Рівень с
1. До якого класу моделей знань належать фрейми:
а) Логічних
б) Евристичних
в) Мережевих
г) Продукційних
д) ЛП1П
2. Яка з наступних формул суперечлива:
а)
б)
в)
г)
3. Канали введення-виведення бувають наступних типів:
а) мультиплексні
б) блок-селекторні
в) блок-мультиплексні
г) мультимодальні
д)селекторні
е) селективні
4. Контролер переривань виконує наступні функції:
а) розширює кількість входів переривань від джерел поривань
б) маскує окремі переривання
в) самостійно формує сигнали переривань в окремих ситуаціях
г) інформує контролери (джерела переривань) про неможливість обробки переривань ЦП
д) реалізує систему пріоритетів обробки переривань
5. До інтерфейсів послідовного типу відносяться:
a) АТА
б) SATA
в) SCSI
г) USB
д) LPT
е) RS-232
6. В сучасних накопичувачах на магнітних дисках стандартна швидкість обертання шпинделя дорівнює:
а) 1000 об./хв.
б) 3800 об./хв.
в) 5400 об./хв.
г) 6500 об./хв.
д) 7200 об./хв.
е) 8400об/хв.
ж) 12000 об./хв.
з) 20000 об./хв.
7. Розташуйте вірно нижче вказані дії при виконанні команди CALL:
а) Запис старшого байту з лічильника адреси (РС) у пам’ять за адресою в SP;
б) Запис молодшого байту з лічильника адреси (РС) у пам’ять за адресою в SP;
в) Декремент SP;
г) Читання першого байту команди CALL та запис його в регістр команд;
д) Декремент SP;
е) Перепис з регістрів тимчасового затримання у лічильник адреси (РС);
ж) Читання другого та третього байтів команди та запис їх у регістри тимчасового збереження;
8. Розташуйте вірно нижче вказані дії при виконанні асинхронного паралельного виводу байта з ППА в пристрій виводу :
а) Пристрій читає данні з шини даних та виробляє одночасно сигнал читання даних АСК;
б) ППА виставляє сигнал готовності даних на шині даних ОBF;
в) По закінченню сигналу АСК ППА видає сигнал INTR в мікропроцесор;
г) ППА виставляє данні на шину даних порта;
9. Розташуйте вірно нижче вказані дії при виконанні асинхронного паралельного вводу байта в ППА з пристрою вводу :
а) Пристрій видає сигнал готовності даних на шині даних STB;
б) Пристрій виставляє данні на шину даних;
в) ППА виставляє сигнал IBF;
г) ППА видає сигнал INTR в мікропроцесор;
д) ППА приймає данні з шини даних в порт;
е) ППА знімає сигнал IBF;
ж) Мікропроцесор читає байт з порта ППА
10. Вкажіть вірний порядок ініціалізації ППА:
а) Запис управляючого слова в регістр управляючого слова, установлення бітів дозволу переривань у регістрі С;
б) Запис інформації у порт А, установлення бітів дозволу переривань у регістрі С;
в) Запис управляючого слова в порт С, установлення бітів дозволу переривань у регістрі С;
г) Запис управляючого слова в порт А, установлення бітів дозволу переривань у регістрі В;
11. В ОС QNX використовується диспетчеризація:
а) пряма
б) FIFO
в) послідовна
г) карусельна
д) мережна
12. Уникнути появи процесів-«зомбі» можливо:
а) обробивши сигнал SIGCHLD як SIG_IGN
б) застосувавши функцію WAIT
в) завершивши процес
г) обробивши сигнал SIGFPE
д) очистивши стек
13. Запуск процесу в ОС QNX виконується за допомогою функцій:
а) exec
б) spawn
в) fork
г) CreateProcess
д) ShellExecute
14. Частини програми під час виконання завантажуються до оперативної пам'яті із:
а) спеціальної області на диску
б) області завантаження
в) сторінкового файлу
г) області свопінгу
д) сегменту стеку
15. Синхронізація потоків може відбуватися за допомогою:
а) планувальника
б) завантажувальника
в) семафора
г) м’ютекса
д) критичної секції
16. В СОМ-програмі відсутній:
а) сегмент коду
б) сегмент даних
в) заголовок
г) сегмент стеку
д) префікс програмного сегменту
17. Передача даних між процесами відбувається за допомогою:
а) критичної секції
б) каналів PIPE
в) каналів FIFO
г) семафорів
д) роз поділюваної пам'яті
18. Потокам одного процесу для передачі даних потрібно:
а) канали PIPE
б) канали FIFO
в) розподілювана пам'ять
г) черга повідомлень
д) нічого не потрібно
19. Результат перевірки виконання логічних умов може використовуватись :
а) при переходах у мікропрограмах
б) при переходах у програмах
в) при зверненні до регістрів
г) при зверненні до пам’яті
