t)] i(t)=U(t)/R[U(t)] U(t)=i(t)R(t) i=fU(U). |
|
1) G=const 2) G=G(i 3) G=G(U) 4) G=G(t) U=i(i); |
i(t)=U(t)G U(t)=i(t)/G[i(t)] i(t)=U(t)G[U(t)] i(t)=U(t)G(t) i=U(U). |
|
1) i(t)=(d/dt)Q[U(t)]=QU/Ut 2) Q/U=const=C iC(t)=CdUC/dt; 3) C=C(t) i(t)=d/dt[C(t)U(t)]=CU(t)/t+C(t)dU/dt
|
|
|
1) U(t)=d/dt[i(t)]=i/it 2) /i=const=L UL(t)= diLL/dt
3) U(t)=d/dt[L(t)i(t)]=Li(t)/t+L(t)di/dt
|
|
|
U1(t)=M11dU/dt+M12di2/dt U2(t)=M21di1/dt+M22di2/dt M11=L1 M12=M M22=L2 M21=M.
|
Часто використовуються структура з розподільними параметрами. Величини R, C, L є погонними параметрами.
Моделі пасивних компонентів
Моделі пасивних компонентів будуються на основі пасивних елементів. Розглянемо моделі опіра постійного опору, конденсатора, iндуктiвностi:
Визначимо опис моделі:
|
U(t)=i2(t)R+Ldi2/dt I1(t)=CdU/dt i(t)=i1(t)+i2(t)
|
Знайдем перехідні характеристики, при подачі:
U1(t)=i2(t)R+Ldi1/dt;
U/P=i2(p)R+pLI2(p)I2(p)=U/p(R+pL);
I2(p)=U/pL((R/L)+p);
1/p((R/L)+p)p=(A/p-0)+B/(p-(-R/L));
AP+AR/L+BP=1;
A+B=0 AR/L=1 A=1/R B=-A
I2(p)=(U/R)[(1/p-0)-(1/p-(-R/L))];
2. 2. Моделі активних компонентів
2. 2. 1. Моделі активних елементів
В відміні від пасивних, активні компоненти містять джерела постійних чи змінних сигналів, чи еквівалентні властивості. При моделюваннi електричних моделей використовують джерела струму і напругу в якості активних компонентів.
Ідеальне джерело напруги:
dU/di=0.
Розглянемо реальні джерела напругу:
Також існують джерела, що управляються струмом.
Джерела струму
I=const;
I=U(U); U={U1,...,Un}, i={i1,...,in};
I=i(i).
Для побудови фізичних, фiзико-топологичних і технологічних, у вигляді активних застосовують:
|
- элемент дифузії (дифузанс); Id=HdP/x; |
|
- элемент рекомбінації (рекомбенанс); IC=HCP;
|
|
- элемент накопичування (сторанс); IS=SP/t;
|
|
- генератор; Ir=HCP0, де Р0- початкова концентрація.
|
Коефіціенти Нс, Нd, S залежать від температури, рухомості зарядів, часу дифузії і інших технологічних і топологичних чинників. Вони є iдентефикациями відповідних коефіціентів в рівняннях безперервності.