
- •3.Мощность микропроцессора, mips, mflops.
- •6.Универсальные и специализированные, синхронные и асинхронные мп, одномагистральные и многомагистральные эвм.
- •8.Цифровые процессоры обработки сигналов, оценка требуемого быстродействия, исходя из теоремы Котельникова (Найквиста).
- •10.Локальные системы накопления и обработки информации. Распределенные системы управления сложными объектами. Распределенные системы параллельных вычислений.
- •11.Понятия структуры и архитектуры микроЭвм. Структурная схема микроЭвм.
- •12.Интерфейсы микроЭвм (внутриплатный, системный, увв).
- •13.Структурная схема однокристального мп.
- •14.Алу, регистр состояния, флаги.
- •15.Аккумулятор, счетчик команд, роНы.
- •16.Стек, указатель стека.
- •18.Микропрограммный и аппаратный принципы управления
- •19.Достоинства и недостатки микропроцессоров с архитектурой cisc и risc.
- •20.Принципы организации вычислительного процесса.
- •21.Конвеерный принцип выполнения команд.
- •22.Назначение кэш-памяти. Принципы временной и пространственной локальности.
- •25.Алгоритм, команда, операнд, код операций.
- •26.Система команд, формат команды.
- •27.Команды пересылки, арифметический и логических операций.
- •28.Команды переходов и связи с подпрограммами.
- •31.Прямая(абсолютная), страничная, сегментная адресация.
- •32.Регистровая, регистровая косвенная, непосредственная адресация.
- •33.Индексная, относительная адресация.
- •38.Изолированный ввод-вывод и ввод-вывод, отображенный на память. Назначение адресов регистров вв, драйверы вв.
- •40)Назначение адресов регистров вв,драйверы вв
- •41.Ввод-вывод, безусловная и условная передача данных.
- •44.Ввод-вывод в режиме прерываний. Реакция процессора на прерывания.
- •45.Контекстное переключение процессора, идентификация прерывающего устройства.
- •46.Программный полинг флажков готовности при прерываниях. Программный полинг
- •47.Одноуровневая и многоуровневая система прерываний. Внутренние сигналы прерываний. Одноуровневые прерывания.
- •49.Ввод-вывод с прямым доступом к памяти- пдп (dma). Режимы пдп: идентификации состояния памяти, с пропуском тактов,с простой организацией
- •51. Запоминающие устройство – адресные и ассоциативные, с произвольным и последовательным доступом.
- •52. Озу энергозависимы е и энергонезависимые. Техническое исполнение озу. Статические и динамические озу. Достоинства и недостатки.
- •53. Интерфейс статического озу. Особенности интерфейса динамического озу.
- •57. Принципы работы, достоинства и недостатки fram, mram.
- •60. Статические параметры бис зу.
- •61. Динамические параметры определяться временными процессами, поиск в бис зу.
- •I80286, Реальный и защищенный режим.
- •I80386, i486. Процессоры с умножением частоты.
51. Запоминающие устройство – адресные и ассоциативные, с произвольным и последовательным доступом.
ЗУ делаться на оперативную (ОЗУ, RAH) и постоянную (ПЗУ, RON). Оперативное ЗУ. Используется для ввода и хранение программ, данных и текущих результатов, полученных в процессе работы. В этих устройствах обеспечиваться режима записи, хранения и считывание двоичной информации. По способу обращения к массиву элементов памяти ЗУ делиться на адресное и ассоциативные. Подавляющее большинство ЗУ относиться к адресному , в котором обращение к элементам памяти производиться по их функциональным коэффициентом, заданный внешним двоичным кодом . В ассоциативном ЗУ. происходит и выборка информации осуществляется по содержанию произвольных количество разрядов хранящихся в ЗУ чисел, независимо от физических координат ячеек памяти. В связи со сложной реализацией, ассоциативное ЗУ бывает с произвольным доступом (выборки, ЗУПВ), которой допуск любой порядок следования адресов. С последовательным доступом в порядке возрастания или убывания адресов. Такая память применяется для размещения большинства массивов информации.
52. Озу энергозависимы е и энергонезависимые. Техническое исполнение озу. Статические и динамические озу. Достоинства и недостатки.
Память может быть энергозависимой и энергонезависимой. В энергонезависимой памяти данные при отключении или сбое системы питания не разрушается, а в энергозависимой разрушается. Полупроводников. ОЗУ, как правило, энергозависимые, а память на магнитных сердечниках энергозависимая. Часто полупроводниковая память снабжается резервным (аккумулятором или батарейкой), благодаря чему становиться энергонезависимой, т.к способна сохранять информацию в период отключения источника питания. В настоящее время наиболее распространён ЗУ полупроводникового типа. По технологии исполнена интегральная ОЗУ могут быть выполнены на основе биполярных структур, исполнен схемотехнике ЭСЛ, ТТЛ, и полупроводник. ЗУ на основе МО технологий (Р - МОП, N - МОП) Наиболее распространен К - МОП, БиК - МОП.
Статические и динамические ОЗУ. Достоинства и недостатки.
ОЗУ может быть статическая и динамическая. В ОЗУ статического типа в качестве элемента памяти применяется триггер. Эти ячейки памяти объединяться в матричную структуру и обращение к ним идёт по строкам и столбцам. ОЗУ предназначено для хранения переменной информации, оно допускает изменение своего содержимого в ходе выполнения процессором вычислительных операций с данными. Это значит, что процессор может выбрать из ОЗУ код команды и данные (режим считывания) и после обработки поместить в ОЗУ полученный результат (режим записи). Причем возможно размещение в ОЗУ новых данных на месте прежних, которые в этом случае перестают существовать. При этом различают статические и динамические ОЗУ. В микросхемах статических ОЗУ информация хранится в виде устойчивого состояния триггера, который способен при наличии напряжения питания сохранять свое состояние неограниченное время. Достоинством таких ОЗУ является максимальное быстродействие, а недостатком - высокая стоимость и значительное энергопотребление. В микросхемах динамических ОЗУ элементы памяти выполнены на основе конденсаторов, сформированных внутри полупроводникового кристалла. Такие элементы памяти не могут долгое время сохранять свое состояние, определяемое наличием или отсутствием электрического заряда, и поэтому нуждаются в периодическом обновлении (регенерации). Микросхемы динамических ОЗУ отличаются от статических гораздо большей информационной емкостью, что обусловлено меньшим числом компонентов в одном элементе памяти и, следовательно, более плотным их размещением в полупроводниковом кристалле. Однако динамические ОЗУ сложнее в применении, поскольку нуждаются в организации принудительной регенерации и в усложнении устройств управления. Динамическая память имеет среднее быстродействие и невысокую стоимость. Таким образом, ОЗУ может работать в режимах записи, считывания и хранения информации.