2.5 Малосигнальные схемы замещения и параметры биполярных транзисторов.

Малосигнальная физическая Т-образная схема замещения биполярного транзистора в схеме ОБ. Параметры схемы замещения. Малосигнальная схема замещения транзистора в схеме ОЭ.

Транзистор как линейный четырехполюсник. Система h-параметров. Определение h-параметров транзистора по статическим ВАХ в схеме ОБ. Определение h-параметров транзистора по статическим ВАХ в схеме ОЭ. Связь h-параметров с физическими в схеме ОБ. Связь h-параметров с физическими в схеме ОЭ.

Определение усилительных параметров однокаскадного усилителя класса А через h-параметры транзистора.

Комплексный коэффициент передачи тока эмиттера. Комплексный коэффициент передачи тока базы. Схема замещения биполярного транзистора на высоких частотах.

Дрейфовые транзисторы.

Тепловая модель транзистора. Расчет площади теплоотвода.

Ключевой режим работы транзистора. Условие отсечки. Критерий насыщения. Переходные процессы в транзисторном ключе. Транзистор Шоттки.

2.6 Полевые транзисторы.

Полевые транзисторы с управляющим р-n переходом. Конструкция. Принцип действия. Сток - затворные и стоковые характеристики полевых транзисторов с р-n переходом. Параметры.

МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Конструкция. Принцип действия. ВАХ МДП-транзисторов с индуцированным каналом. Параметры.

МДП-транзисторы с встроенным каналом. Конструкция. Принцип действия. ВАХ МДП-транзисторов с встроенным каналом. Параметры.

2.7 Тиристоры.

Динисторы. Конструкция. ВАХ динисторов. Тринисторы - управляемые тиристоры. ВАХ тринисторов. Симисторы. Классификация и система обозначений тиристоров.

2.8 Оптоэлектронные полупроводниковые приборы.

Светоизлучающие диоды - светодиоды. Излучательная рекомбинация. Излучательная и спектральная характеристики, параметры светодиодов.

Фотоприемники. Внутренний фотоэффект. Чувствительность фото- приемников, энергетическая и спектральная характеристики.

Фотодиод. Фотогальванический и фотодиодный режимы. Вольт-амперные характеристики фотодиода.

Фототранзистор и фототиристор - фотоприемники с внутренним усилением.

Диодные и транзисторные оптопары.

3. Примерный перечень экзаменационных вопросов

1. Электропроводность твердого тела.

2. Собственная электропроводность полупроводника. Собственная концентрация дырок и электронов.. Температурный потенциал. Ширина запрещенной зоны.

3. Примесный полупроводник n-типа. Зонная диаграмма.

4. Примесный полупроводник р-типа. Зонная диаграмма.

5. Термогенерация. Рекомбинация. Время жизни. Закон действующих масс.

6. Температурный диапазон работы примесных п/п. Уравнение нейтральности.

7. Токи в полупроводниках.

8. Cтационарное уравнение диффузии. Зависимость диффузионного тока от координаты. Ток рекомбинации.

9. P-n-переход. Структура. Больцмановское равновесие.

10. Зонная диаграмма p-n-перехода. Высота потенциального барьера. Граничная равновесная концентрация неосновных зарядов.

11. Прямое смещение p-n-перехода. Граничная неравновесная концентрация неосновных зарядов. Инжекция.

12. Обратное смещение p-n-перехода. Экстракция.

13. Симметричный и несимметричный p-n-переход. Эмиттер. База. Равновесная ширина p-n-перехода.

14. ВАХ идеализированного p-n-перехода.

15. Обратная ветвь ВАХ реального диода. Физический смысл теплового тока. Схема замещения диода при обратном включении

16. Прямая ветвь ВАХ реального диода. Схема замещения диода в прямом включении. Дифференциальное сопротивление

17. Пробой p-n-перехода. Виды пробоя. Температурная зависимость Uпроб

18. Неравновесная ширина p-n-перехода. Барьерная емкость p-n-перехода. Варикапы.

19. Выпрямительные диоды. Параметры, классификация.

20. Методы создания р-n-переходов.

21. Однополупериодный выпрямитель. Выбор диода. Расчет емкости фильтра.

22. Двухполупериодные выпрямители.

23. Стабилитроны. Параметры, классификация.

24. Параметрический стабилизатор напряжения.

25. Импульсные диоды. Процессы при включении и отключении.

26. Процессы в импульсных диодах при переключении на обратное напряжение. Диоды Шоттки. Классификация.

27. Биполярные транзисторы. Структура. Режимы работы.

28. Зонные диаграммы биполярного транзисторы.

29. Токи в транзисторе. Коэффициент передачи тока эмиттера. Коэффициенты инжекции и переноса.

30. Модель Эберса- Молла.

31. Входные ВАХ транзистора в схеме ОБ. Распределение зарядов в базе.

32. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОБ. Распределение зарядов в базе.

33. ВАХ реальных транзисторов. Эффект Эрли.

34. Транзистор в схеме с общим эмиттером. Коэффициент передачи тока базы. Ток Iкэо.

35. Входные ВАХ транзистора в схеме ОЭ

36. Выходные ВАХ транзистора в схеме ОЭ.

37. Предельно-допустимые параметры биполярных транзисторов. Область предельных режимов.

38. Работа транзистора на нагрузку. Статическая линия нагрузки.

39. Динамическая линия нагрузки.

40. Методы задания рабочего режима транзистора. Схема с фиксированным током базы.

41. Схема с фиксированным потенциалом базы.

42. Термостабилизация точки покоя транзистора.

43. Графо-аналитический метод расчета параметров усилителя класса А. Диаграммы сигналов.

44. Малосигнальная схема замещения транзистора в схеме ОБ. Физические параметры.

45. Малосигнальная схема замещения транзистора в схеме ОЭ.

46. Транзистор как линейный четырехполюсник. Система h-параметров.

47. Определение h-параметров транзистора по статическим ВАХ в схеме ОБ.

48. Определение h-параметров транзистора по статическим ВАХ в схеме ОЭ.

49. Связь h-параметров с физическими в схеме ОБ.

50. Связь h-параметров с физическими в схеме ОЭ.

51. Определение усилительных параметров через h-параметры.

52. Частотная зависимость коэффициента передачи тока эмиттера.

53. Частотная зависимость коэффициента передачи тока базы.

54. Дрейфовые транзисторы.

55. Тепловая модель транзистора. Расчет площади теплоотвода.

56. Классификация биполярных транзисторов.

57. Ключевой режим работы биполярного транзистора. Условие отсечки. Критерий насыщения.

58. Переходные процессы в транзистором ключе. Ключ с форсирующим конденсатором. Транзистор Шоттки.

59. Динисторы. Конструкция, принцип действия. ВАХ.

60. Управляемые тиристоры. Симисторы.

61. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом. Конструкция. Принцип действия.

62. ВАХ полевых транзисторов с p-n-переходом. Параметры.

63. МДП-транзисторы с индуцированным каналом. Конструкция. Принцип действия. ВАХ

64. МДП-транзисторы с встроенным каналом. Конструкция. Принцип действия. ВАХ