4. Анизотропия кристаллов. Полиморфизм.

Анизотропия – зависимость свойств кристалла от направления, возникающее в результате упорядоченного расположения атомов(ионов, молекул) в пространстве. В кристалле расстояния между атомами в различных кристаллографических направлениях различны, а поэтому различны и свойства. Она присуща многим свойствам кристаллов. Наиболее сильно она проявляется в кристаллах со структурами, обладающими малой симметрией.

Среди кристаллов распространено явление полиморфизма (аллотропия) – способность в твёрдом состоянии при различных температурах (или давлении) иметь различные типы кристаллических структур. Эти кристаллические структуры называют аллотропическими формами, или модификациями. Низкотемпературную модификацию называют α, а высокотемпературные – β, γ, δ и т.д.

9. Пласт деформация. Механизм пласт деформации.

Деформация – изменение формы и размеров тв тела. Деформация делится на 2 вида: 1)пластическая (необратимая), 2)упругая (обратимая).

Деформация происходит под действием внешних сил. Если после снятия нагрузки тело не приобретает исходную форму и размеры, то говорят что возникла остаточная деформация, такая деформация необратима. Пластическая деформация может проходить по двум механизмам: скольжения и двойникования. При пластической деформации одна часть кристалла сдвигается относительно другой части кристалла по плоскости скольжения

При реализации механизма скольжения часть кристалла смещается по отношению к другой под воздействием напряжений, превышающих критическую величину.

При чем это скольжение осуществляется по так называемым плоскостям скольжения. Каковыми являются плоскости наиболее упакованные атомами.

Деформация по механизму двойникования заключается в смещении одной части кристаллов в зеркальное отражение по отношению к другой по, так называемым, плоскостям двойникования. Точнее в этом случае смещение происходит за счет разворота части кристаллической решетки.

Деформация двойникования также как и скольжения осуществляется при прохождении дислокации через кристалл. Практически любой металл деформируется сразу по двум механизмам с преобладанием какого-либо одного.

5. Строение реальных кристаллов. Реальные кристаллы никогда не имеют идеально правильной кристаллической решётки. Правильное расположение атомов в пространстве в той или иной степени нарушается из-за тепловых колебаний. В кристаллах всегда имеются химические нарушения в виде инородных примесных атомов. Т.о, в реальных условиях крист решётка никогда не бывает совершенной, есть всегда дефекты. Геометрич признаки классификации дефектов, по кот дефекты разделяют на: 1) точечные; 2) линейные; 3) поверхностные. Точечные имеют размеры, близкие к размерам атомов. ТД образуются в процессе кристаллизации под воздействием тепловых, механич, электрич воздействий; при облучении нейтронами, электронами, рентгеновскими лучами. Типы ТД: а) вакансии; б) межузельные атомы (дислоцированные); в) примесные атомы. РИС тетр!!! Вакансии и межузельные атомы могут возникать при  t, выше абсолютного 0К.  t соответствует своя концентрация вакансий. Из всех точечных дефектов вакансия явл самой важной, т.к. именно они способствуют перемещению атомов внутри кристаллов и за это отвечают (т.е. происходит диффузия). Т.е. присутствие вакансий объясняет возможность диффузии – перемещение атомов на расстояния, превышающие средние межатомные расстояния для данного М. Перемещение атомов осуществляется путём обмена местами с вакансиями. Различают самодиффузию (перемещения атомов не изменяют их концентрацию в отдельных объёмах) и гетеродиффузию (перемещения атомов сопровождаются изменением концентрации; хар-на для сплавов с высоким содержанием примесей). Влияние: Все виды ТД приводят к локальным изменениям межатомных расстояний и  искажают крист решётку. При этом  сопротивление решётки дальнейшему смещению атомов, что способствует упрочнению кристаллов и  их электросопротивление. ТД влияют в определённой мере на физич св-ва. В технически чистых М ТД  электрич сопротивление. На механич св-ва ТД влияют мало.