- •Технология интегральных микросхем
- •Литография
- •Разрешающие возможности литографий
- •Фотолитография
- •Типовой литографический процесс
- •Выбор фоторезиста
- •Спектральная чувствительность к излучению
- •Разрешающая способность
- •Формирование фоторезистивного слоя
- •Нанесение фоторезиста
- •Сушка фоторезистивного покрытия
- •Процесс формирования изображения микросхемы
- •Фотошаблоны и методы их изготовления
- •Методы совмещения топологических слоев через фотошаблон
- •Процессы проявления фоторезистов
- •Процессы воспроизведения рельефа изображения
- •Заключительные этапы литографического процесса
- •Другие виды литографии
- •Электроннолитография
- •Рентгенолитография
- •Ионнолитография
- •Планарная технология изготовления электронных приборов.
- •Последовательность операций при изготовлении транзистора по планарной технологии
- •Планарно-эпитаксиальная технология
- •. Изготовление полевых транзисторов по планарной технологии
- •Функциональные возможности планарной технологии
- •Термические процессы при изготовлении микросхем
- •Диффузия
- •Диффузия газов из материалов
- •Поверхностная диффузия
- •Механизмы поверхностной диффузии
- •Механизмы объемной диффузии
- •Диффузионное уравнение
- •Расчет распределения примеси при диффузии
- •Техника проведения диффузии Источники легирующих примесей
- •Способы проведения диффузии
- •Недостатки диффузионных методов
- •Контроль диффузионных слоев
- •Оборудование для проведения диффузии
- •Пути повышения радиационной стойкости микросхем
- •Последствия воздействия излучения на имс
- •Технологические приемы повышения радиационной стойкости имс
- •Технология элементов интегральной оптики
- •Световоды, их типы и характеристики
- •Конструктивные элементы световодных систем
- •Переключатели, модуляторы и демодуляторы.
- •Волноводы
- •Технология свч элементов
- •Технология изготовления акустоэлектронных элементов на поверхностных акустических волнах (технология пав)
- •Основные расчетные соотношения и данные для элементов гибридных интегральных микросхем. Резисторы
- •Конденсаторы
- •Катушки индуктивности
- •Площадь подложки
Площадь подложки
Значение площади подложки можно получить, исходя из принципиальной электрической схемы.
Определив площадь одного резистора SR как отношение его мощности, заданной электросхемой, к допустимой Pд
вычисляют суммарную площадь
где n- количество резисторов; Pi – мощность i-того резистора.
Суммарная площадь конденсаторов в первом приближении
где m-число пленочных конденсаторов;
-
толщина
диэлектрика, определяемая как отношение
учетверенного рабочего напряжения
конденсатора к пробивной прочности
диэлектрика.
Учет площадей, необходимых для контактных площадок, коммутационных дорожек, межэлементных промежутков и навесных элементов можно произвести введением коэффициента заполнения Кз. Тогда площадь подложки:
Для большинства гибридных микросхем
Кз=23.
