5 Послідовність виконання роботи

5.1 Підготовка до роботи.

5.1.1 Ознайомитись з інструкцією по експлуатації вимірювача добротності та з методикою вимірювання ємності за його допомогою.

5.2 Виміряти ємність досліджуваного ТПК на частоті f = 150 кГц.

Вимірювання ємності проводити методом визначення добротності резонансного контуру, утвореного ємністю ТПК та котушки із набору вимірювача добротності (рис.3).

5.2.1 Підключити до вимірювача добротності котушку Lx із набору котушок вимірювача.

5.2.2 Змінюючи частоту вимірювача, зафіксувати максимум добротності Q1 контуру LxCx (резонанс), та визначити величину власної ємності котушки С1. Занести виміряні дані в таблицю 2.

Рисунок 3

5.2.3 Підключити до клем Сх ТПК, настроїти контур в резонанс за допомогою ручок ЄМНІСТЬ pF і провести відлік нових значень Q2 і С2. Виміряні дані занести до таблиці 2.

5.3 Провести вимірювання ємності С досліджуваного ТПК аналогічно методиці пункту 5.2 на частотах 1,5 МГц та 10 МГц.

Таблиця 2 – Результати вимірювань

Частота вимірювань f	С1, пФ	С2, пФ	Q1	Q1

5.4 Провести розрахунки реактивного Х_С та активного R опорів ТПК на заданій частоті за формулами, добротності Q та тангенс кута діелектричних втрат tgδ:

; (5.1)

; (5.2)

; (5.3)

; (5.4)

. (5.5)

Розраховані значення занести в таблицю 3.

Таблиця 3 – Результати розрахунків за формулами 5.1 – 5.4

Частота вимірювань f	С	XC	R	Q	tgδ

5.5 Побудувати графік залежності ємності ТПК та добротності від частоти для трьох значень C = F(f) та Q = F(f).

6 Контрольні питання

1. Які типи конденсаторів створюють в напівпровідникових ІМС?

2. Які типи конденсаторів мають вищу добротність?

3. Що є основними параметрами напівпровідникових конденсаторів?

4. Поясніть, для якої величини використовуються одиниці вимірювань пФ/мм²?

5. Які переваги і недоліки мають тонкоплівкові і товстоплівкові технології?

7 Зміст звіту

1. Найменування, мета роботи та обладнання

2. Результати дослідної частини: конфігурація конденсатора, таблиці, графіки.

3. Розрахунки основних параметрів.

4. Висновки з аналізом отриманих результатів

5. Відповіді на контрольні питання

Література

Васильєва Л.Д., Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади»: Підручник . – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. –с.243-245.

Прищепа М.М., Погребняк В.П. В 3 ч. Ч.1. Елементи мікроелектроніки. - К.: Вища шк.., 2004. – с. 386-388.

Прищепа М.М., Погребняк В.П. Елементи мікросхем. Збірник задач. - К.: Вища шк.., 2005. – с.91-94.

Література

1. Васильєва Л.Д., Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади». – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. – 388с.

2. Колонтаєвський Ю.П., Сосков А.Г., “Промислова електроніка та мікросхемотехніка: теорія і практикум.».- К.: «Каравела», 2003. - 368 с.

3. Лачин В.И., Савелов Н.С., „Электроника: – Ростов н/Д: изд-во «Феникс», 2004. – 576 с.

4. Матвійків М.Д. та ін. Елементна база електронних апаратів: – Львів: Вид-тво Національного університету «Львівська політехніка», 2007. – 428 с.

5. Прищепа М.М., Погребняк В.П. В 3 ч. Ч.1. Елементи мікроелектроніки. - К.: Вища шк.., 2004. – 431 с.

6. Прищепа М.М., Погребняк В.П. Елементи мікросхем. Збірник задач. - К.: Вища шк.., 2005. – 167 с.

7. Стахів П.Г., Коруд В.І., Гамола О.Є. і ін. Основи електроніки з елементами мікроелектроніки: – Львів: «Магнолія плюс», 2006. – 225 с.

40