26. Логический элемент технологии ттлш с пониженной мощностью потребления: схема, принцип работы, передаточная характеристика технология ттлш с пониженной мощностью потребления
(Low power Schotky )
ТТЛШ с пониженной мощностью потребляют меньше мощности чем просто ТТЛШ.
Элемент 2И-НЕ:
Функция И реализована на диодах VD3, VD4.
Диоды будут закрытыми при подаче логической 1. В базу транзистора VT1 поступает ток через резистор R1. Открываются транзисторы VT1, VT5 в режиме насыщения.
Закрываются транзисторы VT3, VT4. На выходе уровень логического поля.
Подадим на вход (1) логический 0. Будет закрыт транзистор VT1, потому закроется транзистор VT5. Транзисторы VT3 и VT4 будут открыты.На выходе высокий уровень напряжения.
Наличие диодов VD1, VD2 уменьшает входные токи элементов.
При изменении температуры изменение выходных уровней меньше, чем в предыдущих схемах.
27. Инвертор кмоп: схемотехника, принцип действия, параметры и характеристики
Выполняет логическую операцию инверсии (отрицания ) .
Элемент не кмоп
В основе схемы лежит КМОП ключ.
Диоды организовывают систему защиты. Диоды на входе предохраняют входы инвертора от высокого напряжения.
Цепочка RC (C-емкость диода VD1) – защищает выход инвертора от короткого замыкания на общий провод и цепью питания.
2 8. Базовый логический элемент ттл: схемотехника, принцип работы, параметры и характеристики
Простейший базовый элемент ТТЛ, в соответствии с рисунком 2а, за счет использования многоэмиттерного транзистора, объединяющего свойства диода и транзисторного усилителя, позволяет увеличить быстродействие, снизить потребляемую мощность и усовершенствовать технологию изготовления микросхемы.
Базовый элемент ТТЛ также выполняет логическую операцию И-НЕ. При низком уровне сигнала (логический 0) хотя бы на одном из выходов многоэмиттерного транзистора VT1 последний находится в состоянии насыщения, а VT2 закрыт. На выходе схемы существует высокий уровень напряжения (логическая единица). При высоком уровне сигнала на всех входах VT1 работает в активном инверсном режиме, а VT2 находится в состоянии насыщения. Описанный здесь базовые элемент ТТЛ, несмотря на прощеную технологию изготовления, не нашел широкого применения из-за низкой помехоустойчивости, малой нагрузочной способностью и малого быстродействия при работе на емкостную нагрузку. Его целесообразно использовать лишь при разработке микросхем с открытым коллектором, в соответствии с рисунком 2б, для включения внешних элементов индикации, когда не требуется высокая помехоустойчивость и большая нагрузочная способность.