Современная dram

DDR SDRAM (англ. double data rate SDRAM, DDR SDRAM или SDRAM II).

По сравнению с обычной памятью типа SDRAM, в памяти DDR была вдвое увеличена пропускная способность. Первоначально память такого типа применялась в видеоплатах, но позднее появилась поддержка DDR SDRAM со стороны чипсетов.

Удвоение пропускной способности стало возможным за счет передачи за один такт двух единиц данных. Кроме этого был добавлен сигнал QDS, который располагается на печатной плате вместе с линиями данных. По нему происходит синхронизация при передаче данных. При использовании двух модулей памяти данные от них приходят к контроллеру памяти с небольшой разницей во времени из-за разного расстояния до модулей. Это вызывает проблемы в выборе синхросигнала для их считывания, которые успешно решает использование QDS. Модули памяти DDR SDRAM отличаются от SDRAM по числу выводов (184 вывода у модулей DDR против 168 выводов у модулей с обычной SDRAM). Модули DDR работают при напряжении питания 2,5 В, в отличие от SDRAM, которая работает при 3,3 В, что существенно снижает тепловыделение.

Память DDR SDRAM работает на частотах в 100, 133, 166 и 200 МГц, её время полного доступа — 30 и 22,5 нс, а время рабочего цикла — 5, 3,75, 3 и 2,5 нс.

DDR2 SDRAM

Основное отличие DDR2 от DDR — вдвое большая частота работы шины, по которой данные передаются в буфер микросхемы памяти. При этом работа самой микросхемы осталась такой же, что и в DDR то есть с теми же задержками, но при большей скорости передачи информации. DDR2 не совместима с DDR, на модулях DDR2 ключ расположен в другом месте по сравнению с DDR и вставить модуль DDR2 в разъём DDR, не повредив последний, невозможно. Более скоростные модули DDR2 совместимы с более медленными, при этом работа возможна на частоте самого медленного модуля системы.

Для использования в ПК DDR2 SDRAM поставляется в модулях DIMM с 240 контактами. Память может работать на частотах в 200 МГц, 266 МГц, 333 МГц и 400 МГц. Время полного доступа — 25 нс, 11.25 нс, 9 нс, 7.5 нс. Время рабочего цикла — 5 нс, 3.75 нс, 3 нс, 3.5 нс.

DDR3 SDRAM

Этот тип памяти обладает более высокой полосой пропускания. Благодаря применению 90 нм технологии производства, сокращает потребление энергии на 40% по сравнению с модулями DDR2, что позволяет снизить эксплуатационные токи и напряжения (1,5 В по сравнению с 1,8 В для DDR2 и 2,5 В для DDR). Также применяются транзисторы иного типа для сокращения утечки тока. Улучшенная конструкция способствует более качественному охлаждению.

DDR4 SDRAM

Новый тип оперативной памяти, отличающийся от предыдущих поколений более высокими частотными характеристиками и низким напряжением. Будет поддерживать частоты от 2133 до 4266 МГц. В массовое производство выйдет предположительно в 2012 году. 4 января 2011 на выставке CES компания Samsung официально представила новые модули, работающие в режиме DDR4-2133 при напряжении 1,2 В.

Конструктивные исполнения памяти DRAM

Память типа DRAM конструктивно выполняют и в виде отдельных микросхем в корпусах типа DIP и в виде модулей памяти типа SIPP, SIMM, DIMM, RIMM.

Корпус DIP

Имеет прямоугольную форму с двумя рядами выводов по длинным сторонам.

Микросхемы динамической памяти устанавливались так называемыми банками. Существовали банки на 64, 256 Кбайт, 1 и 4 Мбайт. Каждый банк состоит из девяти отдельных одинаковых чипов. Из них восемь чипов предназначены для хранения информации, а девятый чип служит для проверки четности остальных восьми микросхем этого банка.

Следует отметить, что памятью с DIP-корпусами комплектовались персональные компьютеры с микропроцессорами i8086/88, i80286 и, частично, i80386SX/DX. Установка и замена этого вида памяти была нетривиальной задачей. Мало того, что приходилось подбирать чипы для банков памяти одинаковой разрядности и емкости. Приходилось прилагать усилия и смекалку, чтобы чипы правильно устанавливались в разъемы. К тому же необходимо было не разрушить контакты механически, не повредить их инструментом, статическим электричеством, грязью и т.п.

Модуль памяти SIPP

SIPP — модули памяти с однорядным расположением контактов. Модуль состоит из небольшой печатной платы, на которой установлено определенное количество чипов памяти. Модуль имеет 30 контактов в один ряд, которые устанавливаются в соответствующие отверстия на материнской плате компьютера. Этот тип памяти использовался в 80286 и некоторых 80386 системах.

Модуль памяти SIММ

Модули типа SIMM (Single In-line Memory Module) представляют собой длинные прямоугольные платы с рядом контактных площадок вдоль одной из её сторон. Модули фиксируются в разъёме (сокете) подключения с помощью защёлок, путём установки платы под некоторым углом и нажатия на неё до приведения в вертикальное положение. Выпускались модули на 4, 8, 16, 32, 64, 128 Мбайт. Наиболее распространены 30- и 72-контактные модули SIMM.

Так как на материнских платах для процессора Pentium с 64-разрядной шиной данных 72-контактные модули уже потребовалось ставить парами, постепенно и их физически попарно «объединили» путём расположения микросхем на обеих сторонах печатной платы модуля памяти, результатом чего стало появлением первых модулей DIMM.