1.3. Схема цепи питания и стабилизации режима работы транзистора

Схема включения биполярного транзистора с общим эмиттером и с эмиттерной стабилизацией представлена на рисунке 1.

Рис 1. Схема транзистора с общим эмиттером и эмиттерной стабилизацией

1.4. Построение нагрузочной прямой по постоянному току

Для описания свойств транзистора используют входные и выходные семейства характеристик. Входной характеристикой называется зависимость входного тока от входного напряжения при постоянном выходном напряжении. Выходной статической характеристикой называется зависимость выходного тока от напряжения между выходными электродами транзистора при постоянном входном токе (рис.2).

Рис 2. Входные и выходные характеристики используемого транзистора

Нагрузочная прямая строится в соответствии с уравнением:

где E_п – напряжение питания,

U_кэ – напряжение коллектор-эмиттер,

I_к – ток коллектора,

R_к – сопротивление цепи коллектора,

R_э – сопротивление эмиттера.

Нагрузочная прямая строится по двум точкам:

• п ри I_к = 0 и U_кэ = E_п = 12 В

• при U_кэ=0 и

Рабочая точка выбирается посередине участка насыщения в точке пересечения нагрузочной прямой с выходной характеристикой (рис.3).

Рис 3. Семейство выходных характеристик транзистора КТ201А

Параметры режима покоя, определяемые по выходной характеристике (рис.3):

U_кэ⁰ = 6,5 В, I_к⁰ = 6 мА.

Параметры режима покоя, определяемые по входной характеристике (рис.4):

I_б⁰ = 0,1 мА, U_бэ⁰ = 0,67 В.

Рис 4. Семейство входных характеристик транзистора КТ201А

1.5. Определение малосигнальных параметров транзистора

1. Входное сопротивление, измеряемое при коротком замыкании на выходе транзистора:

2. Коэффициент передачи по току, измеряемый при коротком замыкании на выходе транзистора:

3. Выходная проводимость, измеряемая при холостом ходе на входе транзистора:

4. Коэффициент обратной связи, измеряемый при холостом ходе на входе транзистора для всех типов биполярных транзисторов и рабочих точек принят .

1.6. Определение величин эквивалентной схемы транзистора

Для расчета физических величин воспользуемся малосигнальной высокочастотной схемой транзистора - схемой замещения биполярного транзистора (схема Джиаколетто) представленной на рис. 5.

Рис 5. Физическая малосигнальная высокочастотная схема замещения транзистора

Барьерная ёмкость коллекторного перехода:

U_кбпасп = 10 В

С_кпасп = 50 пФ

Выходное сопротивление транзистора:

Сопротивление коллекторного перехода:

Сопротивление эмиттерного перехода для эмиттерного тока:

Сопротивление эмиттерного перехода для базового тока:

Распределение сопротивления базы:

Диффузионная ёмкость эмиттерного перехода:

Собственная постоянная времени транзистора:

Крутизна транзистора: