- •Краткие сведения из теории.
- •Порядок проведения эксперимента Эксперимент 1. Измерение напряжения и вычисление тока через диод.
- •Эксперимент 2. Снятие вольтамперной характеристики диода.
- •Лабораторная работа № 2 Исследование неуправляемых выпрямителей Цель:
- •Краткие сведения из теории.
- •Эксперимент 1. Исследование входного и выходного напряжения однополупериодного выпрямителя.
- •Эксперимент 2. Исследование входного и выходного напряжения двухполупериодного выпрямителя с отводом от средней точки трансформатора.
- •Эксперимент 3. Исследование мостового выпрямителя
- •Эксперимент 4 Исследование емкостного фильтра на выходе однополупериодного выпрямителя.
- •Лабораторная работа № 3 Исследование биполярного транзистора Цель:
- •Краткие сведения из теории.
- •Порядок проведения эксперимента Эксперимент 1. Определение статических характеристик коэффициента передачи тока транзистора. Измерение обратного тока коллектора.
- •Эксперимент 2. Получение выходной характеристики транзистора в схеме с оэ.
- •Эксперимент 3. Получение входной характеристики транзистора в схеме с оэ.
- •Контрольные вопросы:
Краткие сведения из теории.
Исследуемая схема показана на рис. 3.1 Статический коэффициент передачи тока определяется как отношение тока коллектора к току базы :
|
. |
(3.1) |
а)
б)
Рисунок 3.1 – Схема включения транзистора с общим эмиттером (а) и экспериментальная схема в программе Electronics Workbench (б)
Коэффициент передачи тока определяется отношением приращения коллекторного тока к вызывающему его приращению
|
. |
(3.2) |
Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме с общим эмиттером (ОЭ) определяется при фиксированном значении напряжения коллектор –эмиттер. Оно может быть найдено как отношение приращения напряжения база-эмиттер к вызванному им приращению тока базы:
|
. |
(3.3) |
Дифференциальное входное сопротивление транзистора в схеме ОЭ через параметры транзистора определяется следующим выражением:
|
, |
(3.4) |
где - распределенное сопротивление базовой области полупроводника, - дифференциальное сопротивление перехода база - эмиттер, определяется из выражения , где - постоянный ток эмиттера в миллиамперах.
Первое слагаемое в выражении много меньше второго, поэтому им можно пренебречь, тогда
|
. |
(3.5) |
Дифференциальное сопротивление перехода база – эмиттер для биполярного транзистора сравнимо с дифференциальным входным сопротивлением транзистора в схеме с общей базой, которое определяется при фиксированном значении напряжения база-коллектор.
Оно может быть найдено, как отношение приращения к вызванному им приращению тока эмиттера:
|
. |
(3.6) |
Через параметры транзистора это сопротивление определяется выражением:
|
. |
(3.7) |
Первым слагаемым в выражении (3.7) можно пренебречь, поэтому можно считать, что дифференциальное сопротивление перехода база – эмиттер приблизительно равно:
|
. |
(3.8) |
Порядок проведения эксперимента Эксперимент 1. Определение статических характеристик коэффициента передачи тока транзистора. Измерение обратного тока коллектора.
Включить питание.
Записать измерения: тока коллектора (опыт 1, 2, 3); обратного тока коллектора (опыт 4); тока базы ; напряжения коллектор-эмиттер в таблицу 3.1.
Рассчитать коэффициент передачи транзистора .
Таблица 3.1 – Определение коэффициента передачи транзистора по постоянному току и обратного тока коллектора
№ опыта |
|
|
|
|
|
|
|
В |
В |
мкА |
мкА |
мкА |
В |
|
|
1 |
5,70 |
10 |
|
|
---- |
|
|
2 |
2,68 |
10 |
|
|
---- |
|
|
3 |
2,68 |
5 |
|
|
---- |
|
|
4 |
0 |
10 |
|
---- |
|
|
---- |
Номинал источников энергии и при проведении опытов установить в соответствии с данными таблицы.
Для этого навести курсор на источник питания и двойным щелчком мыши вызвать окно редактирования его параметров в соответствии с рис. 3.2.
Рис. 3.2. – Редактирование параметров источника питания