- •Дискретные электронные компоненты сау
- •А. Полупроводниковый диод
- •Б. Биполярный транзистор
- •В. Транзистор Дарлингтона
- •Г. Полевыетранзисторы
- •Д. Igbt транзисторы
- •Е. Тиристоры и семисторы.
- •Ж. Свето и фотодиоды, фототранзисторы, оптопары.
- •З. Силовые приборы с оптроннойразвязкой
- •И. Рекомендациипо выбору типовполупроводниковыхключей
- •Операционные усилители
- •А. Идеальный операционный усилитель
- •Б. Типовыесхемы включенияОу
- •В. Технологии производства оу и отличия реальных схем от идеальных.
- •Технологии и типовые элементы для обработки дискретной информации
- •А. Транзисторно-транзисторная логика ттл и транзисторно- транзисторная логика с диодами Шоттки.
- •В. Типовые клс в сау, оформлениеих выходов
- •Последовательностные схемы
- •А. Интегральные триггеры
- •Б. Регистры
- •В. Схемы памяти
- •Средства цифроаналоговой обработки информации
- •А. Аналоговые коммутаторы.
- •Б. Цифроаналоговые преобразователи
- •В. Аналого-цифровые преобразователи
- •Расчет и проектирование средств сопряжения системы управления с объектом
- •А. Выбор и расчет средств реализации дискретного управленияДу
В. Транзистор Дарлингтона
Транзистор Дарлингтона представляет из себя прибор, в котором сформированы два биполярных транзистора, включенных по схеме эмиттерного повторителя (рис. 2.7). На прин- ципиальных схемах такие приборы изображают как обычные биполяр-
ные транзисторы.
Коэффициент усиления по току для такой схемы будет равен произ-
б к
|
| |
|
|
R б э
Рис. 2.7.
ведению коэффициентов усиления отдельных транзисторов и соста- вит уже в активном режиме до 10000 и более 100 в режиме насыще- ния. Резистор Rб обычно встроен в схему и необходим для обеспече- ния линейности схемы в режиме малых токов. При этом базовый ток, открывающий второй транзистор поступает на него, минуя первый. Дляключевых транзисторов это несущественно.
63
У очень недорогого отечественного транзистора КТ829, выполненного по схеме Дарлинг- тона и рассчитанных на предельный ток в 10А, базовый ток в режиме насыщения состав- ляет около20 мА.
Динамические потери при переключениях на высоких частотах в несколько десят- ков килогерц становятся заметными при широтно-импульсном регулировании. Для ключа, просто включающего или отключающего клапан эти потери несущественны. Для умень- шения динамических потерь следует применять более высокочастотные транзисторы. Здесь неоспоримое преимущество получают полевые транзисторы, работающие на носи- телях заряда одного типа, особенно n, поскольку у них отсутствуют потери времени на ре- комбинацию носителей.
Устойчивость теплового равновесия повышают, применяя радиаторы для охлажде- ния транзистора. Рекомендуется включать низкоомный резистор с сопротивлением поряд- ка0,3 Омаи высоким положительным ТКС последовательно снагрузкой.
Принципиальная электрическая схема ключа на транзисторе Дарлингтона типа КТ829Гприведена на рис. 2.8.
+ Uвя
Обозначение |
Тип, номинал |
DA1 |
АОТ 128 Б |
DA2 |
АОТ 101 АС |
VT1 |
КТ 829 Г |
C1 |
0,15 мкФ |
R1 |
360 Ом |
R2 |
470 кОм |
R3 |
200 Ом |
R4 |
68 Ом |
R5 |
Резистор проволочный 0,3 Ом |
R6 |
470 Ом |
Rн |
Сопротивление нагрузки |
С1 R5
R1
R4
DA2
Rн
Вкл0
DA1
Перегрузка
VT1
+ Uн
R2 R3 R6
Рис. 2.8.
Такие ключи применялись в отечественном контроллере «Орион 3», которые вы- пускались, тогда еще в СССР, в конце 80-х годов. Но основные технические решения, за- ложенныев схему, до сих пор непотеряли своейактуальности.
Управляемая нагрузка представлена здесь резистором Rн, на который подано пита- ние +Uн. Если нагрузка носит индуктивный характер, ее следует зашунтировать защитны- ми диодами, как мы делали ранее. Кстати, защитный диод VD2 (рис. 2.6), включенный па- раллельно транзистору на землю здесь не обязателен, поскольку транзистор КТ 829 Г, примененный в качестве ключевого, не боится отрицательного выброса напряжения на коллекторе.
В схеме реализован принцип гальванической развязки питания и сигналов вычис- лительного ядра и объекта управления. Скоро мы более подробно изучим транзисторные оптопары DA1 и DA2. Как только сигнал Вкл0 переводится вычислительным ядром в низ- кий уровень, загорается светодиод микросхемы DA1 и освещается база-эмиттерный пере- ход ее фототранзистора, который открывается. При этом эмиттерный токфототранзистора поступает в базу транзистора VT1 и открывает его. Резистор R1 ограничивает ток фото- диода. Его расчета мы коснемся при рассмотрении оптопар, резистор R2 ограничивает темновой ток фототранзистора. Резистор R3 предназначен для отвода остатков темнового тока и надежного закрытия транзистора VT1 при отсутствии сигнала включения. При токе фототранзистора менее 3 мА ключевойтранзистороткрыватьсянебудет (почему?).
Если ток через ключевой транзистор превысит 5А, падение напряжения на резисто- ре R5 достигнет 1,5 В. Это специальный проволочный резистор с нелинейным положи- тельным ТКС. За счет выделяемой на нем мощности (какой?) он нагреется и его сопро- тивление практически удвоится. Как только конденсатор С1 зарядится до напряжения бо- лее 2 вольт, в светодиоде оптопары DA2 сформируется достаточный для его зажигания ток. Откроется фототранзистор этой оптопары и при токе через него более 5 мА на рези- сторе R6 сформируется сигнал логической единицы «Перегрузка». Сигнал логической
64
единицы обычно соответствует напряжению более 2,4В (см. Дискретные логические эле- менты САУ). Этот сигнал поступит на вычислительное ядро и вызовет подпрограмму об- служивания прерывания ситуации, когда ток на ключевом транзисторе превысил 5А. Дело программиста описать соответствующую реакцию: выключить ли ключ, подать звуковой сигнал или еще что-то. Здесь уже все зависит от того, каким техпроцессом и элементом управляет ключ. Кроме подачи сигнала вычислительному ядру, резистор R5 просто огра- ничит коллекторный ток ключевого транзистора, не допуская, точнее, снижая вероятность выхода его из стоя из-за локального перегрева кристалла транзистора. Также общий на- грев кристалласнижается засчет, что транзисторзакрепленнарадиаторе.
Видите, как много мер принято для стабилизации теплового равновесия. Прежде всего, это говорит о важностии актуальности этой проблемы.