- •21) К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:
- •40) Основные нормируемые параметры
- •60) Частота
- •49)Однотактный усилитель мощности в режиме а с резистивной и трансформаторной нагрузками. Принципы построения. Коэффициент полезного действия.
- •8) Оптические и фотоэлектрические явления в полупроводниках
- •4) Собственные и примесные полупроводники
- •56) Общие сведения и принципы построения генераторов синусоидальных колебаний
9) Полупроводниковый резистор — полупроводниковый прибор с двумя выводами, в котором используется зависимость электрического сопротивления полупроводника отнапряжения.
Линейные резисторы,Варисторы,Тензорезисторы,Терморезисторы,Фоторезисторы
10)ВД-это полупроводниковые приборы с одним рн переходом,принцип действия которого основан на односторонней проводимости полупроводника.
11) Варикап Обращенные
Стабилитрон Туннельные
Диод шотки
12) Транзи́стор — радиоэлектронныйкомпонент из полупроводникового материала, позволяющий входным сигналам управлять током в электрической цепи.
Классификация:
1)по исходному материалу Германиевые,Кремневые,Арсенид-галлиевые
2)по числу рн переходов:
Униполярные,Биполярные,многопереходные
3)по технологии изготовления Сплавные и планарные
4)По виду носителей заряда РНР и НРН
13)Режимы работы БТ бывают: Нормальные активный режим,Инверсный акт.режим,Режим насыщения,отсечки и барьерный
15)
16)
17)
18)транзисторы 1-ый параметр характеризует физические св-ва БТ и независят от схем включения 2-ый параметр зависит от схем включения Параметры сопротивления,Проводимость,Гибр.параметры
19) Полевой транзистор — полупроводниковый прибор, в котором ток изменяется в результате действия перпендикулярного току электрического поля, создаваемого входным сигналом.
20)
\
21) К основным характеристикам полевых транзисторов относятся:
стокозатворная характеристика – это зависимость тока стока IС от напряжения на затворе UЗИ
стоковая характеристика – это зависимость IС от UСИ при постоянном напряжении на затворе
Основные параметры полевых транзисторов:
напряжение отсечки;
крутизна стокозатворной характеристики. Она показывает, на сколько миллиампер изменится ток стока при изменении напряжения на затворе на 1 В
внутреннее (или выходное) сопротивление полевого транзистора
+входное сопротивление
22 и 23) а23 б22
25) Динистор-2-ух элетродный прибор диодного типа,имеющий 3 РН перехода
26) Тири́стор — полупроводниковый прибор, с тремя или более p-n-переходами и имеющий два устойчивых состояния: закрытое состояние и открытое состояние
27) Симиcтop — полупроводниковый прибор, используемый для коммутации в цепях переменного тока.
28) Фоторези́стор — полупроводниковый прибор, изменяющий величину своего сопротивления при облучении светом.
29) Фотодио́д — приёмник оптического излучения[1], который преобразует попавший на его фоточувствительную область свет в электрическийзаряд за счёт процессов в p-n-переходе.
30) Фототранзи́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, вариант биполярного транзистора. Отличается от классического варианта тем, что область базы доступна для светового облучения
31) Фототири́стор — оптоэлектронный полупроводниковый прибор, имеющий структуру, схожую со структурой обычного тиристора, но отличающийся от последнего тем, что включается не напряжением, а светом, падающим на тиристорную структуру
32) Светодио́д — полупроводниковый прибор с электронно-дырочным переходом, создающий оптическое излучение при пропускании через него электрического тока.
33) Оптопара— электронный прибор, состоящий из излучателя света и фотоприёмника, связанных оптическим каналом и как правило объединённых в общем корпусе
34)Буквенно-цифровые индекаторы Матричные индекаторы ЖК-Интдекаторы
35)ИМС-схема с определенными функциональным назначением информации,подсчет импульсов,суммирование,которое изготавливается не сборной активных и пассивных элементов,а в единой технологическом процессе.
36)Представляют собой схемные решения на поверхности которого находяться спец.пленки с навесными элементами
37)в основе конструкции лежит кремневая подножка на которой выполняются все элементы,соединенные друг с другом проводниками
38) Функциона́льная (микро)электро́ника — одно из современных направлений микроэлектроники, обеспечивающих несхемотехнические принципы работы устройств.
39) Электронный усилитель — усилитель электрических сигналов, в усилительных элементах которого используется явление электрической проводимости в газах, вакууме и полупроводниках
По характеру усиливаемых сигналов различают:
Усилители непрерывных сигналов
Усилители импульсных сигналов.
По назначению усилителя делятся на:
усилители напряжения,
усилители тока,
усилители мощности.