- •Лабораторна робота №1 Програма схемотехнічного моделювання
- •Робоче завдання
- •Обробка результатів експериментів
- •Контрольні запитання і завдання
- •Обробка результатів експериментів
- •Контрольні запитання і завдання
- •Обробка результатів експериментів
- •Контрольні запитання і завдання
- •Обробка результатів експериментів
- •О Рис. 2 бробка результатів експериментів
- •Контрольні запитання та завдання
- •Обробка результатів експериментів
- •Контрольні запитання та завдання
- •Додаток:
- •Додаток
- •Література
Обробка результатів експериментів
1. Побудувати сімейства вхідних IБ=f(UБЕ) при UКЕ=const і вихідних IК=f(UКЕ) при IБ=const статичних характеристик транзистора.
Примітка: побудову сімейства вхідних IБ=f(UБЕ) при UКЕ=const та вихідних IК=f(UКЕ) при IБ=const статичних характеристик можна виконати вручну, а можна в середовищі Mathcad, або Excel.
Д
Рис.
4
П
а)
б)
Рис. 5
Масиви струмів та напруг, відповідно до визначених координат вхідної характеристики IБ=f(UБЕ) при UКЕ=5 В, можуть бути незалежними від відповідних масивів характеристики при UКЕ=0 В, але з метою спрощення зручно формувати масиви таким чином щоб масив, як і в нашому випадку, до осі ординат був загальним.
Сімейства вихідних статичних характеристик IК=f(UКЕ) при IБ=const подані на рис. 5, б. Для цього потрібно було сформувати дев’ять одномірних масивів струмів і один загальний масив напруг.
2. Побудувати перехідну характеристику транзистора IК=f(IБ).
3. На вихідних статичних характеристиках транзистора побудувати лінію навантаження відповідно до перехідної характеристики. Результат зберегти до виконання лабораторної роботи №6.
Контрольні запитання і завдання
1. Поясніть будову біполярного транзистора.
2. За якими схемами може вмикатися біполярний транзистор?
3. Показати та пояснити вхідні і вихідні статичні характеристики транзистора увімкненого за схемою зі спільним емітером.
4. На лінії навантаження транзистора довільно зазначити стан транзистора (вибрати робочу точку). Відповідно до зазначеної робочої точки визначити h–параметри транзистора та пояснити їх фізичну суть.
5. Пояснити роботу транзистора в динамічному режимі.
Вхідні статичні характеристики транзистора
Вихідні статичні характеристики транзистора
Перехідна характеристика транзистора
Лабораторна робота №4
Підсилювач на біполярному транзисторі
Мета роботи: Дослідження статичного і динамічного режимів роботи підсилювача на біполярному транзисторі, увімкненого за схемою зі спільним емітером.
Робоче завдання
1
Рис. 1
2. Дослідити підсилювач в статичному режимі. Покази вимірювальних приладів струмів та напруг, що визначають початкове місце робочої точки транзистора, записати в таблицю 1.
Вимірювальні величини |
IБР, A |
UБЕР, B |
IКР, A |
UКЕР, B |
|
|
|
|
Таблиця 1
3. Побудувати експериментальну модель для дослідження схеми підсилювача в динамічному режимі, рис. 2 (схему підсилювача в статичному режимі доповнити елементами зі значеннями параметрів відповідно до варіанта робочого завдання, попередньо вилучивши зі схеми вимірювальні прилади).
4. За допомогою функціонального генератора установити частоту вхідних синусоїдальних сигналів 20 кГц і амплітудою 10 мВ. Одержати часові осцилограми вхідного і вихідного сигналів. В разі спотворення вихідного сигналу зменшити амплітуду вхідних сигналів.
5
Рис. 2
Змінні |
Номер досліду |
|||||||||
1 |
2 |
3 |
4 |
5 |
6 |
7 |
8 |
9 |
10 |
|
Uвх , В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Uвих, В |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
7. Одержати за допомогою графопобудовника в логарифмічному масштабі амплітудно–частотну Кu=Ψ(f) і і фазочастотну φ= Ψ(f) характеристики підсилювача. Частотний діапазон визначити експериментально. За допомогою візирної лінії визначити коефіцієнт підсилення підсилювача за напругою Ku для частоти вхідного сигналу f=20 кГц і смугу пропускання частот підсилювача ∆f=fв÷fн.
Примітка: − амплітуду вхідного сигналу Uвх установити такою, за якої відсутні спотворення вихідного сигналу.