Вопрос 41

Полупроводниковые диоды по конструкции бывают пластик и …

а) б)

1. Металлическое основание.

2. Один вид полупроводника.

3. Другой вид полупроводника.

В месте спайки полупроводников их атомы взаимно проникают друг в друга и в этой зоне образуется ЭДN; В некоторых конструкциях металлы не сплавляются, а прижимаются друг к другу. Спаянные кристаллы помещаются в герметичный корпус. Обозначение диода:

Чем больше площадь ЭДN, тем больше ток может проходить через него, но П м переход большой площади имеет некоторую емкость, и в цепях переменного тока высокой частоты такие диоды не будут давать выпрямляющего эффекта.

Вопрос 42

Емкостные свойства электронно-диодного перехода.

В тонком слое на границе двух полупроводников

и содержатся неподвижные атомы примесей

и почти отсутствуют подвижные носители

зарядов (электроны и дырки). В результате

такой слой в диоде обладает свойствами диэлектрика.

И сам эдn может действовать как конденсатор, если к нему приложено обратное напряжение. Емкость такого «конденсатора» зависит от напряжения. Данное свойство р.n. перехода используют в специальных диодах, называющихся варикап.

Вопрос 43

Полупроводниковые транзисторы.

Транзистор- это электронное устройство, состоящее из двух Р-n переходов.

Устройство, работа транзистора на принципе работы Р-n-Р типа. На металлической пластине основания находится полупроводник n-типа, называемый базой.

Больший о площади Р-n переход называется коллектором,

При этом переход базы коллектора подключен в обратном

направлении и не проходит ток. В результате Р-n перехода

не хватает носителей заряда, как в диоде.

При подключении перехода базы и эмитр в прямом направлении через этот переход начинает течь электрический ток, а благодаря близкому расположению перехода друг к другу Р-n переход база- коллектор насыщаются недостающими носителями заряда.

Благодаря этой подпитке в переходе базы- коллектора также возникает электрический ток, не смотря на то, что подключение является обратным. Если источник питания коллектор- база, дает больший ток, чем базы и эмиттер, то и ток в переходе базы- коллектор будет больше, но пропорционален току и эмиттер- база, т.к. зависит от насыщенности перехода недостающих зарядов.

Вопрос 44

Полевой транзистор-

Это полупроводниковый преобразовательный прибор, в котором ток, текущей через канал управляет электрическим полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком.

Принцип работы:

Тонкая пластина полупроводника

Снабжена тремя электродами,

Которые называются исток, затвор и эс

исток. При этом ток проходит между истоком

И эс истоком, а на затвор подается результирующее напряжение ( вторым контактом может служить как исток, так и эс исток). В результате в области под затвором образуется электрическое поле, которое изменяет количество носителей заряда, а следовательно сопротивление каналов. В данных транзисторах используется только 1 вид полупроводников.