- •Определение параметров анизоторопных кристаллов из оптических спектров поглощения
- •1. Измерение оптической плотности
- •2. Ошибки при спектрофотометрических измерениях.
- •3. Электромагнитные волны в анизотропном диэлектрике.
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Определение вольтамперной характеристики суперлюминесцентного диода на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур
- •1. Принцип действия суперлюминесцентного диода
- •2. Гомо- и гетеропереходы
- •3. Параметры полупроводниковых лазеров и светодиодов.
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Лабораторная работа №3
- •1. Метод волноводно-оптических измерений
- •2. Измерение эффективных показателей преломления с помощью призменного элемента связи.
- •3. Схема измерений методом модовой спектроскопии (m – спектроскопии).
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
- •Теория волоконных брэгговских решеток.
- •2. Лабораторная установка для записи волоконных брэгговских решеток в схеме с интерферометром Ллойда.
- •Примеры исследования спектральных свойств брэгговских решеток.
- •Порядок выполнения работы
- •Контрольные вопросы
Ю.Н. Коркишко, С.М. Кострицкий, В.А. Фёдоров
Учебно- методические разработки для лабораторного практикума по курсу «Квантовая и оптическая электроника»
Под редакцией
доктора физико-математических наук, профессора
С.М. Кострицкого
Москва 2007
Оглавление
Лабораторная работа №1. Определение параметров анизотропных кристаллов из оптических спектров поглощения ……………………………………….. 3
Лабораторная работа №2. Определение вольтамперной характеристики суперлюминесцентного диода на основе AlGaAs/GaAs гетероструктур…….. 13
Лабораторная работа №3. Измерение эффективных показателей преломления тонкопленочных оптических волноводов с помощью метода призменного ввода. Расчет показателя преломления и толщины…………………………. 23
Лабораторная работа №4. Спектральные свойства волоконных брэгговских решеток…………………………………………………………………….. 31
Лабораторная работа № 1
Определение параметров анизоторопных кристаллов из оптических спектров поглощения
Цель работы Экспериментальное измерение поляризованных спектров оптического пропускания в видимом и ближнем УФ диапазонах для монокристаллической пластины. Расчет коэффициентов отражения, преломления и поглощения, а также ширины запрещенной зоны кристаллы из измеренных спектров.
Приборы и принадлежности Спектрофотометр “Specord M40”, два фотометрически идентичных держателя образцов, пленочный поляризатор, исследуемый кристалл.
1. Измерение оптической плотности
Количественный анализ по электронным спектрам поглощения основан на зависимости относительной величины интенсивности светового потока, прошедшего через образец, от толщины образца, определяемой законом Бугера - Ламберта. В аналитической практике он используется обычно в логарифмической форме
(1)
где I0 и I - интенсивности падающего и прошедшего монохроматического светового потока через образец толщиной l. Величина , зависящая от частоты монохроматического излучения, называется десятичным показателем поглощения. Толщину образца принято выражать в сантиметрах, а параметр называют коэффициентом поглощения, или экстинкцией. Толщина образца и коэффициент поглощения могут быть измерены и в других единицах. При проведении количественного анализа кристаллов, представляющих многокомпонентные твердые растворы, следует учитывать, что молекулы одного компонента могут взаимодействовать с молекулами других компонентов. Такое взаимодействие может привести к существенным изменениям поглощательной способности компонентов, причем эти изменения неодинаковы в разных участках спектра.
При проведении абсорбционного анализа с использованием закона Бугера - Ламберта необходимо измерить зависимость интенсивностей входящего и выходящего из образца световых потоков от длины волны монохроматического излучения. Основная трудность при таких измерениях состоит и том, что ослабление интенсивности света при прохождении через образец связано не только с поглощением его растворенным веществом, но и с отражением света от поверхностей образца, а также в результате рассеяния света в объеме образца и на его поверхностях.
Пусть на образец в направлении, перпендикулярном его поверхностям, падает пучок монохроматического света с интенсивностью Ii. Обозначим через Ia и Ib интенсивности света поглощенного соответственно образцом и держателем образца, а через Ir и Is - суммарные интенсивности отраженного от поверхностей образца и рассеянного света. Тогда интенсивность света после прохождения через кювету можно определить из уравнения:
I=Ii -(Ia +Ib +Ir +Is ) (2)
Аналогично интенсивность света после прохождения его через пустой держатель будет равна
I0=Ii -( (3)
При спектрофотометрических измерениях обычно производятся измерения отношения интенсивностей монохроматизированного излучения, прошедшего через образец (рабочий канал) и через пустой держатель образца (канал сравнения). Таким образом, измеренная величина пропускания равна:
(4)
В то же время истинная величина пропускания Т, характеризующая поглощательную способность вещества, будет:
(5)
Из уравнений (4) и (5) видно, что измеренные и истинные величины пропускания равны друг другу при условии, если:
(6)
Строго говоря, это равенство может использоваться только в расчетах с нулевым приближением. Найдем условия, при которых различия величин отражения и рассеяния в рабочем канале и канале сравнения могут быть корректно учтены.
В общем случае ослабление света из-за его рассеяния в образце и на поверхностях образца рассчитать трудно. Поэтому при проведении количественного анализа следует применять кристаллы без загрязнений, а также использовать кристаллы с хорошо отполированными поверхностями. Тогда потери на рассеяние в рабочем канале незначительны и можно считать, что 0.
Таким образом, при использовании двух тождественных держателей, путем измерения световых потоков, прошедших через рабочий канал и канал сравнения можно определить величину пропускания образца:
2 (7)
где R – коэффициент отражения света на границах раздела «воздух – образец» и «образец – воздух».
Помимо описанного метода в некоторых случаях для определения пропускания образца Т применяется метод, основанный на сравнении интенсивностей световых потоков I1 и I2, прошедших через образцы, содержащие один и тот же кристалл, но имеющие различные толщины l1 и l2. В этом случае
(8)
т. е. измеряется пропускание образца толщиной
Последний метод позволяет компенсировать влияние отражения и рассеяния рассеяния света на поверхностях образца, но требует использования воспроизводимой техники полировки поверхностей. Этот метод наиболее широко применяется при исследовании поглощения некристаллических твердых веществ.