- •Е.А. Дергунова, р.Т. Алиев, и.Н. Губкин, п.В. Коновалов,
- •115409, Москва, Каширское ш., 31 Введение
- •Содержание
- •3. Оборудование, приборы и материалы
- •4. Содержание и порядок выполнения работы
- •4.1. Металлографический анализ
- •4.2. Определение отношения медь/не медь.
- •5. Форма рабочего журнала (отчет)
- •6.Контрольные вопросы
- •6.1 Входной контроль
- •6.2 Завершающий контроль.
- •7 Список литературы
- •Принцип действия сканирующего электронного микроскопа
- •3. Оборудование, приборы и материалы
- •4. Содержание и порядок выполнения работы
- •4.1 Практические навыки, приобретаемые студентом
- •4.2 Методические указания по выполнению работы
- •5. Форма рабочего журнала (отчета)
- •6.Контрольные вопросы
- •6.1 Входной контроль
- •6.2 Завершающий контроль
- •7. Список литературы
- •3. Оборудование, приборы и материалы
- •4. Содержание и порядок выполнения работы
- •4.1 Порядок выполнения работы.
- •4.2. Методические указания по выполнению работы.
- •5. Форма рабочего журнала (отчет)
- •Работа №4 Изучение методики определения угла обратного пружинения единичных сверхпроводников на основе ниобий-титановых сплавов
- •1. Цель работы
- •2. Теоретическое введение
- •3. Оборудование, приборы и материалы
- •4 Содержание и порядок выполнения работы
- •4.1 Определение упругости
- •4.2 Определение адгезии
- •4.3. Порядок выполнения
- •4.3 Требования безопасности
- •5. Форма рабочего журнала (отчет)
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Список литературы
- •Работа №5 Металлографические исследования композиционных втсп-проводников на основе фазы Bi-2223 / Ag
- •1. Цель работы
- •2. Теоретическое введение
- •2.1. Втсп на основе фазы Bi2Sr2Ca2Cu3Ox (Bi-2223)
- •2.2. Втсп второго поколения
- •2.3. Диборид магния MgB2
- •3. Оборудование, приборы и материалы:
- •4. Содержание и порядок выполнения работы
- •4.1. Изучение конструкции и особенностей микроструктуры сверхпроводников Bi-2223/Ag
- •4.2. Вычисление коэффициента заполнения по керамике
- •4.3. Расчёт плотности тока
- •4.4. Практические навыки, приобретаемые студентом
- •5. Форма рабочего журнала (отчёта)
- •6. Контрольные вопросы
- •3. Оборудование, приборы и материалы
- •4. Содержание и порядок выполнения работы
- •4.1 Определение удельного электрического сопротивления композитных проводников при комнатной температуре.
- •4.2 Определение отношения удельных электросопротивлений композитных проводников и меди при комнатной и криогенных температурах
- •5. Форма рабочего журнала (отчет)
- •6. Контрольные вопросы
- •7. Список литературы
- •Лабораторная работа №1 Контроль структуры и строения композитных сверхпроводников на основе Nb3Sn
- •Лабораторная работа №2 Исследование структуры композиционных сверхпроводников с использованием методов сканирующей электронной микроскопии и микрорентгеноспектрального анализа
- •Лабораторная работа № 3 Изучение метода испытаний на острый изгиб единичных сверхпроводников на основе ниобий-титановых сплавов
- •Лабораторная работа № 4 Изучение методики определения угла обратного пружинения единичных сверхпроводников на основе ниобий-титановых сплавов
- •Лабораторная работа №5 Металлографические исследования композиционных втсп-проводников на основе фазы Bi-2223 / Ag
- •Лабораторная работа №5 Определение удельного электросопротивления и отношения электросопротивлений при комнатной и криогенных температурах композиционных сверхпроводников, нанокомпозитов и меди.
4. Содержание и порядок выполнения работы
В работе используются образцы композиционных сверхпроводников на основе NbTi сплавов и интерметаллического соединения Nb3Sn различных конструкций, изготовленные для исследования структуры сверхпроводников с использованием методов сканирующей электронной микроскопии и микрорентгеноспектрального анализа, а также для контроля качества полуфабрикатов на отдельных стадиях технологических операций.
В работе проводится:
Ознакомление с устройством сканирующего электронного микроскопа Hitachi S-2300 и рентгеноспектрального микроанализатора Oxford Instruments Link ISIS-300.
Ознакомление с основными этапами фрактографического анализа при работе на сканирующем электронном микроскопе.
Ознакомление с основными этапами микрорентгеноспектрального анализа при работе на микроанализаторе.
Ознакомление с основными приемами подготовки образцов сверхпроводников различных типов для проведения анализа на сканирующем микроскопе и микроанализаторе.
В работе выполняется:
Размещение подготовленных образцов сверхпроводников на предметном столике микроскопа, с последующей его установкой в вакуумной камере микроскопа.
Установка и настройка параметров сканирующего микроскопа и микроанализатора для проведения анализа.
Фотосъёмка фрагментов поперечных сечений сверхпроводников различных типов с целью определения диаметра волокна и межволоконных расстояний. (Работа проводится на шлифах поперечных сечений сверхпроводников после химического травления)
Фотосъёмка фрагментов поперечных сечений Nb3Sn сверхпроводников с целью определения толщины диффузионного барьера. (Работа проводится на шлифах поперечных сечений сверхпроводников после химического травления)
Фотосъёмка излома Nb3Sn сверхпроводника с целью определения размеров зон столбчатых и равноосных зёрен интерметаллида Nb3Sn. (Работа проводится на изломе поперечного сечения провода)
Количественный анализ химического состава волокон и матрицы в сверхпроводниках различных типов. (Работа проводится на шлифах поперечных сечений сверхпроводников после химического травления)
Анализ полученных результатов и составление отчета по итогам работы, в соответствии с индивидуальным заданием.
4.1 Практические навыки, приобретаемые студентом
Умение выполнять простейшие операции при работе на сканирующем электронном микроскопе Hitachi S-2300:
Подготовка микроскопа к работе
Загрузка-выгрузка образцов через шлюзовую камеру с предварительной откачкой форвакуумным насосом
Изменение увеличения и режимов просмотра и съёмки изображения
Завершение работы на микроскопе
Умение выполнять фрактографический анализ при работе на сканирующем электронном микроскопе
Навыки работы с программным комплексом для получения цифрового изображения с электронного микроскопа Hitachi S-2300 и управления работой рентгеноспектрального микроанализатора Oxford Instruments Link ISIS-300.
Умение выполнять микрорентгеноспектральный анализ на рентгеноспектральном микроанализаторе Oxford Instruments Link ISIS-300.
Получение рентгеновского спектра в нужной точке образца и со всей площади снимка.
Ручной и автоматический выбор анализируемых элементов.
Умение определять размеры структурных составляющих композиционных сверхпроводников по электронным снимкам