- •1) Электронная конфигурация внешних оболочек атомов и типы сил связи в твердых телах.
- •2) Структуры важнейших полупроводников - элементов aiv, avi и соединений типов аiiiвv, аiiвvi , аivвvi.
- •3) Симметрия кристаллов.
- •4)Трансляционная симметрия кристаллов.
- •5) Базис и кристаллическая структура.
- •6) Элементарная ячейка.
- •7) Примитивная ячейка.
- •8) Ячейка Вигнера—Зейтца. Решетка Браве.
- •Решетки Бравэ
- •9) Обозначения узлов, направлений и плоскостей в кристалле.
- •10) Обратная решетка, ее свойства.
- •11) Зона Бриллюэна.
- •Характерные точки зоны Бриллюэна
- •Интересные особенности
- •12) Примеси и структурные дефекты в кристаллических и аморфных полупроводниках.
- •13) Химическая природа и электронные свойства примесей.
- •14) Точечные, линейные и двумерные дефекты.
- •Источники и стоки точечных дефектов
- •Комплексы точечных дефектов
- •Одномерные дефекты
- •Двумерные дефекты
- •Трёхмерные дефекты
- •15) Методы выращивания объемных монокристаллов из жидкой фазы
- •16) Методы выращивания эпитаксиальных пленок (эпитаксия из жидкой и газовой фазы).
- •17) Молекулярно-лучевая эпитаксия.
- •18) Металлоорганическая эпитаксия
- •19) Методы легирования полупроводников
- •21) Основные приближения зонной теории.
- •22) Волновая функция электрона в периодическом поле кристалла.
- •23) Зона Бриллюэна.
- •24) Энергетические зоны.
- •25) Эффективная масса.
- •Эффективная масса для некоторых полупроводников
- •26) Плотность состояний.
- •Определение
- •27) Уравнения движения электронов и дырок во внешних полях.
- •28) Искривление энергетических зон в электрическом поле.
- •29) Связь зонной структуры с оптическими свойствами полупроводника.
- •30) Уровни энергии, создаваемые примесными центрами в полупроводниках.
- •31) Доноры и акцепторы.
- •32) Мелкие и глубокие уровни.
- •33) Водородоподобные примесные центры.
- •34) Функция распределения электронов.
- •35) Концентрация электронов и дырок в зонах, эффективная плотность состояний.
- •36) Невырожденный и вырожденный электронный (дырочный) газ.
- •37) Концентрации электронов и дырок на локальных уровнях.
- •38) Положение уровня Ферми и равновесная концентрация электронов и дырок в собственных и примесных (некомпенсированных и компенсированных) полупроводниках.
- •39) Многозарядные примесные центры.
- •40) Проводимость, постоянная Холла и термо-эдс. По характеру проводимости. Собственная проводимость
- •Примесная проводимость
- •Полупроводник p-типа
- •41) Дрейфовая скорость, дрейфовая и холловская подвижности, фактор Холла.
- •42) Дрейфовый и диффузионный ток.
- •43) Соотношение Эйнштейна.
- •44) Механизмы рассеяния носителей заряда в неидеальной решетке.
- •45) Взаимодействие носителей заряда с акустическими и оптическими фононами.
- •46) Рассеяние носителей заряда на заряженных и нейтральных примесях.
- •47) Генерация и рекомбинация неравновесных носителей заряда.
- •48)Уравнение кинетики рекомбинации.
- •49) Времена жизни.
- •50) Фотопроводимость.
- •51) Механизмы рекомбинации.
- •52) Излучательная и безызлучательная рекомбинация.
- •53) Межзонная рекомбинация.
- •54) Рекомбинация через уровни примесей и дефектов.
- •55) Центры прилипания.
- •57) Схема энергетических зон в контакте металл-полупроводник.
- •58) Обогащенные, обедненные и инверсионные слои пространственного заряда вблизи контакта.
- •59) Вольт-амперная характеристика барьера Шоттки.
- •60) Энергетическая диаграмма р-п перехода.
- •61) Инжекция неосновных носителей заряда в р-п переходе.
- •62) Гетеропереходы.
- •63) Энергетические диаграммы гетеропереходов.
- •64) Поверхностные состояния и поверхностные зоны.
- •Природа поверхностных состояний
- •Состояния Тамма
- •Состояния Шокли
- •Поверхностные состояния, обусловленные дефектами кристаллической решётки на поверхности
- •Пс примесного типа
- •Пс в слоистых структурах
- •Энергетический спектр пс
- •Зоны пс
- •Двумерные зоны
- •Одномерные зоны
- •Типы пс по времени релаксации
- •65) Искривление зон, распределение заряда и потенциала вблизи поверхности.
