(Внимание: на рисунке изображен биполярный n-p-n транзистор вместо n-канального моп-транзистора)
Принцип работы этой схемы аналогичен принципу работы предшествующей схемы. При расчёте схемы на рис. 9 примем постоянную составляющую опорного напряжения равной удвоенному пороговому напряжению МОП-транзистора T
(Uоп)0=2Uпор
Найдём величину сопротивления R в цепи истока, используя выражение (6)
Определим переменную составляющую опорного напряжения
uоп=RImaxsinωt,
где Imax — амплитуда переменной составляющей тока.
Рассчитаем минимальную величину напряжения источника питания, используя неравенство (7)
.
Так как ток затвора полевого транзистора практически равен 0, то выбор тока делителя R1, R2 достаточно произволен, и этот ток I1 может быть принят равным нескольким миллиамперам. При выбранном токе делителя I1 сопротивления R1 и R2 рассчитываются по формулам
, .
Ёмкость конденсатора C рассчитывается по формуле (13), в которой Rвх=R1||R2
Пример
Схема накачки двух последовательно соединённых лазерных диодов построена на основе МОП-транзистора (рис. 9). Пороговое напряжение транзистора Uпор=3 В, сопротивление канала Rкан=0,5 Ом. Схема должна обеспечить ток накачки, содержащий постоянную и переменную составляющие I=0,08+0,02sin628t. Напряжение на одном лазерном диоде принять равным 2 В. Рассчитать параметры схемы.
Примем (Uоп)0=2Uпор=6 В.
Рассчитаем величину сопротивления в цепи истока
Ом.
Примем R=36 Ом.
Найдём переменную составляющую опорного напряжения
uоп=RImaxsinωt=36∙0,02sin628t=0,72sin628t
Из неравенства (14) определим минимальную величину напряжения источника питания
Примем Uип=9 В.
Рассчитаем величину сопротивлений R1 и R2, принимая ток через делитель I1=5 мА
Ом;
КОм.
Найдём ёмкость входного конденсатора C, используя неравенство (13)
мкФ
Примем C=5 мкФ