![](/user_photo/2706_HbeT2.jpg)
- •7. Технология изготовления микросхем
- •7.1. Общие сведения о микросхемах и технологии их изготовления
- •7.2. Изготовление монокристалла полупроводникового материала
- •7.3. Резка монокристалла и получение пластин
- •7.4. Изготовление фотошаблонов
- •7.5. Полупроводниковые микросхемы
- •1.6. Легирование методом термической диффузии примесей
- •7.8. Проектирование полупроводниковых резисторов в имс
- •7.9. Фотолитография
- •Подготовка поверхности
- •Нанесение фотослоя
- •Совмещение и экспонирование
- •Проявление
- •Травление
- •7.10. Расчет топологических размеров областей транзистора
- •7.11. Осаждение тонких пленок в вакууме
- •Термическое вакуумное напыление
- •Распыление ионной бомбардировкой
- •7.12. Тонкопленочные резисторы
- •7.13. Основы толстопленочной технологии
- •7.14. Коммутационные платы микросборок
- •Тонкопленочные платы
- •Толстопленочные платы
- •7.15. Крепление подложек и кристаллов
- •7.16. Электрический монтаж кристаллов имс на коммутационных платах микросборок
- •Проволочный монтаж
- •Монтаж жесткими объемными выводами
- •Микросварка
- •Микросварки
- •Изготовление системы объемных выводов
- •7.17. Герметизация микросхем и микросборок
- •Бескорпусная герметизация
- •Корпусная герметизация микросхем
- •Контроль герметичности
- •Контрольные вопросы
Проявление
Проявление скрытого изображения для негативных фоторезистов заключается в обработке фотослоя органическим растворителем. При этом участки, не подвергшиеся облучению, растворяются, а облученные участки, где при поглощении ультрафиолетового излучения УФ происходит разрыв
межатомных связей и перестройка структуры (фотополимеризация), сохраняются (см. рис. 7.15).
В позитивных фоторезистах на участках, подвергшихся облучению, происходит разрушение структуры (деструкция) с образованием кислоты. Для перевода ее в растворимые слои применяют раствор неорганического соединения со щелочными свойствами (КОН, NaOH и др.).
После отмывки от следов проявителя и сушки полученную фотомаску подвергают тепловому задубливанию (120... 180 °С в зависимости от марки фоторезиста), в результате чего окончательно формируются ее защитные свойства.
Травление
При травлении в жидких травителях используются водные растворы неорганических соединений (обычно кислот). Химический состав и концентрация травителя в растворе подбираются так, чтобы поверхностный слой растворялся активно, а нижележащий не растворялся. С травлением в жидких травителях связано не только явление подтравливания под фотомаску, но и разброс величины подтравливания в совокупности элементов одного слоя. К моменту окончания растворения слоя в окне фотомаски боковое травление оказывается примерно равным толщине слоя (рис. 7.17), однако момент окончания травления зависит от размеров вытравливаемого элемента (окна в маске). В процессе травления имеют место отвод продуктов химической реакции от поверхности в раствор и подвод из раствора свежего травителя. Оба процесса протекают благодаря взаимодиффузии, скорость которой и определяет скорость травления. В мелких элементах массообмен затруднен и скорость травления ниже, чем в крупных элементах. Поскольку
технологическое время травления устанавливают по самому мелкому элементу, более крупные элементы «перетравливаются», т. е. имеют большие погрешности размера.
Рис. 7.17. Боковое под-травливание под фотомаску:
/ — пластина; 2 — фронт травления при нормальном режиме; 3 — фронт травления при «нерстравлива-нии»; 4 — фотомаска
Для повышения точности травления, т. е. уменьшения разброса размеров элементов из-за растравления, необходимо динамическое воздействие травителя на обрабатываемую поверхность. На рис. 7.18 приведена схема установки на основе центрифуги, снабженной тремя форсунками для последовательного травления, отмывки (деионизо-ванной водой) и сушки (подогретым воздухом). Форсунка для травителя обеспечивает ускоренную подачу свежего травителя к поверхности, вытесняя
продукты реакции, а центробежные силы ускоряют отвод отработанного хранителя. Ниже приведены типы применяемых при производстве ИМС травителей:
Ag т.к. H2S04, HNO3
А1 рз. щелочи, г. Н3РО4
Аи «царская водка» (к НС1:НКОз=3:1)
Сг НС1, H2SO4, г. HNO3
Си г.к. H2SO4, HNO3
Мо г.к H2SO4, г. НМОз, «царская водка»
Ni рз. кислоты
Pd HNO3, г.к. H2SO4, «царская водка»
Pt «царская водка»
Si HNO3+HF
SiCb рз. HF
Si3N4 г. Н3Ю4, к. HF
Та HF
Ti щелочи, HF, рз. кислоты
V HF, НМОз, «царская водка», т.к. H2SO4
W v «царская водка», НМОз+HF
Здесь к. — концентрированная; рз. — разбавленная; г. — горячая.
Рис. 7.18. Схема установки травления, отмывки и сушки:
1 — полый ротор; 2 — днище камеры с отверстием; 3 — форсунка сушки; 4— форсунки травления и отмывки; 5 — платформа с пластинами; 6 — съемная крышка
Существенное повышение точности травления достигается при вакуум-плазменных («сухих») методах травления, при которых разрушение слоя происходит механически за счет бомбардировки потоком заряженных частиц (ионов инертного газа). Для этого в вакуумной камере при давлении газа 1... 10 Па зажигается разряд и обрабатываемая пластина, в данном случае являющаяся катодом, подвергается обработке ионами с энергией до 1 кэВ. Структура полимерной фотомаски и ее толщина сохраняют ее защитные свойства до окончания обработки слоя. Поскольку движение ионов инертного газа (обычно аргона) происходит по нормали к поверхности пластины, вытравленные участки точно соответствуют размерам окон фотомаски, т. е. эффект подтравливания отсутствует.