- •1. Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов
- •2. Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Ненасыщенный биполярный ключ
- •3. Биполярный насыщенный ключ с динамической нагрузкой: схема, принцип работы, характеристики
- •4. Насыщенный биполярный ключ. Схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Транзистор в режиме насыщения
- •Транзистор в режиме отсечки
- •Передаточная характеристика
- •5. Фоторезисторы: устройство, принцип работы, основные параметры и характеристики
- •Основные параметры фоторезисторов
- •6. Светодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Основные параметры
- •8. Оптоволоконные кабели: виды, основные параметры Строение оптокабеля
- •Параметры оптокабеля:
- •Виды кабелей:
- •Параметры передачи данных
- •Виды кабелей по месту прокладки:
- •9. Фотодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Класификация
- •Вольт-амперная характеристика
- •10. Полупроводниковые диоды: устройство, принцип действия.
- •Принцип работы
- •11. Стабисторы: принцип работы, параметры и характеристики
- •12. Полупроводниковый стабилитрон: принцип действия, параметры и характеристики
- •Параметры
- •Примеры характеристик
- •13. Диоды Шоттки: устройство, принцип действия, основные параметры
- •Свойства диодов Шоттки
- •14. Импульсный режим работы полупроводникового диода
- •15. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, режимы работы, система параметров и характеристик.
- •16. Схемы включения биполярных транзисторов, их параметры и характеристики.
- •17. Полевые транзисторы с индуцированным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
- •Предельные эксплуатационные параметры
- •19. Полевые транзисторы с встроенным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики
- •20. Полевые транзисторы с управляющим p/n переходом и каналом n-типа: устройство, принцип действия, управляющая характеристика
- •21. Основные этапы производства интегральных микросхем
- •22. Цифровые интегральные микросхемы: статические и динамические параметры
- •23. Интегральные микросхемы – преобразователи уровней.
- •24. Элементы ттл с открытым коллектором: схемотехника, принцип действия, параметры
- •25. Элементы ттл с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия, параметры Элемент с тремя состояниями выхода
- •26. Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика технология ттлш с пониженной мощностью потребления
- •27. Инвертор кмоп: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики
- •Элемент не кмоп
- •2 8. Базовый логический элемент ттл: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики
- •29. Разновидности технологий ттлш
- •Разновидности Серии ттл-микросхем зарубежного производства
- •Серии ттл-микросхем отечественного производства
- •30. Кмоп элементы „и”, „или”: схемотехника, принцип работы
- •Элемент 2и
- •Элемент 2или
- •31. Элементы кмоп с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия
- •32. Способы организации соединений в плис
- •33. Lut: назначение, принцип работы
- •34. Двунаправленный элемент ввода/вывода плис: схемотехника, принцип работы
- •Пример схемы блока ввода-вывода
- •35.Cpld, fpga: особенности функциональных схем
- •1)Конструкция, параметры и характеристики переменных и подстроечных резисторов
- •2. Конструкция, параметры и характеристики термисторов
- •3. Конструкция, параметры и характеристики варисторов
- •4. Конструкция, параметры и характеристики магниторезисторов
- •5. Какая из схем включения транзистора имеет:
- •6.Привести международную систему обозначений параметров биполярных транзисторов
- •7.Привести международную систему обозначений параметров полевых транзисторов
- •8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)
- •9.Привести примеры схем устройств с фотодиодами
- •10. Привести примеры схем устройств с оптопарами
- •11. Пример плис cpld
- •12. Пример плис fpga
2. Конструкция, параметры и характеристики термисторов
Большую группу
нелинейных резистивных элементов
представляют управляемые нелинейные
элементы. К ним относятся терморезисторы
(термисторы) – нелинейные резистивные
элементы, вольт-амперные характеристики
которых существенно зависят от
температуры. В некоторых типах
терморезисторов температура меняется
за счет специального подогревателя.
Терморезисторы выполняют или из металла
(медь, платина), сопротивления которого
существенно изменяется при изменении
температуры, или из полупроводников.
