- •120 Использование полупроводниковых диодов для вы-прямления переменного тока, различные выпрямитель-ные схемы.
- •121 Полупроводниковые материалы, полупроводники типа “n” и “p”, электронно-дырочная проводимость, примесная проводимость, свойства “p-n”-перехода.
- •122. Стабилизаторы постоянных тока и напряжения с использованием нелинейных резисторов.
- •123. Нелинейные цепи синусоидального тока как генераторы высших гармоник.
- •124. Триггерный эффект в последовательной феррорезонансной цепи. Феррорезонанс напряжений.
- •Феррорезонанс напряжений
- •125. Принцип действия биполярного транзистора.
- •126. Триггерный эффект в параллельной феррорезонансной цепи. Феррорезонанс токов.
- •127. Полевые транзисторы (принцип действия, конструкция, схемы включения, вольт-амперные характеристики). Преимущества перед биполярным транзистором.
- •Преимущества и недостатки полевых транзисторов перед биполярными.
- •Главные преимущества полевых транзисторов
- •Главные недостатки полевых транзисторов
- •128. Биполярные транзисторы (принцип действия, конструкция, схемы включения, вольт-амперные характеристики).
- •[Править]Устройство и принцип действия
- •[Править]Режим отсечки
- •[Править]Барьерный режим
- •[Править]Схемы включения
- •129. Как с помощью эксперимента определить корень характеристического уравнения p; для цепи первого порядка? Вычислите p, если Вам дана экспериментальная кривая uc(t) заряда конденсатора в rc - цепи.
[Править]Режим отсечки
В данном режиме оба p-n перехода прибора смещены в обратном направлении (оба закрыты). Режим отсечки транзистора получается тогда, когда эмиттерный и коллекторный р-n-переходы подключены к внешним источникам в обратном направлении. В этом случае через оба р-n-перехода протекают очень малые обратные токи эмиттера (IЭБО) И коллектора (IКБО). Ток базы равен сумме этих токов и в зависимости от типа транзистора находится в пределах от единиц микроампер — мкА (у кремниевых транзисторов) до единиц миллиампер — мА (у германиевых транзисторов).
[Править]Барьерный режим
В данном режиме база транзистора по постоянному току соединена накоротко или через небольшой резистор с его коллектором, а в коллекторную или в эмиттерную цепь транзистора включается резистор, задающий ток через транзистор. В таком включении транзистор представляет из себя своеобразный диод, включенный последовательно с токозадающим резистором. Подобные схемы каскадов отличаются малым количеством комплектующих, хорошей развязкой по высокой частоте, большим рабочим диапазоном температур, нечувствительностью к параметрам транзисторов.
[Править]Схемы включения
Любая схема включения транзистора характеризуется двумя основными показателями:
Коэффициент усиления по току Iвых/Iвх.
Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх
Схема включения с общей базой
Усилитель с общей базой.
Среди всех трех конфигураций обладает наименьшим входным и наибольшим выходным сопротивлением. Имеет коэффициент усиления по току, близкий к единице, и большой коэффициент усиления по напряжению. Фаза сигнала не инвертируется.
Коэффициент усиления по току: Iвых/Iвх=Iк/Iэ=α [α<1]
Входное сопротивление Rвх=Uвх/Iвх=Uбэ/Iэ.
Входное сопротивление для схемы с общей базой мало и не превышает 100 Ом для маломощных транзисторов, так как входная цепь транзистора при этом представляет собой открытый эмиттерный переход транзистора.
Достоинства:
Хорошие температурные и частотные свойства.
Высокое допустимое напряжение
Недостатки схемы с общей базой :
Малое усиление по току, так как α < 1
Малое входное сопротивление
Два разных источника напряжения для питания.
129. Как с помощью эксперимента определить корень характеристического уравнения p; для цепи первого порядка? Вычислите p, если Вам дана экспериментальная кривая uc(t) заряда конденсатора в rc - цепи.
НЕТ!!!!