20. Об’єм ОП – 256М, об’єм КЕШ – пам’яті (КП) – 32К. КП організована за секторним способом, об’єм сектора КП – 256 слов. Розрядність тега (біт) :
а) 10
б) 20
в) 28
г) 15
21. Об’єм ОП – 512М, об’єм КЕШ – пам’яті (КП) – 32К. КП організована за множно-асоціативним способом. Кількість множин 256. Розрядність тега :
а) 10
б) 15
в) 20
г) 21
22. Об’єм ОП – 128М, об’єм КЕШ – пам’яті (КП) – 16К. КП організована за способом прямого відображення. Розрядність тега :
а) 10
б) 12
в) 13
г) 25
д) 27
23. Об’єм ОП – 128М, об’єм КЕШ – пам’яті (КП) – 32К. КП організована за секторним способом, об’єм сектора КП – 256 слов. Розрядність тега (біт) :
а) 8
б) 15
в) 19
г) 12
д) 27
24. Об’єм ОП – 256М, об’єм КЕШ – пам’яті (КП) – 8К. КП організована за способом прямого відображення. Розрядність тега (біт) :
а) 10
б) 13
в) 15
г) 20
д) 28
25. До ознак класифікації локальних мереж відносяться
а) фізична топологія
б) використання методу комутації пакетів
в) фізична середа передачі
г) конфігурація мережі
д) метод доступу до середи передачі
26. Загальними властивостями 10Base-5, 10Base-2, 10Base-T і 10Base-F є
а) логічна топологія
б) фізична шина
в) Base
г) параметри MAC-рівня
д) фізична середа
е) метод доступу CSMA/CD
27. Формула розрахунку тривалості випадкової паузи при методі CSMA/CD
а) Пауза = 575 * L
б) Пауза = 512 * L
в) Пауза = L * інтервал_вікна
г) Пауза = L + вікно_конфлікту
д) Пауза = L * інтервал_відстрочки
е) Пауза = L + інтервал_відстрочки
28. Можливі варіанти мережі з методом доступу Token Bus
а) логічна топологія: шина, фізична топологія: шина
б) логічна топологія: кільце, фізична топологія: кільце
в) логічна топологія: шина, фізична топологія: кільце
г) логічна топологія: кільце, фізична топологія: шина
д) логічна топологія: кільце, фізична топологія: зірка
29. Фізична середа в Token Ring
а) волоконно-оптичний кабель
б) UTP Cat 3
в) UTP Cat 6
г) STP Type 1
д) тонкий коаксіал
30. На рисунку зображено схему наступного елементу:
а) регістр зсуву в сторону старших розрядів
б) двійковий лічильник, що підсумовує, з послідовним переносом
в) двійковий лічильник, що підсумовує, з паралельним переносом
г) кільцевий лічильник
31. На рисунку зображено схему наступного елементу:
а) трьохрозрядний регістр з паралельним завантаженням
б) двійковий лічильник, що віднімає, з послідовним переносом
в) двійковий лічильник, що підсумовує, з паралельним переносом
г) кільцевий лічильник
32. На рисунку зображено схему наступного елементу:
а) регістр зсуву в сторону старших розрядів
б) двійковий лічильник, що віднімає, з послідовним переносом
в) магістральний підсилювач
г) лічильник Мебіуса
33. Транзисторний ключ керується прямокутним імпульсом струму бази: при відмиканні («отпирании») іб=Іб1, при закритті («запирании») іб=Іб2. Обидва струми суттєво перевищують струм бази насичення («насыщения»). Форма струму коллектора транзистора характеризується показниками швидкодії: тривалістю фронту, розсмоктування («рассасывания») та зрізу («среза»). Є можливість змінювати в невеликих межах такі параметри: струм бази відкривання Іб1, струм бази закриття Іб2, струм колектора насичення Ікн, інтегральний коефіцієнт підсилення транзистора В. Необхідно зменшити тривалість фронту колекторного струму. Для цього можна виконати наступні дії:
а) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, зменшити В
б) збільшити Іб1, зменшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
в) збільшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
г) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
34. Транзисторний ключ керується прямокутним імпульсом струму бази: при відмиканні («отпирании») іб=Іб1, при закритті («запирании») іб=Іб2. Обидва струми суттєво перевищують струм бази насичення («насыщения»). Форма струму коллектора транзистора характеризується показниками швидкодії: тривалістю фронту, розсмоктування («рассасывания») та зрізу («среза»). Є можливість змінювати в невеликих межах такі параметри: струм бази відкривання Іб1, струм бази закриття Іб2, струм колектора насичення Ікн, інтегральний коефіцієнт підсилення транзистора В. Необхідно зменшити тривалість зрізу колекторного струму. Для цього можна виконати наступні дії:
а) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, зменшити В
б) збільшити Іб1, зменшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
в) зменшити Іб1, збільшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
г) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
35. Транзисторний ключ керується прямокутним імпульсом струму бази: при відмиканні («отпирании») іб=Іб1, при закритті («запирании») іб=Іб2. Обидва струми суттєво перевищують струм бази насичення («насыщения»). Форма струму коллектора транзистора характеризується показниками швидкодії: тривалістю фронту, розсмоктування («рассасывания») та зрізу («среза»). Є можливість змінювати в невеликих межах такі параметри: струм бази відкривання Іб1, струм бази закриття Іб2, струм колектора насичення Ікн, інтегральний коефіцієнт підсилення транзистора В. Необхідно зменшити тривалість розсмоктування колекторного струму. Для цього можна виконати наступні дії:
а) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, зменшити В
б) збільшити Іб1, зменшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
в) зменшити Іб1, збільшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
г) зменшити Іб1, збільшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
36. Транзисторний ключ керується прямокутним імпульсом струму бази: при відмиканні («отпирании») іб=Іб1, при закритті («запирании») іб=Іб2. Обидва струми суттєво перевищують струм бази насичення («насыщения»). Форма струму коллектора транзистора характеризується показниками швидкодії: тривалістю фронту, розсмоктування («рассасывания») та зрізу («среза»). Є можливість змінювати в невеликих межах такі параметри: струм бази відкривання Іб1, струм бази закриття Іб2, струм колектора насичення Ікн, інтегральний коефіцієнт підсилення транзистора В. Необхідно збільщити тривалість фронту колекторного струму. Для цього можна виконати наступні дії:
а) зменшити Іб1, зменшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
б) збільшити Іб1, зменшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
в) зменшити Іб1, збільшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
г) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
37. Транзисторний ключ керується прямокутним імпульсом струму бази: при відмиканні («отпирании») іб=Іб1, при закритті («запирании») іб=Іб2. Обидва струми суттєво перевищують струм бази насичення («насыщения»). Форма струму коллектора транзистора характеризується показниками швидкодії: тривалістю фронту, розсмоктування («рассасывания») та зрізу («среза»). Є можливість змінювати в невеликих межах такі параметри: струм бази відкривання Іб1, струм бази закриття Іб2, струм колектора насичення Ікн, інтегральний коефіцієнт підсилення транзистора В. Необхідно збільшити тривалість зрізу колекторного струму. Для цього можна виконати наступні дії:
а) зменшити Іб1, зменшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
б) збільшити Іб1, зменшити Іб2, збільшити Ікн, зменшити В
в) зменшити Іб1, збільшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
г) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
38. Транзисторний ключ керується прямокутним імпульсом струму бази: при відмиканні («отпирании») іб=Іб1, при закритті («запирании») іб=Іб2. Обидва струми суттєво перевищують струм бази насичення («насыщения»). Форма струму коллектора транзистора характеризується показниками швидкодії: тривалістю фронту, розсмоктування («рассасывания») та зрізу («среза»). Є можливість змінювати в невеликих межах такі параметри: струм бази відкривання Іб1, струм бази закриття Іб2, струм колектора насичення Ікн, інтегральний коефіцієнт підсилення транзистора В. До збільшення тривалості розсмоктування приведуть наступні дії: :
а) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, зменшити В
б) збільшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
в) зменшити Іб1, збільшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В
г) зменшити Іб1, зменшити Іб2, зменшити Ікн, збільшити В