- •Методичний посібник до виконання лабораторних робіт
- •1 Пояснювальна записка
- •2 Вимоги до оформлення звіту
- •3 Інструкція з техніки безпеки
- •Лабораторна робота № 1 Дослідження стабілітрона
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 2 Дослідження імпульсного діода
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 3 Дослідження варикапа
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 4 Дослідження тунельного діода
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 5 Дослідження біполярного транзистора
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 6 Дослідження польового транзистора
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 7 Дослідження тиристора
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 8 Дослідження електровакуумного тріода
- •3 Схема дослідження
- •4 Основні теоретичні положення
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 9 Дослідження тонкоплівкових резисторів
- •3 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
- •Лабораторна робота № 10 Дослідження тонкоплівкових конденсаторів
- •3 Основні теоретичні положення
- •5 Послідовність виконання роботи
- •6 Контрольні питання
5 Послідовність виконання роботи
5.1 Виміряти опір ТПР при кімнатній температурі.
5.2 Змінюючи за допомогою регулятора напруги температуру нагрівального елемента, виміряти опір ТПР при температурах, вказаних у таблиці №1. Вимірювання температури проводити вольтметром термопарним відповідно з градуювальною характеристикою приладу. Результати вимірів занести у таблицю 2.
Таблиця 2
Температура,ºС |
кімнатна |
40 |
60 |
80 |
100 |
Опір, Ом |
|
|
|
|
|
5.3 Побудувати графік залежності R = f(t°).
5.4 Визначити ТКR за формулою при різних значеннях температури порівняно кімнатною:
.
5.5 За геометрією резистора та значенням його опору визначити питомий поверхневий опір матеріалу резистора за формулами 2, 3
R = ρ0 ∙ Kф= ρ0 ∙ n =ρ0 ∙l/b,
де n – кількість квадратів.
5.6 За розрахованими значеннями ТКR та ρ0 , використовуючи дані таблиці 1, визначити матеріал виготовлення ТПР.
6 Контрольні питання
Які типи резисторів створюють в напівпровідникових ІМС?
Що є основою формування дифузійних резисторів?
В чому полягають переваги та недоліки пінч-резисторів?
В чому полягають переваги плівкових резисторів порівняно з іншими типами?
Що є основними параметрами напівпровідникових резисторів?
Поясніть, для якої величини використовуються одиниці вимірювань Ом/?
7 Зміст звіту
Найменування, мета роботи та обладнання
Результати дослідної частини: конфігурація резистора, таблиці, графіки.
Розрахунки основних параметрів.
Висновки з аналізом отриманих результатів
Відповіді на контрольні питання
Література
Васильєва Л.Д., Медведенко Б.І., Якименко Ю.І. «Напівпровідникові прилади»: Підручник . – К.: ІВЦ «Видавництво «Політехніка»», 2003. –с.239-243.
Лабораторна робота № 10 Дослідження тонкоплівкових конденсаторів
1 Мета роботи: вивчення тонкоплівкових конденсаторів (ТПК), визначення їх основних параметрів та дослідження їх залежності від частоти
2 Обладнання: тонкоплівковий конденсатор, вимірювач добротності ВМ-560
3 Основні теоретичні положення
Конденсатори ІМС бувають плівкові, МДН і дифузійні (на основі p-n переходів).
Плівкові конденсатори складаються з двох провідникових обкладок (переважно з алюмінію), які розділені діелектриком (рис.1).
1, 2 – провідникові обкладки; 3 – діелектрик
Рисунок 1
Ємність плівкового плоского конденсатора визначається за формулою
,
де С0 – питома ємність діелектрика, С0=εε0/d;
ε – діелектрична проникність діелектрику;
ε0 – електрична стала, ε0 =8,85∙10-12Ф/м;
S – площа перекриття обкладок (пластин) конденсатора;
СР – питома периметрична ємність, спричинена крайовим ефектом;
Р – периметр перекриття обкладок.
При площі перекриття обкладок S>5 мм2 крайовим ефектом можне знехтувати, тоді .
Коефіцієнт форми для конструкцій конденсаторів у вигляді обкладок, що перетинаються, становить .
В якості діелектриків для плівкових конденсаторів використовують діелектричні матеріали з питомою ємністю 10…1000 пФ/мм2, які наносять на поверхню вакуумними методами. Це дозволяє отримати конденсатори ємністю 20…1000 пФ з достатньою добротністю і робочою напругою 6…50 В.
Ємність понад 1000 пФ можна отримати в багатошарових структурах шляхом почергового нанесення провідникових і діелектричних плівок або застосуванням діелектричних плівок з великим значенням ε.
Конденсатори ємністю менше за 20 пФ створюють за спеціальними конструкціями, наприклад, гребінчатою (рис.2).
Рисунок 2
Основні параметри тонко плівкових конденсаторів:
питома ємність діелектрика;
відносна похибка ємності;
максимальна робоча напруга;
робоча частота;
тангенс кута втрат або добротність.
Товщину діелектричної плівки d визначають за умови забезпечення необхідної електричної стійкості конденсатора (в межах 0,05…1,0 мкм):
,
де k – коефіцієнт запасу електричної стійкості, k=2…10;
Еmax – максимальна електрична стійкість діелектрика.
Основні електричні характеристики діелектричних матеріалів плівкових конденсаторів наведені в таблиці 1.
Температурний коефіцієнт ємності ТКЄ визначається коефіцієнтом лінійного розширення матеріалу обкладок і діелектрика.
Добротність конденсаторів залежить від втрат в матеріалі діелектрика і в металевих елементах конструкції.
Тангенс кута діелектричних втрат низькочастотних конденсаторів майже не залежить від розмірів і конфігурації обкладок конденсаторів.
Тонкоплівкові конденсатори високу добротність, широкий частотний діапазон. Відносна похибка ємності плівкових конденсаторів становить 0,1…0,15.