4. Задание по работе

4.1. Измерить спектральную зависимость фототока =f(). Результаты занести в таблицу.


I

4.2. Измерить зависимость фототока от освещенности в области максимума фотопроводимости. Результаты измерений занести в таблицу:

d
Iф

4.3. Измерить ВАХ фотосопротивления для двух значений длин волн, задаваемых преподавателем. Результаты измерений занести в таблицу:

U
Iф

4.4. Определить спектральную зависимость фотопроводимости в относительных единицах

,

где I() - величина фототока при определенной длине волны излучения, I_max- максимальное значение фототока.

Результаты измерений занести в таблицу:


V

4.5. Построить спектральную зависимость фотопроводимости в относительных еденицах с учетом распределения по спектру излучения лампы накаливания (см. Приложение 2.1).

(2.15)

4.6. Построить по данным измерений зависимость фототока от освещенности, величина которой представляется в относительных единицах , где d- ширина выходной щели монохроматора, =f(w).

4.7. Построить ВАХ фотосопротивления для двух длин волн I=f(U).

4.8. Определить ширину запрещенной зоны полупроводника, воспользовавшись для этого спектральным положением максимума фотопроводимости

, (2.16)

где Е_g- ширина запрещенной зоны.

5. Содержание отчёта

5.1. Краткие теоретические сведения о фотопроводимости.

5.2. Структурная схема установки.

5.3. Таблицы с результатами измерений, графические зависимости.

5.4. Анализ полученных результатов, сравнение с литературными данными.

6. Литература

1. Епифанов Г.И. Мома Ю.А. Физические основы конструирования и технологии РЭА и ЭВА. М.: "Сов. радио",1979.

2. Жеребцов И.П. Основы электроники. Л.:"Энергоатомиздат",1990.

Приложение 2.1.

Р А Б О Т А № 3

Исследование ВАХ и ВФХ электронно – дырочного перехода

Цель работы – исследование вольт-амперной характеристики электронно-дырочного перехода и ее зависимости от температуры; определение контактной разности потенциалов; измерение зависимости барьерной емкости от величины напряжения, приложенного к переходу; расчет ширины обеднённого слоя.