 
        
        - •Определение параметров анизоторопных кристаллов из оптических спектров поглощения
- •1. Измерение оптической плотности
- •2. Ошибки при спектрофотометрических измерениях.
- •3. Электромагнитные волны в анизотропном диэлектрике.
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Определение вольтамперной характеристики суперлюминесцентного диода на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур
- •1. Принцип действия суперлюминесцентного диода
- •2. Гомо- и гетеропереходы
- •3. Параметры полупроводниковых лазеров и светодиодов.
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3
- •1. Метод волноводно-оптических измерений
- •2. Измерение эффективных показателей преломления с помощью призменного элемента связи.
- •3. Схема измерений методом модовой спектроскопии (m – спектроскопии).
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Теория волоконных брэгговских решеток.
- •2. Лабораторная установка для записи волоконных брэгговских решеток в схеме с интерферометром Ллойда.
- •Примеры исследования спектральных свойств брэгговских решеток.
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
Порядок выполнения работы
- Установить монокристаллическую пластину в держатель образцов спектрофотометра; 
- Установить пленочный поляризатор в канал сравнения в ориентации строго фиксированной относительно спектрофотометра; 
- Измерить спектр пропускания в диапазоне от 300 до 900 нм; 
- Повернуть поляризатор на 90о относительно первоначального положения; 
- Измерить спектр пропускания в том же диапазоне; 
- Измерить спектры пропускания поляризатора без образца в рабочем канале для двух использованных ориентаций поляризатора; 
- Используя экспериментальные данные, вычислить значения коэффициентов отражения и преломления в области прозрачности кристалла, и коэффициентов поглощения кристалла на длине волны заданной преподавателем. При вычислениях учитывать вклад мнимой части показателя преломления в значение коэффициента отражения для длины волны заданной в области значительного поглощения. Вычислить ширину запрещенной зоны кристалла в эВ. 
Контрольные вопросы
- Оптическая плотность кристалла – понятия и методы определения. 
- Основные источники ошибок при спектрофотометрических измерениях. 
- Связь коэффициента отражения с коэффициентом преломления и поглощения в кристаллах. 
- Природа спектральной зависимости показателя поглощения и коэффициента отражения кристалла. 
- Анизотропия оптических свойств кристаллов и её связь с симметрией структуры кристаллов. 
- Принцип работы двухлучевого спектрофотометра. 
Литература
- Л.Н. Курбатов, Оптоэлектроника видимого и инфракрасного диапазонов спектра, МФТИ, 1999. 
- Практикум по спектроскопии. Под ред. Левшина Л.В., МГУ 1986, с. 102-167. 
- Анциферов Л.И. и др., Практикум по методике и практике физического эксперимента, Москва, Просвещение, 1984 
- Малышев А.В., Техника спектроскопии, Москва, Наука, 1984 
- Руководство по эксплуатации спектрофотометра “Specord M40”. 
Лабораторная работа № 2
Определение вольтамперной характеристики суперлюминесцентного диода на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур
Цель работы Измерение зависимости мощности излучения суперлюминесцентного диода от величин прямого напряжения и прямого тока. Определение вольтамперной характеристики диода, пороговых значений напряжения и тока и общей мощности излучения в насыщенном состоянии.
Приборы и принадлежности Суперлюминесцентный диод СЛД-820, блок питания постоянного тока Б5-47, вольтметр цифровой В7-16, измеритель мощности оптического излучения на основе фотодиода, одномодовое оптическое волокно.
