
- •Глава 5 биполярные транзисторы
- •5.1. Принцип действия биполярного транзистора. Режимы работы
- •5.1.1. Общие сведения
- •5.1.2. Физические процессы в бездрейфовом биполярном транзисторе
- •5.1.3. Влияние режимов работы бт на токи электродов
- •5.2. Электрическая модель биполярного транзистора в статическом режиме (модель Эберса - Молла)
- •5.3. Статические характеристики биполярных транзисторов
- •5.3.1. Схема с общей базой
- •5.3.2. Схема с общим эмиттером
- •5.3.3. Влияние температуры на статические характеристики бт
- •5.3.4. Зависимость коэффициентов передачи тока от электрического режима работы бт
- •5.4. Дифференциальные параметры биполярного транзистора в статическом режиме
- •5.5. Квазистатический режим биполярного транзистора в усилительном каскаде
- •5.5.1. Графоаналитическое рассмотрение при большом сигнале
- •5.5.2. Биполярный транзистор в квазистатическом режиме как линейный четырехполюсник
- •5.6. Нелинейная и линейная динамические модели биполярного транзистора
- •5.6.1. Нелинейная динамическая модель биполярного транзистора
- •5.6.2. Линейная (малосигнальная) модель биполярного транзистора
- •5.7. Частотные свойства биполярного транзистора
- •5.7.1. Постановка задачи
- •5.7.2. Зависимость коэффициента инжекции
- •5.7.3. Зависимость коэффициента переноса от частоты
- •5.7.4. Частотная зависимость эффективности коллекторного перехода
- •5.7.5. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общей базой
- •5.7.6. Частотная зависимость коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером
- •5.7.7. Способы улучшения частотных свойств биполярных транзисторов
- •5.8. Переходные процессы в биполярном транзисторе и простейшем ключе на его основе
- •5.8.1. Переходные процессы в биполярном транзисторе при скачке входного тока
- •В установившемся режиме
- •5.8.2. Статический режим ключевой схемы на биполярном транзисторе
- •5.8.3. Переходные процессы в простейшем ключе в схеме с оэ
- •5.9. Шумы биполярных транзисторов
5.7. Частотные свойства биполярного транзистора
5.7.1. Постановка задачи
Частотные свойства определяют диапазон частот синусоидального сигнала, в пределах которого прибор может выполнять характерную для него функцию преобразования сигнала. Принято частотные свойства приборов характеризовать зависимостью величин его параметров от частоты. Для биполярных транзисторов используется зависимость от частоты коэффициента передачи входного тока. Обычно рассматривается нормальный активный режим при малых амплитудах сигнала в схемах включения с ОБ и ОЭ.
Статические дифференциальные параметры, определяющие дифференциальные коэффициенты передачи токов в схемах ОБ и ОЭ,
;
практически не отличаются от интегральных коэффициентов передачи в этих схемах:
αN = IK/IЭ и βN = IK/IБ
В динамическом режиме вместо приращения токов необходимо брать комплексные амплитуды, поэтому и коэффициенты передачи заменяются комплексными (частотозависимыми) величинами:
;
(5.82)
Для сокращения записи мы будем вместо h21Б и h21Э писать соответственно αN и βN (h21Б = αN, h21Э = βN). Величины αN и βN могут быть найдены двумя способами:
• решением дифференциальных уравнений физических процессов и определением из них токов;
• анализом Т-образной эквивалентной схемы по законам теории электрических цепей.
Во втором случае αN и βN будут выражены через величины электрических элементов схемы. Мы проведем анализ частотных свойств коэффициентов передачи, используя Т-образную линейную модель (эквивалентную схему) n-р-n-транзистора (рис. 5.26). Анализ электрической схемы будем дополнять объяснением физического смысла ее элементов и токовых компонентов в цепях схемы. О преимуществе такого подхода уже говорилось ранее (см. § 1.3).
Коэффициент αN в статическом режиме БТ представляется тремя сомножителями:
αN = γЭ æБМК (5.83)
где γЭ – коэффициент инжекции (эффективность) эмиттерного перехода (5.3); æБ – коэффициент переноса базовой области (эффективность базы) (5.6); МК – эффективность коллекторного перехода, учитывающая возможность лавинного размножения носителей при обратном включении перехода. Обычно МК = 1.
Такое же соотношение можно написать и для динамического режима при наличии синусоидальных приращений токов и напряжений. Только в этом случае все коэффициенты будут не для статического режима, а для режима малых амплитуд (на переменном токе, как в линейном четырехполюснике) и должны записываться в общем случае комплексными величинами:
αN = γЭ æБМК (5.84)
где γЭ, æБ, МК – коэффициенты передачи на переменном токе составных частей этого четырёхполюсника
Величина αN; будет представлять собой коэффициент передачи всего четырехполюсника:
αN = İK/İЭ (5.84а)
Рассмотрим последовательно коэффициенты γЭ, æБ, МК, а затем и αN, раскрывая при этом физические причины их частотной зависимости.