
- •1. Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов
- •2. Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Ненасыщенный биполярный ключ
- •3. Биполярный насыщенный ключ с динамической нагрузкой: схема, принцип работы, характеристики
- •4. Насыщенный биполярный ключ. Схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Транзистор в режиме насыщения
- •Транзистор в режиме отсечки
- •Передаточная характеристика
- •5. Фоторезисторы: устройство, принцип работы, основные параметры и характеристики
- •Основные параметры фоторезисторов
- •6. Светодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Основные параметры
- •8. Оптоволоконные кабели: виды, основные параметры Строение оптокабеля
- •Параметры оптокабеля:
- •Виды кабелей:
- •Параметры передачи данных
- •Виды кабелей по месту прокладки:
- •9. Фотодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Класификация
- •Вольт-амперная характеристика
- •10. Полупроводниковые диоды: устройство, принцип действия.
- •Принцип работы
- •11. Стабисторы: принцип работы, параметры и характеристики
- •12. Полупроводниковый стабилитрон: принцип действия, параметры и характеристики
- •Параметры
- •Примеры характеристик
- •13. Диоды Шоттки: устройство, принцип действия, основные параметры
- •Свойства диодов Шоттки
- •14. Импульсный режим работы полупроводникового диода
- •15. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, режимы работы, система параметров и характеристик.
- •16. Схемы включения биполярных транзисторов, их параметры и характеристики.
- •17. Полевые транзисторы с индуцированным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
- •Предельные эксплуатационные параметры
- •19. Полевые транзисторы с встроенным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики
- •20. Полевые транзисторы с управляющим p/n переходом и каналом n-типа: устройство, принцип действия, управляющая характеристика
- •21. Основные этапы производства интегральных микросхем
- •22. Цифровые интегральные микросхемы: статические и динамические параметры
- •23. Интегральные микросхемы – преобразователи уровней.
- •24. Элементы ттл с открытым коллектором: схемотехника, принцип действия, параметры
- •25. Элементы ттл с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия, параметры Элемент с тремя состояниями выхода
- •26. Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика технология ттлш с пониженной мощностью потребления
- •27. Инвертор кмоп: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики
- •Элемент не кмоп
- •2 8. Базовый логический элемент ттл: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики
- •29. Разновидности технологий ттлш
- •Разновидности Серии ттл-микросхем зарубежного производства
- •Серии ттл-микросхем отечественного производства
- •30. Кмоп элементы „и”, „или”: схемотехника, принцип работы
- •Элемент 2и
- •Элемент 2или
- •31. Элементы кмоп с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия
- •32. Способы организации соединений в плис
- •33. Lut: назначение, принцип работы
- •34. Двунаправленный элемент ввода/вывода плис: схемотехника, принцип работы
- •Пример схемы блока ввода-вывода
- •35.Cpld, fpga: особенности функциональных схем
- •1)Конструкция, параметры и характеристики переменных и подстроечных резисторов
- •2. Конструкция, параметры и характеристики термисторов
- •3. Конструкция, параметры и характеристики варисторов
- •4. Конструкция, параметры и характеристики магниторезисторов
- •5. Какая из схем включения транзистора имеет:
- •6.Привести международную систему обозначений параметров биполярных транзисторов
- •7.Привести международную систему обозначений параметров полевых транзисторов
- •8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)
- •9.Привести примеры схем устройств с фотодиодами
- •10. Привести примеры схем устройств с оптопарами
- •11. Пример плис cpld
- •12. Пример плис fpga
8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)
Три наиболее распространенных стандартных способа обозначения
1. Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC)
digit, letter, serial number, [suffix]
digit - цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обычно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам
letter - всегда N
serial number - серийный номер от 100 до 9999, который ничего определенного не говорит о транзисторе, кроме его приблизительного времени выпуска
suffix - (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.
Примеры: 2N3819, 2N2221A, 2N904.
2. Japanese Industrial Standard (JIS)- Японский стандарт
digit, two letters, serial number, [suffix]
digit - цифра на единицу меньше, чем количество ножек транзистора, т.е, обчыно 2. 4 и 5 соответствуют оптопарам
two letters - 2 буквы указывают на функциональную принадлежность прибора
SA - PNP HF transistor
SB - PNP AF transistor
SC - NPN HF transistor
SD - NPN AF transistor
SE - Diodes
SF - Thyristors
SG - Gunn devices
SH - UJT
SJ - P-channel FET/MOSFET
SK - N-channel FET/MOSFET
SM - Triac
SQ - LED
SR - Rectifier
SS - Signal diodes
ST - Avalanche diodes
SV - Varicaps
SZ - Zener diodes
serial number - серийный номер от 10 до 9999
suffix - (необязательный параметр) указывает на то, что прибор одобрен для использования различными организациями Японии
Примечание: Так как маркировочный код для транзистора всегда начинается с "2S", очень часто эти два символа опускаются. Например, транзистор 2SC733 может маркироваться C 733.
Примеры: 2SA1187, 2SB646, 2SC733.
3. Pro-electron
1 letter, 2 letter, [3 letter], serial number, [suffix]
1 letter - Первая буква указывает на материал, из которого изготовлен прибор: А- Ge, B- Si, C- GaAs, R- составной материал. Большинство начинается с B.
2 letter - Вторая буква указывает на функциональную принадлежность:
A - Diode RF
B - Variac
C - Transistor, AF, small signal
D - Transistor, AF, power
E - Tunnel diode
F - Transistor, HF, small signal
K - Hall effect device
L - Transistor, HF, power
N - Optocoupler
P - Radiation sensitive device
Q - Radiation producing device
R - Thyristor, Low power
T - Thyristor, Power
U - Transistor, power, switching
Y - Rectifier
Z - Zener, or voltage regulator diode
3 letter - (необязательный параметр) Третья буква указывает на то, что прибор предназначен больше для промышленного чем для коммерческого использования. Обычно эта буква- W,X,Y или Z.
serial number - серийный номер от 100 до 9999
suffix - (необязательный параметр) группа коэффициента усиления: А- низкий к.у., B- средний к.у., C- высокий к.у.
Примеры: BC108A, BAW68, BF239, BFY51.
Прочие
Кроме систем маркировки JEDEC, JIS и Pro-electron фирмы-производители часто вводят собственные типы. Это происходит по коммерческим причинам (для увековечения инициалов названия своей фирмы), либо при маркировке специальных типов приборов.
Наиболее распространенные префиксы:
MJ - Motorolla power, metal case
MJE - Motorolla power, plastic case
MPS - Motorolla low power, plastic case
RCA - RCA
RCS - RCS
TIP - Texas Instruments power transistor (platic case)
TIPL - TI planar power transistor
TIS - TI small signal transistor (plastic case)
ZT - Ferranti
ZTX - Ferranti
Примеры: ZTX302, TIP31A, MJE3055, TIS43.