5.2 Полупроводниковые приборы.

1.

Диод

полупроводниковый прибор с одним р – n переходом и двумя выводами

U_пр – постоянное прямое напряжение, измеренное при определенном прямом токе;

I_обр – постоянный обратный ток, измеренный при определенном обратном напряжении;

U_обрmax – максимально допустимое постоянное обратное напряжение;

I_прср.max – максимально допустимый средний прямой ток.

2.

Стабилитрон

кремниевые диоды, применяемые для стабилизации (поддержания неизменным) напряжения

U_ст – напряжение стабилизации – среднее напряжение, измеренное при определенном токе стабилизации;

U_ст – разброс напряжения стабилизации;

I_ст.min – минимально допустимый ток стабилизации;

I_ст.max – максимально допустимый ток стабилизации;

Р_max – наибольшая рассеиваемая мощность;

ТКН – температурный коэффициент напряжения.

I_обр

3.

Стабистор

4.

Тиристор

полупроводниковый прибор, имеющий три или более p – n переходов и работающий в двух устойчивых состояниях – открытом и закрытом.

U_з.с.max – максимально допустимое напряжение закрытого состояния;

I_o.c.max – максимально допустимый ток открытого состояния;

Р_ср.max – максимально допустимая средняя рассеиваемая мощность;

U_ос – постоянное напряжение в открытом состоянии;

I_уд – ток удержания –наименьший ток, необходимый для поддержания прибора в открытом состоянии.

5.

Биполярный

транзистор

полупроводниковый прибор с двумя или более p – n переходами, позволяющий усиливать электрический сигнал и имеющий три и более выводов

VT1

n – p - n

VT2

α – коэффициент передачи тока эмиттера в схеме с ОБ;

β – коэффициент передачи тока базы в схеме с ОЭ;

R_вх и R_вых – входное и выходное сопротивление транзистора;

I_кmax – максимально допустимый постоянный ток коллектора;

U_{кэ max} – максимально допустимое постоянное напряжение коллектор – эмиттер;

Р_{к max} – максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора.

Схемы включения биполярного транзистора

с общим эмиттером (ОЭ)

с общим коллектором (ОК)

с общей базой (ОБ)