- •66) Поверхностная рекомбинация.
- •67) Межзонные переходы.
- •68) Край собственного поглощения в случае прямых и непрямых, разрешенных и запрещенных переходов.
- •69) Экситонное поглощение и излучение.
- •70) Спонтанное и вынужденное излучение.
- •Применение
- •Последние открытия
- •71) Поглощение света на свободных носителях заряда.
- •72) Поглощение света на колебаниях решетки.
- •73) Влияние примесей на оптические свойства.
- •74) Примесная структура оптических спектров вблизи края собственного поглощения в прямозонных и непрямозонных полупроводниках.
- •75) Межпримесная излучательная рекомбинация.
- •76) Экситоны, связанные на примесных центрах.
- •77) Эффект Бурштейна-Мосса.
- •78) Примесная и собственная фотопроводимость.
- •79) Влияние прилипания неравновесных носителей заряда на фотопроводимость.
- •4. В общем случае центры прилипания сложным образом изменяют как кинетику, так и стационарную величину фп.
- •80) Оптическая перезарядка локальных уровней и связанные с ней эффекты.
- •81) Термостимулированная проводимость.
- •82) Фотоэлектромагнитный эффект
- •83) Аморфные и стеклообразные полупроводники.
- •84) Структура атомной матрицы некристаллических полупроводников
- •85) Идеальное стекло.
- •86) Гидрированные аморфные полупроводники
- •87) Особенности электронного энергетического спектра неупорядоченных полупроводников
- •88) Плотность состояний
- •89) Локализация электронных состояний
- •90) Щель подвижности
- •91) Легирование некристаллических полупроводников
- •103) Вольтамперная характеристика р-п перехода.
- •104) Приборы с использованием р-п переходов.
- •105) Туннельный диод.
- •106) Диод Ганна.
- •107) Биполярный транзистор.
- •108) Тиристор.
- •109) Энергетическая диаграмма структуры металл-диэлектрик-полупроводник (мдп).
- •110) Полевые транзисторы на мдп-структурах.
- •111) Приборы с зарядовой связью.
- •112)Фотоэлементы и фотодиоды.
- •113) Спектральная чувствительность и обнаружительная способность.
- •114) Полупроводниковые детекторы ядерных излучений.
- •115)Фотоэлектрические преобразователи, кпд преобразования.
- •117) Инжекционные лазеры на основе двойной гетероструктуры.
- •118) Использование наноструктур в полупроводниковых приборах.
- •119) Гетеротранзистор с двумерным электронным газом (немт).
- •120) Гетеролазеры на основе структур с квантовыми ямами и квантовыми точками.
- •121) Резонансное туннелирование в двухбарьерной гетероструктуре и резонансно-туннельный диод.
- •122) Оптический модулятор на основе квантово-размерного эффекта Штарка.
22) Волновая функция электрона в периодическом поле кристалла.
Обозначим потенциальную энергию электрона в нем через U (r), где r (х, у, z) — радиус-вектор данной точки пространства. Явный вид функции U (r) нам пока неизвестен. Однако многие важные особенности рассматриваемой системы можно выяснить, не задавая явного вида U (r), а пользуясь лишь некоторыми общими свойствами этой функции.
Для выяснения свойств функции U (r) заметим, прежде всего, что наша система зарядов в целом нейтральна: полный заряд валентных электронов равен по величине и противоположен по знаку заряду всех атомных остовов. Далее, следует ожидать, что не только остовы, но и электроны будут расположены в пространстве в среднем периодически. (В дальнейшем это будет показано явно.) Следовательно, и поле, создаваемое данной системой зарядов, должно быть периодично в пространстве:
U(r) = U(r + an), (2.1)
т. е. потенциальная энергия электрона в кристалле инвариантна относительно сдвига на вектор решетки аn. Итак, мы пришли к задаче о движении электрона в периодическом поле.
В этой главе будут рассматриваться только стационарные состояния электронов. Соответственно уравнение Шредингера имеет вид
Нψ = Еψ. (2.2)
Здесь Н — оператор энергии (гамильтониан) рассматриваемой системы, Е — его собственные значения, а ψ есть волновая функция — собственная функция оператора Н, принадлежащая собственному значению Е. В рассматриваемой нами задаче оператор Н представляет собой сумму операторов потенциальной энергии электрона U и кинетической энергии р2/2m0. Здесь т0 есть масса свободного электрона, а р — оператор импульса:
, , (2.3)
т. е.
(2.3')
Через ћ, как обычно, обозначена постоянная Планка h, деленная на 2л.
