
- •1. Цифровая форма представления информации. Основные параметры цифровых сигналов
- •2. Ненасыщенный биполярный ключ: схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Ненасыщенный биполярный ключ
- •3. Биполярный насыщенный ключ с динамической нагрузкой: схема, принцип работы, характеристики
- •4. Насыщенный биполярный ключ. Схема, принцип работы, передаточная характеристика
- •Транзистор в режиме насыщения
- •Транзистор в режиме отсечки
- •Передаточная характеристика
- •5. Фоторезисторы: устройство, принцип работы, основные параметры и характеристики
- •Основные параметры фоторезисторов
- •6. Светодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Основные параметры
- •8. Оптоволоконные кабели: виды, основные параметры Строение оптокабеля
- •Параметры оптокабеля:
- •Виды кабелей:
- •Параметры передачи данных
- •Виды кабелей по месту прокладки:
- •9. Фотодиоды: принцип действия, виды, параметры и характеристики
- •Класификация
- •Вольт-амперная характеристика
- •10. Полупроводниковые диоды: устройство, принцип действия.
- •Принцип работы
- •11. Стабисторы: принцип работы, параметры и характеристики
- •12. Полупроводниковый стабилитрон: принцип действия, параметры и характеристики
- •Параметры
- •Примеры характеристик
- •13. Диоды Шоттки: устройство, принцип действия, основные параметры
- •Свойства диодов Шоттки
- •14. Импульсный режим работы полупроводникового диода
- •15. Биполярные транзисторы: устройство, принцип действия, режимы работы, система параметров и характеристик.
- •16. Схемы включения биполярных транзисторов, их параметры и характеристики.
- •17. Полевые транзисторы с индуцированным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики.
- •Предельные эксплуатационные параметры
- •19. Полевые транзисторы с встроенным каналом n-типа: устройство, принцип действия, параметры и характеристики
- •20. Полевые транзисторы с управляющим p/n переходом и каналом n-типа: устройство, принцип действия, управляющая характеристика
- •21. Основные этапы производства интегральных микросхем
- •22. Цифровые интегральные микросхемы: статические и динамические параметры
- •23. Интегральные микросхемы – преобразователи уровней.
- •24. Элементы ттл с открытым коллектором: схемотехника, принцип действия, параметры
- •25. Элементы ттл с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия, параметры Элемент с тремя состояниями выхода
- •26. Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика технология ттлш с пониженной мощностью потребления
- •27. Инвертор кмоп: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики
- •Элемент не кмоп
- •2 8. Базовый логический элемент ттл: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики
- •29. Разновидности технологий ттлш
- •Разновидности Серии ттл-микросхем зарубежного производства
- •Серии ттл-микросхем отечественного производства
- •30. Кмоп элементы „и”, „или”: схемотехника, принцип работы
- •Элемент 2и
- •Элемент 2или
- •31. Элементы кмоп с тремя состояниями: схемотехника, принцип действия
- •32. Способы организации соединений в плис
- •33. Lut: назначение, принцип работы
- •34. Двунаправленный элемент ввода/вывода плис: схемотехника, принцип работы
- •Пример схемы блока ввода-вывода
- •35.Cpld, fpga: особенности функциональных схем
- •1)Конструкция, параметры и характеристики переменных и подстроечных резисторов
- •2. Конструкция, параметры и характеристики термисторов
- •3. Конструкция, параметры и характеристики варисторов
- •4. Конструкция, параметры и характеристики магниторезисторов
- •5. Какая из схем включения транзистора имеет:
- •6.Привести международную систему обозначений параметров биполярных транзисторов
- •7.Привести международную систему обозначений параметров полевых транзисторов
- •8. Система условных обозначений зарубежных фирм (на примере одной фирмы)
- •9.Привести примеры схем устройств с фотодиодами
- •10. Привести примеры схем устройств с оптопарами
- •11. Пример плис cpld
- •12. Пример плис fpga
4. Конструкция, параметры и характеристики магниторезисторов
Магниторезисторы – полупроводниковые материалы, электрическое сопротивление которых зависит от величины напряженности магнитного поля, действующего на материал. В качестве материала используется висмут, германий и др. Сопротивление магниторезистора описывается зависимостью
,
где R(0) – сопротивление при Н = 0; α – коэффициент, Н – напряженность магнитного поля, в которое помещен магниторезистор.
5. Какая из схем включения транзистора имеет:
а- наибольшее входное сопротивление
б – наибольший коэффициент усиления по току
в – наибольший коэффициент усиления по напряжению
СХЕМЫ ВКЛЮЧЕНИЯ ТРАНЗИСТОРА
Любой усилитель, независимо от частоты, содержит от одного до нескольких каскадов усиления. Для того, чтобы иметь представление по схемотехнике транзисторных усилителей, рассмотрим более подробно их принципиальные схемы.
Транзисторные каскады, в зависимости от вариантов подключения транзисторов подразделяются на:
1 Каскад с общим эмиттером
2 каскад с общим коллектором
3 каскад с общей базой
Каскад с общим эмиттером обладает высоким усилением по напряжению и току. К недостаткам данной схемы включения можно отнести невысокое входное сопротивление каскада. К преимуществам - высокий коэффициент усиления.
Рассмотрим работу каскада подробнее: при подаче на базу входного напряжения - входной ток протекает через переход "база-эмиттер" транзистора, что вызывает открывание транзистора и, в следствии этого, увеличение коллекторного тока. В цепи эмиттера транзистора протекает ток, равный сумме тока базы и тока коллектора. На резисторе в цепи коллектора, при прохождении через него тока, возникает некоторое напряжение, величиной значительно превышающей входное. Таким образом происходит усиление транзистора по напряжению. Так как ток и напряжение в цепи - величины взаимосвязанные, аналогично происходит и усиление входного тока.
Схема с общим коллектором обладает высоким входным и низким выходным сопротивлениями. Коэффициент усиления по напряжению этой схемы всегда меньше 1. Данная схема используется для согласования каскадов, либо в случае использования источника входного сигнала с высоким входным сопротивлением. В качестве такого источника можно привести, например, пьезоэлектрический звукосниматель или конденсаторный микрофон.
Схема включения транзистора с общей базой используется преимущественно в каскадах усилителей высоких частот. Данное включение транзистора позволяет более полно использовать частотные характеристики транзистора при минимальном уровне шумов. Что такое частотная характеристика транзистора? Это - способность транзистора усиливать высокие частоты, близкие к граничной частоте усиления, Эта величина зависит от типа транзистора. Более высокочастотный транзистор способен усиливать и более высокие частоты. С повышением рабочей частоты, коэффициент усиления транзистора понижается. Если для построения усилителя использовать, например, схему с общим эмиттером, то при некоторой (граничной) частоте каскад перестает усиливать входной сигнал. Использование этого - же транзистора, но включенного по схеме с общей базой, позволяет значительно повысить граничную частоту усиления. Каскад, собранный по схеме с общей базой, обладает низким входным и невысоким выходным сопротивлениями.