- •1. Механическое движение. Траектория, путь, перемещение. Система отсчета.
- •2. Равномерное и неравномерное прямолинейное движение. Скорость и ускорение.
- •1. ≠Const
- •3. Равномерное движение тела по окружности. Угловая и линейная скорость. Центростремительное ускорение.
- •4. Законы Ньютона.
- •5. Закон Всемирного тяготения.
- •6. Силы упругости. Виды сил упругости. Деформация. Закон Гука для упругодеформированного тела.
- •7. Силы трения. Виды сил трения.
- •8. Импульс тела и импульс силы. Второй закон Ньютона.
- •9. Закон сохранения импульса. Реактивное движение.
- •10. Работа сил.
- •11. Механическая энергия. Закон сохранения и превращения энергии в механике.
- •12. Основные положения м-к т., их опытное обоснование.
- •5. Молекулы одного и того же вещества в разных агрегатных состояниях одинаковы по своим химическим свойствам, а разных веществ – различны.
- •13. Строение твердых тел, жидкостей и газов.
- •14. Идеальный газ в м-к.Т. Основные уравнения м-к.Т.
- •15. Температура. Абсолютная температура. Шкала температур.
- •1. Шкала Цельсия. T˚с
- •2. Шкала Фаренгейта. Т˚f
- •16. Уравнение состояния идеального газа. Уравнение Менделеева-Клайперона.
- •17. Газовые законы.
- •18. Испарение и кипение. Насыщенный и ненасыщенный пар.
- •1.Испарение.
- •2.Высыхание влажных поверхностей.
- •2.Кипение.
- •19. Кристаллические и аморфные тела. Анизотропия и изотропия кристаллов
- •20. Влажность воздуха. Измерение влажности воздуха.
- •21. Упругая и пластичная деформация. Закон Гука.
- •22.Внутренняя энергия и способы ее изменения. Работа газа в изопроцессах.
- •26. Электризация тел. Закон сохранения электрического заряда. Закон Кулона. Правило квантования заряда.
- •29. Диэлектрики в электрическом поле.
- •30. Конденсаторы. Назначение, устройство и виды конденсаторов. Электроемкость. Энергия заряженного конденсатора.
- •31. Электрический ток. Действие тока. Условия существования тока. Электрическое напряжение. Электрическое сопротивление проводников. Удельное сопротивление. Закон Ома для участка цепи.
- •33. Работа и мощность эл.Тока. Закон Джоуля-Ленца.
- •36.Эл.Ток в полупроводниках
- •37.Эл.Ток в вакууме. Диод.
- •Ионизация газа-
- •39. Магнитное поле и его характеристика
- •40.Сила Лоренца. Траектория движения зар.Частиц.
- •41. Явление эл.Индукции. Правило Ленца.
- •42. Самоиндукция. Индуктивность
- •43.Гармонические колебания. Превращение энергии при колеб-ом движение. Резонанс.
- •44.Колебатльный контур.
- •Переме́нный ток — электр. Ток, который периодич изменяется по модулю и направлению.
36.Эл.Ток в полупроводниках
Провод-материалы, которые при одних условиях ток проводят, а при других нет.
1)на проводимость оказывает влияние t(при высоких-проводят, при низких-нет)
2)наличие примесей-одна увеличивает способность полу/п проводить ток.
Механизм проводимости у полупроводников:
Кристаллы полупроводников имеют атомную кристаллическую решетку, где внешние электроны связаны с соседними атомами ковалентными связями. При низких температурах у чистых полупроводников свободных электронов нет и он ведет себя как диэлектрик.
Полупроводники чистые (без примесей) Если полупроводник чистый( без примесей), то он обладает собственной проводимостью? которая невелика. Собственная проводимость бывает двух видов: 1) электронная ( проводимость "n " - типа) При низких температурах в полупроводниках все электроны связаны с ядрами и сопротивление большое; при увеличении температуры кинетическая энергия частиц увеличивается, рушатся связи и возникают свободные электроны - сопротивление уменьшается. Свободные электроны перемещаются противоположно вектору напряженности эл.поля. Электронная проводимость полупроводников обусловлена наличием свободных электронов.
2) дырочная ( проводимость " p" - типа ) При увеличении температуры разрушаются ковалентные связи, осуществляемые валентными электронами, между атомами и образуются места с недостающим электроном - "дырка". Она может перемещаться по всему кристаллу, т.к. ее место может замещаться валентными электронами. Перемещение "дырки" равноценно перемещению положительного заряда. Перемещение дырки происходит в направлении вектора напряженности электрического поля.
Кроме нагревания , разрыв ковалентных связей и возникновение собственной проводимости полупроводников могут быть вызваны освещением ( фотопроводимость ) и действием сильных электрических полей
Электрические свойства "p-n" перехода
"p-n" переход (или электронно-дырочный переход) - область контакта двух полупроводников, где происходит смена проводимости с электронной на дырочную (или наоборот). В кристалле полупроводника введением примесей можно создать такие области. В зоне контакта двух полупроводников с различными проводимостями будет проходить взаимная диффузия. электронов и дырок и образуется запирающий электрический слой.Электрическое поле запирающего слоя препятствует дальнейшему переходу электронов и дырок через границу. Запирающий слой имеет повышенное сопротивление по сравнению с другими областями полупроводника.
Внешнее электрическое поле влияет на сопротивление запирающего слоя. При прямом (пропускном) направлении внешнего эл.поля эл.ток проходит через границу двух полупроводников. Т.к. электроны и дырки движутся навстречу друг другу к границе раздела, то электроны, переходя границу, заполняют дырки. Толщина запирающего слоя и его сопротивление непрерывно уменьшаются.
Пропускной режим р-n перехода: При запирающем (обратном) направлении внешнего электрического поля электрический ток через область контакта двух полупроводников проходить не будет. Т.к. электроны и дырки перемещаются от границы в противоположные стороны, то запирающий слой утолщается, его сопротивление увеличивается.
Таким образом, электронно-дырочный переход обладает односторонней проводимостью.