
- •2) Собственная проводимость
- •4) Электронные полупроводники (n-типа)
- •. Вольт-амперная характеристика идеального p-n перехода
- •10) Пробой p-n-перехода
- •12) Полупроводниковые диоды
- •13) 4.6. Переходные процессы в полупроводниковых диодах
- •Эпюры изменения напряжения и тока при переключении диода: а) напряжение; б) ток.
- •17) Полупроводниковая структура и принцип работы биполярного транзистора вах.
- •18) Биполярные транзисторы
- •19) Модели биполярного транзистора
- •28) Полевые транзисторы
- •По структуре
28) Полевые транзисторы
Полупроводниковые приборы, работа которых основана на модуляции сопротивления полупроводникового материала поперечным электрическим полем, называются полевыми транзисторами. В создании электрического тока в таких приборах участвуют носители заряда только одного типа (электроны или дырки). Поэтому полевые транзисторы являются монополярными полупроводниковыми приборами. Полевые транзисторы бывают двух видов: с управляющим р-п-переходом и со структурой металл - диэлектрик - полупроводник (МОП-транзисторы).
По структуре
|
|
|
Транзисторы |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Биполярные |
|
|
|
|
|
Полевые |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
p-n-p |
|
n-p-n |
|
С p-n-переходом |
|
|
С изолированным затвором |
|
|
|
|
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
|
|
|
|
|
С каналом n-типа |
|
С каналом p-типа |
|
Со встроенным каналом |
|
С индуцированным каналом |
|
|||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
|
Полевые транзисторы с управляющим р-п-переходом Работа полевого транзистора с управляющим р-п-переходом основана на изменении сопротивления канала за счет изменения размеров области, обедненной основными носителями заряда. Под действием приложенного к затвору обратного напряжения поперечное сечение канала может меняться, что и ведет к изменению его сопротивления.
Электрод, от которого начинают движение основные носители заряда в канале, называют истоком, а электрод, к которому движутся основные носители заряда, называют стоком.
29)