В соответствии со сказанным уравнение (2.2) применительно к задаче об электроне в периодическом поле принимает вид
(2.4)
причем функция U (г) обладает свойством (2.1).
Коль скоро потенциальная энергия U (г) не зависит от спина электрона, каждым собственному значению энергии Е и координатной волновой функции ψ отвечают два состояния, соответствующие двум возможным ориентациям спина. Об этом говорят как о спиновом вырождении.
При наложении магнитного поля B спиновое вырождение снимается, ибо энергия электрона становится зависящей от проекции магнитного момента на направление B. В отсутствие магнитного поля спиновое вырождение играет роль только при подсчете общего числа дозволенных квантовых состояний, приводя к появлению дополнительного множителя 2.
Определив из уравнения (2.4) волновую функцию ψ, мы можем найти средние значения любых физических величин, характеризующих поведение электрона. В частности, выражение
|ψ (r)|2dr (2.7)
дает нам вероятность обнаружить электрон в элементе объема dr = dx dy dz около точки r. По смыслу понятия вероятности должно выполняться условие нормировки
=1. (2.8) где интеграл берется по всему объему системы.
Условие сходимости этого интеграла играет роль одного из дополнительных условий к уравнению (2.4): физически допустимы только те решения, для которых интеграл (2.8) сходится.
Произведем в уравнении (2.4) замену аргумента
r = r' + аn.
Принимая во внимание равенство (2.1) и опуская штрих у переменной г', получаем
(2.4')
Сравнивая это с (2.4), видим, что функции ψ (r) и ψ (r + аn) удовлетворяют одному и тому же уравнению Шредингера с одним и тем же собственным значением энергии Е. Если этому собственному значению принадлежит одна собственная функция (т. е. если это собственное значение не вырождено), то функции ψ (r) и ψ (r + аn) могут отличаться лишь постоянным множителем:
ψ(r + аn) = cn ψ(r). (2-9)
Поскольку обе они должны быть нормированы, абсолютная величина сn должна быть равна единице:
|сn| = 1. (2.10)
Таким образом,
| ψ (r + аn)|2 = | ψ (r)|2 (2.11)
— электрон с одинаковой вероятностью может быть обнаружен в элементе объема dr как около точки r, так и около любой эквивалентной ей точки r + аn. Иначе говоря, как мы и ожидали, среднее (в квантовомеханическом смысле) распределение электронов в решетке обладает пространственной периодичностью последней.
Легко найти явный вид зависимости сn от вектора аn. Для этой цели произведем в уравнении (2.4) два последовательных сдвига аргумента — на аn и аn', где вектор аn' отличается от аn заменой чисел п1, п2, п3 на п1’, n'2, n'3. Применяя дважды соотношение (2.9), получим
ψ (r + аn + аn')= сn сn ψ (r). (2.12')
С другой стороны, по определению
аn + аn' = аn+n' и, следовательно,
ψ (r + аn + аn')= ψ (r + аn+n' ) = сn+n’ ψ (r) (2.12")
Сравнивая равенства (2.12') и (2.12"), находим
СпСn'=Сп + п'. (2.13)
Прямой подстановкой легко убедиться, что это функциональное уравнение имеет решение
Сn = е ikan (2.14)
где к — произвольный вектор. В силу равенства (2.10) компоненты к должны быть вещественными.
Равенство (2.14) с сочетании с (2.11) позволяет в известной мере раскрыть вид функций ψ (r), удовлетворяющих уравнению Шредингера периодическим потенциалом U (г). Именно, легко убедиться, что
ψ (r) = e ikr uk(r), (2.15)
где uk (r) — функция, периодическая с периодом решетки:
uk(r) = uk(r + аn). (2-16)
Действительно, в силу (2.11) ψ (r) может отличаться от функции, периодической с периодом решетки, только фазовым множителем вида eif(r), где f — вещественная функция. В силу (2.14) она должна быть линейной.
Равенства (2.15), (2.16) составляют содержание теоремы Блоха: волновая функция электрона, движущегося в периодическом поле, представляет собой модулированную плоскую волну. Иначе говоря, это есть произведение экспоненциальной функции eikr на функцию, периодическую с периодом решетки. Сами функции вида (2.15), (2.16) иногда называют функциями Блоха.
Вектор к называют квазиволновым. Очевидно, его компоненты имеют размерность [см-1]. Обычно к пишут в виде
, (2.17)
где р — вектор размерности импульса. Он называется квазиимпульсом.
Вектор р в данном случае есть обычный импульс, связанный с энергией Е равенством
(2.20)
Из формулы (2.17) непосредственно вытекает соотношение де Бройля, связывающее импульс с волновым вектором:
P = ћk