
- •1. Элементы точечной симметрии кристаллов.
- •2.Элементы симметрии внутреннего строения кристаллов. Простые и сложные решетки.
- •3. Типы связей в кристаллических структурах.
- •4. Политипия и изоморфизм. Полиморфизм. Фазовые переходы.
- •5. Образование металлов и диэлектриком в схеме зонной теории. Образование полупроводников в схеме зонной теории. Приместные полупроводники.
- •6. Основные принципы симметрии в кристаллофизике ( принцип Неймана, Кюри). Предельные группы симметрии (группы Кюри).
- •7. Теплоемкость кристалла. Зависимость теплоемкости от температуры.
- •8. Диэлектрические с-ва как св-ва описываемые тензором второго ранга.
- •9. Магнитные с-ва кр-лов. Физическая природа диамагнетизма и парамагнетизма. Ферромагнетики, ферримагнетики и антиферромагнетики.
- •10.Пъезоэлектрический эффект как тензорное св-во кр-ла.
- •11. Двойное лучепреломление и поляризация света в кр-лах. Оптические св-ва кристаллов и их применение.
- •12.Общая классификация дефектов в кристаллах.
- •13. Дефекты по Шоттки. Температурная зависимость концентрации дефектов.
- •14. Дефекты по Френкелю. Температурная зависимость концентрации дефектов.
- •15. Беспорядок в кристалле обусловленный нарушениями стехиометрии. Температурная зависимость концентрации дефектов нестихеометрии.
- •16. Беспорядок в кристалле обусловленный посторонними примесями. Неизбежность присутствия примесей в кристалле.
- •17. Общие закономерности дефектообразования в элементарном кристалле содержащем одну примесь. Примеси в бинарных кристаллах.
- •18.Факторы, обуславливающие явления переноса. Хаотический и направленный перенос.
- •19.Механизмы диффузии в кристаллах. Хаотическая самодиффузия. Коэффициент хаотической самодиффузии.
- •20. Влияние температуры, нарушений стехиометрии и примесей на коэффициент хаотической самодиффузии.
- •21. Направленная диффузия. 1 и 2 законы Фика.(взято из интернета).
- •22. Гетеродиффузия. Эффекты Френкеля и Киркендаля.(из интернета).
- •23.Электрическая проводимость кристалла. Электрохимический перенос. Электрохимический потенциал.
- •24. Особенности и стадии протекания твердофазных реакций. Формальное ур-е кинетики твердофазных реакций.
- •25.Влияние точечных дефектов нестихеометрии на кинетику твердофазных реакций. Влияние примесей на кинетику твердофазных реакций. Такого нет в моих лекциях
8. Диэлектрические с-ва как св-ва описываемые тензором второго ранга.
Поместим твердый диэлектрик в электрическое поле с напряженностью E, в этом случае в диэлектрике неизбежно возникнет смещение зарядов которое характеризуется вектором электр. смещения D или вектором поляризации P.Рассмотрим 2 случая:1).Изотропный диэлектрик. Вектор электрического смещения будет совпадать по направлению с вектором электрич поля. D=Eε=(1+X)P, ε-диэлектрич проницаемость вещ-ва(абсолютная) она показывает способность диэлектрика поляризоваться в электрическом поле. X- диэлектрич проницаемость для изотропных диэлектриков для того чтобы определить ε, достаточно измерить емкость полученного конденсатора и по формуле найти ε, C=εε0S/d. 2) Анизотропный диэлектрик. В анизотропном диэлектрике в общем случае направленности вектора D и E не будет совпадать ни по модулю ни по направлению. Вектор электрического смещения D будет характеризоваться 3-мя составляющими. В случае еслисвязь E и D линейна: D1=ε11E11+ε12E12+ε13E13/ D2=ε21E21+ε22E22+ε23E23/ D3=ε31E31+ε32E32+ε33E33. D(D1,D2,D3)=f(E1,E2,E3). E1,E2,E3-проекции вектора напряженности эл поля на координатные оси. D1,D2,D3- тоже самое для вектора электрического смещения. коэффициенты ε в с-ме ур-ий образуют ни что иное как тензор 2 ранга. Учитываю условие симметричности тензор сводят к 6 компонентам(εij= εji).Тензор состоящий из 6 компонентов означет,что для того что бы корректно описать корректно описать диэлектрические с-ва некоего произвольного кр-ла,не достаточно провести одного измерения,в общем случае их надо 6. Но 6,если мы ни чего не знаем о симметрии кристалла.. Для описания св-в кристалла требуется тем больше независимых измерений,чем ниже его симметрия.
9. Магнитные с-ва кр-лов. Физическая природа диамагнетизма и парамагнетизма. Ферромагнетики, ферримагнетики и антиферромагнетики.
Для магнитных с-в верны те же раасуждения,что и для электрических- в кач-ве с-ва выступает Магнитная проницаемость M которая связана напряженностью и индукцией магнитного поля. B=MH,(Б и Х векторы) Так же в кач-ве св-ва может выступать магнитная восприимчивость которая связывает намагниченностьJ и H. J=ψH. Диамагнетики φ<0,в –в-ва намагничивающиеся навстречу действующему на них магнитному полю в отсутствии внешнего магнитного поля,собственного магнитного момента не имеют. диамагнетизм в той или иной степени присущ всем в-вам. Парамагнетики ,φ>0, т.е. в-во намагничивается по направлению поля,если поле не однородно,эти в-ва втягиваются в область более сильного поля.парамагнетизм характерен для в-в,ч-цы которых обладают собственным магнитным моментом,магнит моменты всех частиц в отсутствии поля ориентированы хаотически. Ферромагнетики- в-ва обладающие доменной магнитной структурой,их магнитная восприимчивость сильно зависит от величины внешнего поля и может достигать больших значений. Магнитные домены- реальные области в кр-ле в которых существует определнным образом сориентированные магнитные моменты,эти домены имеют реальные стенки которые при наложении внешнего магнит поля могут двигаться. Антиферромагнетики- в-ва в которых можно выделить 2 пространственных подрешетки с антипараллельными ориентированными магнитными моментами. А.феромаг. не обладают спонтанной намагничиваемостью во внешнем поле намагничиваются очень слабо. Ферримагнетики- в-ва при которых ниже точки Кюри появляется 2 или более магнитных подрешеток ы которых магнитные моменты не скомпенсированы. Для ферримагнетиков характерно все то же что и для ферромагнетиков.Иногда ферримагнетизм рассматривают как общий случай ферро и антиферромагнетизма. Ферримагнетики используют в изготовлении постоянных магнитов .