В полупроводниках терморезисторах
зависимость сопротивления от температуры
описывается аналитической функцией
Здесь R(T0) – значение статического сопротивления при температуре T0 = 293 К, где Т – абсолютная температура, а В – коэффициент. Условное графическое обозначение термистора, его температурная характеристика, вольт-амперная характеристика показана на рисунке:
Различают два типа
терморезисторов: термистор, сопротивление
которого с ростом температуры падает,
и позистор, у которого с сопротивление
с повышением температуры возрастает.
Буквенное обозначение термистора с
отрицательным температурным коэффициентом
– ТР, а с положительным коэффициентом
– ТРП. Температурный коэффициент ТКС
=
,
где R1 - сопротивление при номинальной
температуре, ΔR- изменение сопротивления
при изменении температуры на величину
Δt.
Конструктивно термисторы выполняют в виде бусин, шайб, дисков.
3. Конструкция, параметры и характеристики варисторов
Резистивные элементы, сопротивления которых зависит от напряженности электрического поля, называются варисторами. Варисторы изготавливают из прессованных зерен карбида кремния. Электропроводимость материала, в основном, обусловлена пробоем оксидных пленок, покрывающих зерна. Она определяется напряженностью приложенного электрического поля, т.е. зависит от величины приложенного напряжения.
Условное графическое изображения варистора и его вольт-амперная характеристика показаны на рисунке:
Варисторы характеризуются номинальным напряжением Uном, номинальным значением тока Iном, а также коэффициентом нелинейности β. Этот коэффициент равен отношению статического сопротивления к дифференциальному в точке характеристики с номинальными значениями напряжения и тока:
где U и I – напряжение и ток варистора. Коэффициент нелинейности для различных типов варисторов в пределах 2 – 6
Достоинства:
-Высокая стойкость к току перегрузки
-Быстрая реакция на резкое повышение напряжения (мкс)
-Симметричность вольт-амперных характеристик
-Оптимальная вольт-амперная характеристика
-Надежность, подтвержденная международными стандартами
Применение:
-Бытовая электроника (телевизоры, микроволновые печи, радиоэлектронная аппаратура, и др.)
-Устройства промышленной электроники (электродвигатели, тиристорные схемы управления, релейные схемы, схемы защиты)
-Аппаратура средств связи
-Устройства обработки данных
-Оборудование передачи электроэнергии
-Системы электроснабжения
Варистор в состоянии покоя имеет высокое сопротивление (несколько МОм) по отношению к защищаемому прибору и не изменяет характеристику электрической цепи. При превышении напряжения варистор имеет низкое сопротивление (всего несколько Ом) и фактически шунтирует прибор, т.е. устройство Е защищено.
Описание параметров
Напряжение варистора - это падение напряжения на нем при токе от 0,1мА до 1мА в течение определенного периода времени
Рабочее напряжение: Обычно приводятся максимальные значения переменного VAC и постоянного VDC рабочего напряжения. Токи утечек при рабочих напряжениях незначительны
Нелинейная экспонента (α): Вольт-амперная характеристика варистора определяется равенством I=KVα, Где К - константа, зависящая от конфигурации, а α - нелинейная экспонента. Для вычисления значения α обычно берут две точки - (V1, I1), (V2, I2):
Максимальное напряжение ограничения: Это максимальное напряжение Up между выводами варистора втечение длительности импульса тока (8/20 μсек)
Мощность: Максимальная рассеиваемая энергия (Дж) втечение импульса длительностью 10/1000 μсек
E = K x Vm x I m x T
E: мощность (Дж)
K: константа = 1.4
Vm: максимальное напряжение ограничения при Im
Im: максимально допустимый пиковый ток с импульсом 10/1000 μсек
T: длительность тока перегрузки (1000 μсек)
Ток перегрузки:
Максимальный пиковый ток варистора при изменении напряжения варистора на 10% при стандартном импульсе тока (8/20 μсек) приложенный один или два раза с интервалом 5 мин
Средняя рассеиваемая мощность: Средняя мощность рассеяния при заданной температуре окружающей среды
Емкость - опорная величина, измеряемая при заданной частоте
Оценка срока службы варистора: Определяется как максимально допустимое количество импульсов, прикладываемых к варистору. Для определения используются импульсы стандартной длительности - 8/20 μсек (или 10/1000 μсек)
